DISPOSICION DE RECTIFICACION POR SEMICONDUCTORES.

Disposición de rectificación por semiconductores, en la que un cuerpo de material aislante substancialmente plano y una pieza metálica de contacto en forma de placa están apilados de manera coincidente sobre una placa soporte metálica en un taladro central que sirve para su colocación en fila sobre un husillo,

con una escotadura correspondiente en dicha placa soporte, y en la que se encuentra dispuesta por lo menos una tableta semiconductora fijada sobre la placa soporte y unida con la pieza de contacto dentro de una abertura excéntrica respecto al taladro central que atraviesa axialmente el cuerpo de material aislante que se encuentra entre la pieza de contacto y la placa soporte, caracterizada porque la placa soporte está prevista simultáneamente como la placa (2) de refrigeración con una gran extensión de superficie, porque la pieza (6) de contacto se encuentra de manera suelta en contacto con la superficie frontal del cuerpo (1) de material aislante dirigida en la dirección contraria a la de la placa (2) de refrigeración y está unida a la tableta semiconductora (4) mediante un saliente (7) previsto como conductor superior de conexión de la misma que se extiende hacia el interior de la abertura excéntrica (1b) del cuerpo aislante, y porque la estructura que se encuentra dentro de la abertura excéntrica (1b) del cuerpo (1) de material aislante que comprende la tableta semiconductora (4) y su conductor superior de conexión está, incrustada dentro de una masa de. materia plástica.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SEMIKRON; GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND E..

Fecha de Solicitud: 9 de Diciembre de 1974.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 14 de Junio de 1976.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

Patentes similares o relacionadas:

SUSTRATO PARA CIRCUITO IMPRESO DE ALTA DENSIDAD Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION., del 16 de Mayo de 2007, de ISOLA LAMINATE SYSTEMS CORPORATION: Un sustrato eléctrico, que comprende: una capa dieléctrica que tiene una rugosidad superficial no mayor de 6, 0 micrómetros; y una primera capa […]

PERFECCIONAMIENTOS EN DIODOS SEMICONDUCTORES., del 1 de Noviembre de 1979, de DR. HERMANN MADER: Perfeccionamientos en dichos semiconductores, con estructura de tres zonas npn o pnp que consta de tres zonas de semiconductor colindantes y con contactos resistivos, […]

UNA DISPOSICION DE PILAS SOLARES DE SEMICONDUCTOR., del 16 de Marzo de 1979, de MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY (MIT): Una disposición de pilas solares de semiconductor, que comprende una pluralidad de unidades separadas o distanciadas, paralelas y alargadas, formadas a partir […]

CAPSULA MONOCRISTAL PIEZOELECTRICA PERFECCIONADA., del 16 de Febrero de 1979, de ORBAICETA. S.A.: Cápsula monocristal piezoeléctrica perfeccionada que estando compuesta por una carcasa, envolvente de una masa de inercia y un cristal piezoelectrico que apoya en un yunque, […]

PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN CONTACTO OHMICO EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR, del 16 de Enero de 1979, de WESTERN ELECTRIC CO. INC.: Procedimiento para producir un contacto óhmico en un cuerpo semiconductor, consistiendo principalmente por lo menos una capa superficial del mismo en un semiconductor compuesto […]

CIRCUITO DE CELULOSA FOTOELECTRICA, del 16 de Septiembre de 1974, de BALLONGA GONZALEZ Y FRANCO RAMON,A. Y V.: Circuito de célula fotoeléctrica, caracterizado esencialmente porque comprende a una célula fotoeléctrica, excitada por cualquier medio y que está conectada por medio de tres […]

Imagen de 'ELEMENTO CONECTOR PARA SEMICONDUCTORES'ELEMENTO CONECTOR PARA SEMICONDUCTORES, del 16 de Abril de 1974, de BORGUÑO CLUA, BARRIO CIPRES Y G. GOYGH,J. R. Y B.: Elemento conector para semiconductores, del tipo constituído por una plaquita tipo pinza y provista de un terminal de conexión, caracterizado esencialmente por el hecho de […]

Imagen de 'UNA DISPOSICION DE ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA'UNA DISPOSICION DE ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA, del 16 de Marzo de 1974, de MATUSHITA ELECTRONICS CORPORATION: Una disposición de estructura semiconductora, caracterizada porque por lo menos tres unidades semiconductores de mesa estan formadas en una relación espaciada regularmente sobre […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .