ACOPLADOR DE ANTENA Y SOPORTE PARA TERMMINALES DE RADIOTELEFONIA MOVIL.

Soporte (1, 6, 7) para una terminal de radiotelefonía móvil (0),

donde el soporte (1, 6, 7) con una interfase (50, 77) para la conexión de una antena externa (52), en especial una antena para un vehículo automotor, y con una estructura de acoplamiento para el acoplamiento electromagnético de señales HF entre el soporte (1, 6, 7) y la antena (52) de una terminal de radiotelefonía móvil (0) que se encuentra en el soporte y donde la estructura de acoplamiento se dispuso de modo tal en el soporte (1, 6, 7), que estando colocada la terminal de radiotelefonía móvil (0), la estructura de acoplamiento se ubica por debajo de la terminal de radiotelefonía móvil próximo a la terminal de radiotelefonía móvil (0), donde la estructura de acoplamiento se conformó como estructura de acoplamiento de dos o más capas se conformó con dos o más estructuras de acoplamiento parcial (2, 3; 62, 63; 72, 73, 74) en planos que se extienden esencialmente paralelos entre sí, donde las dos o más estructuras de acoplamiento parcial (2, 3; 62, 63; 72, 73, 74) se dispusieron superpuestas distancias entre sí de tres a seis milímetros, y que una primera estructura de acoplamiento parcial (2; 8) se compone de dos o más estructuras parciales (22, 23, 82, 83) designadas para diferentes áreas de longitudes de onda.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AUDIOTON KABELWERK GMBH ZWEIGNIEDERLASSUNG SCHEINFELD.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: BAHNHOFSTRASSE 8,91443 SCHEINFELD.

Inventor/es: STRAUSS, KARSTEN, SCHLEGEL, THOMAS.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 10 de Febrero de 2003.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/60 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
  • H01L23/373 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Refrigeración facilitada por el empleo de materiales particulares para el dispositivo.
  • H01L29/423 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.

Clasificación PCT:

  • H01Q1/24 H01 […] › H01Q ANTENAS, es decir, ANTENAS DE RADIO (elementos radiantes o antenas para el calentamiento por microondas H05B 6/72). › H01Q 1/00 Detalles de dispositivos asociados a las antenas (dispositivos para hacer variar la orientación de un diagrama direccional H01Q 3/00). › con aparato receptor.
  • H01Q1/32 H01Q 1/00 […] › Adaptación para la utilización en o sobre vehículos de carretera o ferroviarios.
  • H04B1/38 H […] › H04 TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS.H04B TRANSMISION.H04B 1/00 Detalles de los sistemas de transmision, no cubiertos por uno de los grupos H04B 3/00 - H04B 13/00; Detalles de los sistemas de transmisión no caracterizados por el medio utilizado para la transmisión. › Transceptores, es decir, dispositivos en los cuales el emisor y el receptor forman una unidad estructural y en la cual al menos una parte es utilizada para funciones de emisión y de recepción.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

Patentes similares o relacionadas:

Aparato y procedimiento para interfaz térmica, del 18 de Marzo de 2020, de Emblation Limited: Un aparato para su uso como un amplificador que comprende: un transistor de radiofrecuencia o microondas para proporcionar amplificación de señal; […]

Dispositivo de interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una alimentación eléctrica que comprende medios para reducir una inductancia de circuito cerrado entre un primer y un segundo terminal, del 11 de Marzo de 2020, de ALSTOM Transport Technologies: Dispositivo para la interconexión eléctrica de al menos un componente electrónico con una fuente de alimentación eléctrica, del tipo que comprende, durante […]

Uso de una lámina de acero chapada como lámina de acero absorbente y radiante de calor, del 18 de Diciembre de 2019, de NIPPON STEEL NISSHIN CO., LTD: Uso de una lámina de acero chapada como una lámina de acero de absorción/radiación de calor, comprendiendo la lámina de acero chapada una lámina de acero y […]

Imagen de 'Lámina compleja para la absorción/extinción y el blindaje contra…'Lámina compleja para la absorción/extinción y el blindaje contra las ondas electromagnéticas, y para la elevada disipación de calor de un dispositivo electrónico y procedimiento de fabricación de la misma, del 26 de Junio de 2019, de Joo, Hak Sik: Lámina fusionada para la absorción/extinción y el blindaje contra las ondas electromagnéticas, que comprende: una lámina de grafito premoldeada preparada moldeando […]

Sustrato para circuito electrónico de potencia y módulo electrónico de potencia que utiliza dicho sustrato, del 25 de Junio de 2019, de ALSTOM Transport Technologies: Sustrato para circuito electrónico de potencia que comprende una oblea de material eléctricamente aislante, teniendo dicha oblea una cara […]

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación, del 1 de Mayo de 2019, de Thales Solutions Asia Pte Ltd: Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar […]

Producto de espuma termoconductor, del 17 de Abril de 2019, de PARKER-HANNIFIN CORPORATION: Un sistema que comprende un acolchado de interfaz de espuma termoconductor comprimible dispuesto entre un miembro de generación […]

Dispositivo de gestión térmica pasivo, del 10 de Abril de 2019, de COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES: Dispositivo de gestión térmica que incluye una primera cara destinada a estar en contacto con una fuente caliente (FC) y una segunda cara […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .