CONJUNTO DE MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Y DISPOSITIVO PARA LA COLOCACION Y PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE DICHOS MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

Una instalación con una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia (40) de un dispositivo para acomodar y colocar estos módulos de semiconductores de potencia (40) separados uno de otro con un cuerpo de colocación conformado (10),

en el que el cuerpo de colocación conformado (10) tiene una primera superficie principal plana (14) y una multiplicidad de ranuras (12) para acomodar los módulos de semiconductores de potencia (40), en el que cada ranura (12) tiene un dispositivo de tope (20), por lo que en cada caso una superficie principal de un módulo de semiconductores de potencia (40) se coloca plano paralelo y alineado con la primera superficie principal (14) del cuerpo de colocación conformado (10) y la respectiva ranura (12), que emana desde la segunda superficie principal (16) del cuerpo de colocación conformado (10), está diseñada para formar conicidad en la dirección de su primera superficie principal (14), por lo menos en una sección (18), caracterizada porque el dispositivo de tope (20) está diseñado como por lo menos dos orejas, las cuales no se prolongan más allá de la primera superficie principal (14) del cuerpo de colocación conformado (10) y están instaladas en el interior de las ranuras (12) y se apoyan contra bordes de tope asociados (48) de los módulos de semiconductores de potencia (40)

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E06022571.

Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200 90431 NURNBERG ALEMANIA.

Inventor/es: JOST,JAKOB.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 28 de Octubre de 2006.

Fecha Concesión Europea: 25 de Agosto de 2010.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/673E

Clasificación PCT:

  • H01L21/673 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › que utilizan portadores especialmente adaptados.
  • H01L21/683 H01L 21/00 […] › para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

CONJUNTO DE MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Y DISPOSITIVO PARA LA COLOCACION Y PROCEDIMIENTO DE TRATAMIENTO DE LA SUPERFICIE DE DICHOS MODULOS DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.

Fragmento de la descripción:

La presente invención describe una instalación con una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia y con un dispositivo para la colocación de éstos, separados uno de otro, según la reivindicación 1 y también un procedimiento para el tratamiento superficial de los módulos de semiconductores de potencia colocados según la reivindicación

2. Los módulos de semiconductores de potencia, como lo son en la técnica conocida a partir del documento DE 196 30 173 A1, por ejemplo, y como están instalados, separados uno del otro, por medio del documento DE 103 58 843 A1, por ejemplo, forman el punto de partida de la invención.

La invención se origina de una manera ejemplar a partir de una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia según el documento DE 196 30 173 A1, los cuales están instalados en un empaquetado de transporte según el documento DE 103 58 843 A1. Antes del transporte una capa conductora del calor, por ejemplo, se debe aplicar sobre el sustrato de los módulos de semiconductores de potencia, de modo que los módulos de semiconductores de potencia después del transporte puedan ser instalados inmediatamente en una instalación de un circuito como por ejemplo, un convertidor de potencia, sin un tratamiento superficial adicional.

Los módulos de semiconductores de potencia citados tienen dos superficies principales, los elementos de contacto para realizar el contacto eléctrico estando instalados en una segunda superficie principal. La primera superficie principal está formada en términos de un sustrato. Este sustrato transporta los módulos de semiconductores de potencia en el lado encarado hacia el interior del módulo de semiconductores de potencia y en el lado encarado alejado del interior del módulo de semiconductores de potencia sirve para proveer la conexión térmicamente conductora a un componente de refrigeración. Esta conexión térmicamente conductora entre el sustrato y el módulo de refrigeración está formada según la

técnica anterior por medio de una capa intermedia de un recubrimiento conductor del calor, una denominada pasta conductora del calor.

Esta pasta conductora del calor debe estar diseñada como una capa homogénea, o como una distribución homogénea de elementos de recubrimiento individuales, de modo que se asegure una transferencia eficaz del calor al cuerpo de refrigeración después de la instalación del módulo de semiconductores de potencia. Estos tipos de capas de pasta conductora del calor como capas blandas tienen, sin embargo, la desventaja de ser sensibles a variaciones en la homogeneidad. Por esta razón la pasta conductora del calor preferiblemente se aplica inmediatamente antes en la instalación del módulo de semiconductores de potencia en el cuerpo de refrigeración, según la técnica anterior. Sin embargo, puesto que esta capa debe tener un nivel tan alto de homogeneidad como sea posible, en otras palabras, un grosor del recubrimiento uniforme, los procedimientos de impresión por retícula son adecuados para este propósito, por ejemplo, éstos sin embargo no necesariamente están disponibles en el lugar de la instalación.

El empaquetado de transporte para los módulos de semiconductores de potencia anteriormente citado se revela en el documento DE 103 58 843 A1. El empaquetado de transporte de este tipo instala una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia a unas distancias de separación unos de otros definidos dentro de una tolerancia de unos pocos milímetros. Además este empaquetado está configurado de tal manera que las dos superficies principales del respectivo módulo de semiconductores de potencia no entran en contacto con el empaquetado de transporte, o únicamente en una cantidad pequeña, pero definida.

El objeto de la invención es proponer una instalación con una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia y con un dispositivo para la colocación de éstos, separados uno de otro con una tolerancia de menos de un milímetro y también proponer un procedimiento relacionado o el tratamiento superficial simultáneo de esta multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia.

El objeto se consigue según la invención por medio de las medidas de las características de las reivindicaciones 1 y 2. Formas de realización preferidas se describen en las reivindicaciones subordinadas.

El concepto inventivo emana a partir de una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia que están instalados lateralmente uno con respecto al otro en un modelo que no está exactamente definido y cuya ubicación horizontal uno con respecto a otro está definida de forma similar. La invención describe una instalación con un dispositivo para acomodar y colocar esta multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia que están separados uno de otro. Con este propósito se propone un cuerpo de colocación conformado, el cual tiene una primera superficie principal plana y una multiplicidad de ranuras para acomodar los módulos de semiconductores de potencia.

Cada una de las citadas ranuras tiene un dispositivo de tope en la dirección de las normales a la primera superficie principal, por lo que una superficie principal de un módulo de semiconductores de potencia está en cada caso colocada en un plano paralelo y alineada con esta primera superficie principal del cuerpo de colocación conformado. Además, emanando a partir de la segunda superficie principal del cuerpo de colocación conformado en la dirección de su primera superficie principal, las ranuras tienen una configuración cónica, por lo menos en una sección.

El procedimiento relacionado para el tratamiento superficial simultáneo de una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia utiliza el dispositivo anteriormente citado para alinear y anclar los módulos de semiconductores de potencia en sus ubicaciones y aplicar entonces el procedimiento de recubrimiento correspondientemente adecuado para recubrir las primeras superficies principales de los módulos de semiconductores de potencia con un material sobre la superficie completa o por secciones.

Además de la técnica conocida a partir del documento US 2005/072972 A es, por ejemplo, un dispositivo protector para el trasporte de un componente de semiconductor, en el que este componente de semiconductores es una instalación de múltiples pastillas de circuitos integrados. El documento US 3,868,759 revela una instalación para la alineación previa de una pastilla de semiconductores no alojada para la unión de esta pastilla de semiconductores a un bastidor de plomo. Igualmente la técnica conocida a partir del documento US 4,915,565 es un dispositivo para el movimiento de un transportador con un circuito integrado, en el que las pastillas individuales se separan del transportador y se instalan según el circuito.

Adicionalmente a partir del documento EP 0 932 193 A2 un procedimiento para instalar las denominadas protuberancias de soldadura o electrodos de presión en una superficie de

oblea en una fase de fabricación pertenece a la técnica conocida. La solución inventiva se pondrá de manifiesto

adicionalmente con la ayuda de los ejemplos de la forma de realización de las figuras 1 a 3.

La figura 1 muestra parte del cuerpo de colocación conformado de la instalación según la invención.

La figura 2 muestra una sección a través del cuerpo de colocación conformado de la instalación según la invención en diversas etapas de la colocación de los módulos de semiconductores de potencia.

La figura 3 muestra una representación tridimensional de una parte del cuerpo de colocación conformado de la instalación según la invención.

La figura 1 muestra parte del cuerpo de colocación conformado (10) de la instalación según la invención en vista en planta sobre su primera superficie principal (14). El cuerpo de colocación conformado (10) preferiblemente consiste en aluminio con una primera superficie principal plana (14). El cuerpo de colocación conformado (10) además tiene una multiplicidad de ranuras (12), cuyas dimensiones laterales son ligeramente mayores que las dimensiones correspondientes de un módulo de semiconductores de potencia (40) que se va a instalar. El procedimiento para ser ejecutado por medio de este cuerpo de colocación conformado (10) determina las dimensiones apropiadas. Cada ranura (12) tiene un dispositivo de tope (20), el cual limita el desplazamiento del módulo de semiconductores de potencia instalado (40) en la dirección de las normales a la superficie de la primera superficie principal...

 


Reivindicaciones:

1. Una instalación con una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia (40) de un dispositivo para acomodar y colocar estos módulos de semiconductores de potencia (40) separados uno de otro con un cuerpo de colocación conformado (10), en el que el cuerpo de colocación conformado (10) tiene una primera superficie principal plana

(14) y una multiplicidad de ranuras (12) para acomodar los módulos de semiconductores de potencia (40), en el que cada ranura (12) tiene un dispositivo de tope (20), por lo que en cada caso una superficie principal de un módulo de semiconductores de potencia (40) se coloca plano paralelo y alineado con la primera superficie principal (14) del cuerpo de colocación conformado (10) y la respectiva ranura (12), que emana desde la segunda superficie principal (16) del cuerpo de colocación conformado (10), está diseñada para formar conicidad en la dirección de su primera superficie principal (14), por lo menos en una sección (18), caracterizada porque el dispositivo de tope (20) está diseñado como por lo menos dos orejas, las cuales no se prolongan más allá de la primera superficie principal (14) del cuerpo de colocación conformado (10) y están instaladas en el interior de las ranuras (12) y se apoyan contra bordes de tope asociados (48) de los módulos de semiconductores de potencia (40).

2. Un procedimiento para el tratamiento superficial simultáneo de una multiplicidad de módulos de semiconductores de potencia (40) en una instalación según la reivindicación 1

en el que por medio de procedimientos adecuados las primeras superficies principales de los módulos de semiconductores de potencia (40) son recubiertas sobre la superficie completa, o en secciones, con un material (60).

3. La instalación según la reivindicación 1 en la que el cuerpo de colocación conformado (10) está instalado como una parte del cuerpo (50) del empaquetado con módulos de semiconductores de potencia (40) instalados en su interior.

4. La instalación según la reivindicación 1 en la que los bordes de tope (48) de los módulos de semiconductores de potencia (40) están formados por el alojamiento (42) del respectivo módulo de semiconductores de potencia (40).

5. La instalación según la reivindicación 1 en la que la tolerancia de la altura entre la primera superficie principal plana (14) del cuerpo de colocación conformado (10) y las respectivas superficies principales asociadas de los módulos de semiconductores de potencia (40) es menor de 0,5 mm.

6. La instalación según la reivindicación 1 en la que el cuerpo de colocación conformado (10) tiene por lo menos dos dispositivos de colocación (24) para el equipo de impresión por rejilla.

7. El procedimiento según la reivindicación 2 en el que el recubrimiento tiene lugar por medio de impresión por rejilla o impresión por cliché.

8. El procedimiento según la reivindicación 2 en el que el material (60) es una pasta conductora del calor o un adhesivo.

 

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