CRECIMIENTO DE CAPAS EPITAXIALES MUY UNIFORMES DE CARBURO DE SILICIO.

Método de deposición química en fase de vapor que aumenta la uniformidad del espesor de las capas epitaxiales de carburo de silicio

, comprendiendo el método: calentar un reactor a una temperatura de al menos 1500ºC, suficientemente alta para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio, pero inferior a la temperatura a la que un gas portador de hidrógeno tendería a mordentar el carburo de silicio; y dirigir el flujo de los gases fuente, incluyendo silano, y los gases portadores, a través del reactor calentado, para formar una capa epitaxial de carburo de silicio en el substrato, estando el flujo de gas dirigido a través del reactor en una dirección paralela a la superficie de crecimiento epitaxial; caracterizado porque los gases portadores comprenden una mezcla de un primer gas portador, que comprende hidrógeno en una cantidad de al menos 75% por caudal volumétrico, y un segundo gas portador que comprende argón, teniendo el segundo gas portador una conductividad térmica que es inferior a la conductividad térmica del hidrógeno, y que está presente en una cantidad suficiente para asegurar que los gases fuente se empobrecen menos según pasan a través del reactor, de lo que lo harían si se utilizara el hidrógeno como único gas portador.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CREE, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NC 27703.

Inventor/es: PAISLEY, MICHAEL, JAMES, KORDINA, OLLE, CLAES, ERIK, IRVINE, KENNETH, GEORGE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 14 de Diciembre de 1998.

Fecha Concesión Europea: 16 de Octubre de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Monocristales o materiales policristalinos homogéneos... > C30B29/36 (Carburos)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO... > Revestimiento químico por descomposición de compuestos... > C23C16/32 (Carburos)
  • SECCION C — QUIMICA; METALURGIA > CRECIMIENTO DE CRISTALES > CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión,... > Crecimiento de monocristales por reacción química... > C30B25/02 (Crecimiento de un lecho epitaxial)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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