PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE CAPAS DE CARBURO DE SILICIO (SIC) MEDIANTE IMPLANTACION IONICA DE CARBONO Y RECOCIDOS.
Procedimiento de fabricación de capas de carburo de silicio (sic) mediante implantación iónica de carbono y recocidos.
La presente invención se refiere al uso de una combinación de implantaciones iónicas de C+ y recocidos convencionales para la fabricación de estructuras complejas multicapas basadas en SiC. Esta combinación de técnicas muy bien conocidas de la tecnología del Si proporciona una gran versatilidad en cuando a la estructura de las capas sintetizadas (estructura amorfa, policristalina, o cristalina con control de la orientación cristalina; multicapas, capas enteradas o sobre aislante) y permite la obtención de capas con muy bajos niveles de tensión residual y con superficies e interficies de muy baja rugosidad caracterizadas por la ausencia de cavidades (a diferencia de otras técnicas como CVD o MBE), siendo estos últimos puntos de suma importancia para la viabilidad y fiabilidad de las estructuras multicapa sintetizadas para diversas aplicaciones, como por ejemplo dispositivos MicroçElectroMecánicos (MEMS).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
UNIVERSIDAD DE BARCELONA.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Fecha de Solicitud: 31 de Marzo de 2000.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 20 de Mayo de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/265 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › produciendo una implantación de iones.
- H01L21/322 H01L 21/00 […] › para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
- H01L21/324 H01L 21/00 […] › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
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