APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO CON PLASMA EN EL CUAL SE INDUCE UN CAMPO ELECTRICO UNIFORME A TRAVES DE UNA VENTANA DIELECTRICA.
UN APARATO PARA GRABAR CON PLASMA O PARA UNA DEPOSICION DE PLASMA QUE INCLUYE UN RECEPTACULO (10) QUE TIENE UNA CAMARA (12) EN LA QUE SE PUEDE TRATAR UNA PLAQUITA (W) CON PLASMA.
EL RECEPTACULO INCLUYE AL MENOS UN ORIFICIO DE ENTRADA CONECTADO AL INTERIOR DE LA CAMARA (19) A TRAVES DEL CUAL SE PUEDE SUMINISTRAR EL GAS DE PROCESO A LA CAMARA. HAY UNA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA (30) DISPUESTA PARA HACER PASAR UNA ENERGIA RADIOELECTRICA A LA CAMARA Y PARA INDUCIR EL PLASMA QUE SE ENCUENTRA EN EL INTERIOR DE LA CAMARA A BASE DE ACTIVAR, CON UN CAMPO ELECTRICO INDUCIDO POR LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA, EL GAS DE PROCESO SUMINISTRADO A LA CAMARA A TRAVES DEL ORIFICIO DE ENTRADA. HAY UNA VENTANA DIELECTRICA (18) EN DONDE UNA SUPERFICIE INTERIOR DE LA MISMA FORMA PARTE DE UNA PARED INTERIOR DE LA CAMARA. EL ENERGIA RADIOELECTRICA PASA DE LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA AL INTERIOR DE LA CAMARA A TRAVES DE LA VENTANA DIELECTRICA. LA VENTANA DIELECTRICA TIENE UN GROSOR QUE VARIA EN DIFERENTES PUNTOS A LO LARGO DE LA SUPERFICIE INTERIOR DE LA MISMA DE TAL MODO QUE EL GROSOR ES MAYOR EN LA PORCION CENTRAL DE LA VENTANA DIELECTRICA. LA VENTANA DIELECTRICA ES EFECTIVA PARA REDUCIR EL CAMPO ELECTRICO INDUCIDO EN EL INTERIOR DE LA CAMARA QUE SE ENCUENTRA CERCA DE LA PORCION CENTRAL DE LA VENTANA DIELECTRICA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4650 CUSHING PARKWAY,FREMONT, CA 94538-6401.
Inventor/es: CHEN, CHING-HWA, LIU, DAVID, TRAN, DUC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Mayo de 1993.
Fecha Concesión Europea: 20 de Agosto de 1997.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C23C16/50 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › por medio de descargas eléctricas.
- H01J37/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01J TUBOS DE DESCARGA ELECTRICA O LAMPARAS DE DESCARGA ELECTRICA (espinterómetros H01T; lámparas de arco, con electrodos consumibles H05B; aceleradores de partículas H05H). › H01J 37/00 Tubos de descarga provistos de medios o de un material para ser expuestos a la descarga, p. ej. con el propósito de sufrir un examen o tratamiento (H01J 33/00, H01J 40/00, H01J 41/00, H01J 47/00, H01J 49/00 tienen prioridad). › Tubos de descarga en atmósfera gaseosa (calefacción por descarga H05B).
- H01L21/306 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Japón, República de Corea.
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