7 inventos, patentes y modelos de YOON,Sei Seung

  1. 1.-

    Sistema y procedimiento de operación de un dispositivo de memoria

    (05/2015)

    Un aparato que comprende: una célula bit acoplada a una primera línea de bit , a una segunda línea de bit , y a una línea de palabra que es sensible a un circuito de ataque de línea de palabra ; un amplificador de lectura acoplado a la primera línea de bit y a la segunda línea de bit ; un circuito de temporización configurado para generar una primera señal y una segunda señal ; un circuito de bucle configurado para suministrar una señal de administración de aplicación de lectura...

  2. 2.-

    Control de voltaje de línea de palabras en STT-MRAM

    (12/2014)

    Una memoria de acceso aleatorio magneto-resistente, de fuerza de torsión de transferencia de giro, en adelante denominada STT-MRAM, que comprende: una célula de bits con un empalme de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en en la que la célula de bits está acoplada con una línea de bits y una línea de origen; y un controlador de línea de palabras acoplado con una compuerta del transistor de línea de palabras, en en la que el controlador de línea de palabras está...

  3. 3.-

    Sistema y procedimiento para leer y escribir datos en un elemento de unión-túnel magnética

    (12/2014)

    Un dispositivo que comprende: un elemento de unión-túnel magnética (MTJ) de par de transferencia de espín (STT); y un transistor acoplado al elemento de STT-MTJ, en el que el transistor incluye una primera puerta y una segunda puerta , y define unos canales de inversión primero y segundo controlados por las puertas primera y segunda que definen diferentes rutas de lectura y escritura.

  4. 4.-

    Dispositivo de memoria para aplicaciones de memoria resistiva

    (09/2013)

    Un dispositivo de memoria que comprende: una célula de memoria que incluye un elemento de memoria resistivaacoplado a un transistor de acceso, teniendo el transistor de acceso un primerespesor de óxido para permitir la operación de la célula de memoria a una tensión operativa; yun primer amplificador configurado para acoplar la célula de memoria a una tensión dealimentación que es mayor que un límite de tensión para generar una señal de datos basada en unacorriente que atraviesa la célula de memoria, caracterizado porque el primer amplificador...

  5. 5.-

    Elemento magnético que utiliza pasivación de pared lateral protectora

    (03/2013)

    Un aparato que comprende: un elemento de unión de túnel magnético (MTJ) que comprende: una primera capa ferromagnética; una segunda capa ferromagnética, y una primera capa aislante dispuesta entre las capas ferromagnéticas primera y segunda; una capa de pasivación de la MTJ que forma paredes laterales protectoras dispuestas adyacentes ala primera capa ferromagnética, a la segunda capa ferromagnética y a la primera capa aislante; una segunda capa de aislamiento dispuesta adyacente a la capa de pasivación de la MTJ yrodeando al elemento de MTJ; un dieléctrico entre niveles...

  6. 6.-

    MEMORIA MAGNETORRESISTIVA POR PAR DE TRANSFERENCIA DE ESPÍN DE ACCESO ALEATORIO Y PROCEDIMIENTOS DE DISEÑO

    (02/2012)

    Un procedimiento de diseño de una memoria magnetorresistiva por par de transferencia de espín de acceso aleatorio, STT-MRAM, que comprende: la obtención de una curva característica para un transistor de acceso; la determinación de una resistencia de estado0 y una resistencia de estado1 de un elemento de almacenamiento de unión de túnel magnético, MTJ, correspondientes a unos estados primero y segundo de la memoria; la determinación de una tensión de escritura tal que los puntos operativos tanto de las operaciones de escritura del primer estado como del segundo intercepten la curva característica en una región saturada; y la determinación de una tensión de lectura tal que los puntos operativos tanto...

  7. 7.-

    CONTROL DE POTENCIA DE TRANSISTOR DE UNA LÍNEA DE PALABRAS PARA LECTURA Y ESCRITURA EN MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO MAGNETORRESISTIVA DE TRANSFERENCIA DE PAR DE ESPÍN

    (02/2012)

    Una memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva de transferencia de par de espín (STT-MRAM) que comprende: una célula de bit que tiene una unión de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en la que la célula de bit está acoplada a una línea de bits y una línea fuente ; caracterizada por un controlador de la línea de palabras acoplado a una compuerta del transistor de línea de palabras, en la que el controlador de la línea de palabras está configurado para proporcionar una primera tensión para una operación de escritura y una segunda...