PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS DE CONMUTACION DE ESTADO SOLIDO.

Perfeccionamientos en dispositivos de conmutadores de estad sólido que comprenden un cuerpo semiconductor cuya parte principal es de un primer tipo de conductividad,

una primera región del primer tipo de conductividad, una segunda región de un segundo tipo de conductividad opuesto al del primer tipo de conductividad, una región de puerta del segundo tipo de conductividad, teniendo la primera, segunda y tercera regiones de puerta una menor resistividad que la de la parte principal y estando mutuamente separadas partes de la masa principal del cuerpo semiconductor, siendo los parámetros del dispositivo de tal naturaleza que, alimentándose un primer voltaje a la región de puerta, se forma una región de puerta, se forma una región de transmisión en el cuerpo semiconductor que evite virtualmente el flujo de corriente entre la primera y la segunda regiones y que, alimentándose voltaje apropiados a la primera y la segunda regiones y que, alimentándose un segundo voltaje a la región de puerta y alimentándose voltaje apropiado a la primera y a la segunda regiones, se establece un trayecto de corriente de resistencia relativamente baja entre la primera y la segunda regiones por una doble inyección de portadores, caracterizado porque la primera y la segunda regiones tienen cada una superficie contenida en una primera superficie principal del cuerpo semiconductor y la región de puerta es un elemento semiconductor que se pone en contacto con el cuerpo semiconductor a lo largo de una segunda superficie opuesta a la primera superficie.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 222 BROADWAY,NEW YORK N.Y. 10038.

Fecha de Solicitud: 19 de Diciembre de 1979.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 16 de Septiembre de 1980.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/76 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Realización de regiones aislantes entre los componentes.

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