APARATO PARA LOCALIZAR DEFECTOS DE FABRICACION EN UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO.

Aparato para la localización de defectos de fabricación en un elemento (1) fotovoltaico, el cual está formado sustancialmente mediante un substrato

(5, 6, 7) semiconductor en forma de oblea, sobre cuyas superficies principales opuestas se han dispuesto conductores (2, 3, 8) eléctricos para el transporte de portadores de carga eléctrica, que comprende: al menos un primer electrodo (23) en contacto eléctrico con una primera superficie principal de dicho substrato, y que es desplazable sobre el citado substrato, un segundo electrodo (31), que se dispone en contacto eléctrico con un conductor (8) sobre la segunda superficie principal, y medios (27) de ajuste para ajustar una polarización entre los conductores (2, 3, 8) eléctricos de las superficies principales opuestas de dicho substrato, que se caracteriza por: medios (24) de desplazamiento para desplazar el primer electrodo (23) sobre dicha primera superficie principal en dos dirección mutuamente perpendiculares, y medios (25) de medición de tensión, para medir la tensión existente entre al menos un primer (23) y un segundo (31) electrodos, en función de la posición del primer electrodo (23) sobre la citada primera superficie principal.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND(ECN).

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Dirección: WESTERDUINWEG 3, P.O.BOX 1,1755 ZG.

Inventor/es: VAN DER HEIDE, ARVID, SVEN, HJALMAR.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 27 de Septiembre de 2000.

Fecha Concesión Europea: 29 de Enero de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/20 (comprendiendo los dispositivos o sus partes constitutivas un material semiconductor amorfo)
  • SECCION G — FISICA > METROLOGIA; ENSAYOS > MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES... > Dispositivos para verificar propiedades eléctricas;... > G01R31/26 (Ensayo de dispositivos individuales de semiconductores (prueba o medida durante la fabricación o el tratamiento H01L 21/66; pruebas de dispositivos fotovoltaicos H02S 50/10))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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APARATO PARA LOCALIZAR DEFECTOS DE FABRICACION EN UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO.