Aparato de enlace a presión para transferir una rebanada semiconductora entre un recipiente transportable estanco a presión y un equipo de tratamiento.

Dispositivo de enlace a presión (200) que sirve para la transferencia de una pieza que debe ser tratada en un equipo de tratamiento,

desde el interior de un recipiente portátil estanco a presión (100) del tipo constituido por un alojamiento en forma de caja (102) provista de una abertura de acceso (104) hecha estanca por un medio que forma una puerta separable (124) y un medio que forma válvula inyectora de gas (129), en un ambiente especificado, e inversamente, comprendiendo dicho dispositivo de enlace una sección de entrada/salida única y estando constituido por los elementos siguientes: una estructura en forma de caja (201) que comprende una zona de puerta que define un espacio interior (204) provisto de una abertura (205a) y de una segunda abertura (205'A) opuesta a dicha primera abertura y que comunica con dicho ambiente especificado; un medio que forma recubrimiento (214a) mandado por un medio de mando (209A) que sirve para hacer estanca dicha primera abertura para permitir a la zona de puerta actuar como sala de cambio; un medio que forma un manipulador de transporte (216A) provisto de un medio de aprehensión de pieza (218A) montado en dicha zona de puerta; medio de recepción de recipiente (221A) dispuestos por delante de dicha primera abertura con vistas a recibir un recipiente bien en una primera posición, a saber una posición de espera, o bien en una segunda posición, a saber una posición activa, adyacente a dicha primera abertura; un medio de aprieto/accionamiento (225a y b) que sirve para apretar y desplazar el recipiente de dicha primera posición a dicha segunda posición e inversamente.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: GARRIC, GEORGES, LAFOND, ANDRE.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 18 de Octubre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/00 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]

Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]

Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]

MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .