CIRCUITO PARA LA ACTIVACION DE UNA DISPOSICION DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES NO VOLATIL.
Circuito para la activación de una disposición de memoria de semiconductores no volátil,
con un circuito de conversión de nivel (10), que aplica un valor de salida (D) y un valor de salida (DN) complementario de este valor de salida, a una línea de bits y/o a una línea de palabra de la disposición de memoria de semiconductores, con un circuito de bloqueo (enganche) (11) que se encuentra entre un circuito de entrada (12) y el circuito de conversión de nivel (10), y que memoriza temporalmente los datos a memorizar en la disposición de memoria de semiconductores, caracterizado porque el circuito de entrada (12) consta de un primer transistor NMOS (N1) que se encuentra con su trayectoria de fuente-drenaje dispuesta entre una entrada de datos (DATA) y una primera salida de datos conectada a una entrada de control del circuito de conversión de nivel (10), y de un circuito en serie que consta de dos segundos y terceros transistores NMOS (N2, N3) que se encuentran entre toma de tierra y una segunda salida de datos, que está conectada a una conexión de control del circuito de conversión de nivel (10), y que es complementaria de la conexión de control, estando conectada la puerta del segundo transistor NMOS (N2) a la puerta del primer transistor NMOS (N1) y estando conectada la puerta del tercer transistor NMOS (N3) a la entrada de datos (DATA).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: ST.-MARTIN-STRASSE 53,81541 MUNCHEN.
Inventor/es: ZETTLER, THOMAS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 8 de Junio de 1998.
Fecha Concesión Europea: 9 de Mayo de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C16/06 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria.
Países PCT: Austria, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Oficina Europea de Patentes.
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