APARATO DE TRANSFERENCIA DE CARGA PARA LA FORMACION DE IMAGENES.

Aparato de transferencia de carga para la formación de imágenes ,

que comprende una oblea fotosensible provista de un par de superficies substancialmente paralelas en las caras opuestas de la misma adecuadas para el funcionamiento del dispositivo de transferencia de carga; una primera capa dieléctrica transparente dispuesta sobre y contigua a una primera a una primera de dichas superficies, una lámina conductiva transparente dispuesta substancialmente sobre dicha primera capa dieléctricas, medios en combinación con dichas oblea, capa y lámina para formar una matriz de pozos de potencial adyacentes a dicha primera superficie de la oblea en respuesta a un voltaje suficiente aplicado a dicha lámina conductiva, una segunda capa dieléctrica dispuesta sobre y contigua a la segunda de las citadas superficies, y un canal de información de transferencia de carga dispuesto encima y que comprende dicha segunda capa y dicha segunda superficie de tal modo que en respuesta a voltajes suficientes aplicados a dicho canal de información de transferencia de carga son formados una pluralidad de pozos de potencial adyacentes a dicha segunda superficie, siendo la oblea suficientemente delgada de manera que los portadores de carga móvil introducidos en los pozos de potencial asociados con la superficie frontal pueden ser transferidos a través de la oblea a los pozos de potencial de los canales de información de transferencia de carga asociados con la segunda superficie sin que se produzca ruptura de avalancha en la oblea.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Fecha de Solicitud: 2 de Diciembre de 1972.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 26 de Febrero de 1975.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L27/10 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva.

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