DESCARGADOR DE SOBRETENSION CON UN ELEMENTO DE REFUERZO.

Descargador de sobretensión con al menos un elemento de derivación (1,

2, 3), que está dispuesto entre dos armaduras extremas (4, 5) conductoras de electricidad, y con al menos un elemento de refuerzo (6, 7, 8) que está fijado en ambas armaduras extremas (4, 5) y que mantiene unida en dirección axial la pila formada por el elemento de derivación (6, 7, 8) y las armaduras extremas (4, 5), caracterizado porque el elemento de refuerzo (6, 7, 8) está retenido en al menos una armadura extrema (4m 5) en un casquillo de refuerzo (9, 10, 11, 12, 13, 14), porque el contorno exterior del casquillo de refuerzo (9, 10, 11, 12, 13, 14) termina cónicamente en dirección axial hacia el centro de la pila en una región cónica (15), porque el casquillo de refuerzo (9, 10, 11, 12, 13, 14) presenta un taladro (20) para el alojamiento de un elemento de refuerzo (6, 7, 8), cuyas paredes de limitación (21, 22, 23, 24) son móviles al menos en la región cónica (15) hacia el interior del taladro, y porque la armadura extrema (4, 5) para el alojamiento de un casquillo de refuerzo (9, 10, 11, 12, 13, 14) respectivo presenta una escotadura continua (25), en la que se puede insertar al menos parcialmente el casquillo de refuerzo (9, 10, 11, 12, 13, 14) respectivo bajo deformación de la región cónica (15).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: SUENWOLDT, OLAF.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 23 de Agosto de 2000.

Fecha Concesión Europea: 15 de Enero de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01C7/12 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01C RESISTENCIAS.H01C 7/00 Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00). › Resistencias de protección contra sobretensiones; Pararrayos.
  • H01T4/16 H01 […] › H01T ESPINTEROMETROS; LIMITADORES DE SOBRETENSION QUE UTILIZAN ESPINTEROMETROS; BUJIAS DE ENCENDIDO; DISPOSITIVOS DE EFECTO CORONA; PRODUCCION DE IONES PARA SER INTRODUCIDOS EN GASES EN ESTADO LIBRE (circuitos contra la sobretensión H02H). › H01T 4/00 Limitadores de sobretensión utilizando espinterómetros (H01T 2/00 tiene prioridad; circuitos de protección contra sobretensiones utilizando espinterómetros H02H 9/06). › que tienen varios intervalos dispuestos en serie.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.

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