6 inventos, patentes y modelos de YONEHARA, TAKAO

  1. 1.-

    APARATO PARA SEPARAR UN ELEMENTO COMPUESTO UTILIZANDO UN CHORRO DE FLUIDO.

    (05/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L21/00.

    Aparato de separación que comprende un primer soporte para soportar de forma rotativa una primera superficie de un elemento compuesto en forma de disco que tiene una serie de elementos unidos entre sí; un segundo soporte para soportar con capacidad de rotación una segunda superficie del compuesto en forma de disco; medios de sincronización (25 a 31) para permitir que el primero y segundo soportes durante la rotación se sincronicen entre sí; y una tobera destinada a proyectar fluido contra la superficie del borde del elemento compuesto, durante su rotación, a efectos de separar el elemento compuesto en una serie de elementos.

  2. 2.-

    METODO Y APARATO PARA EL CORTE DE UN SUBSTRATO COMPUESTO POR UTILIZACION DE UN FLUIDO.

    (03/2003)
    Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L21/00, B26F3/00, H01L21/20, B26D5/12.

    PARA SEPARAR UN MIEMBRO COMPUESTO, QUE CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS UNIDOS (1 Y 2), SIN DESTRUIRLO NI DAÑARLO, UN FLUIDO ES PROYECTADO A CHORRO CONTRA EL MIEMBRO COMPUESTO DESDE UNA BOQUILLA PARA SEPARARLO EN UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS (11 Y 12) EN UNA POSICION DIFERENTE DE LA POSICION DE UNION.

  3. 3.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.

    (09/2002)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L21/20, H01L21/306, H01L21/762.

    SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN EL QUE SE PROPORCIONA UN PRIMER SUSTRATO HECHO DE SILICIO QUE TIENE UNA CAPA DE SILICIO POROSO FORMADA SOBRE EL MISMO, HACIENDO POROSO EL SILICIO DEL SUBSTRATO Y UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO, RECRECIDA DE MODO EPITAXIAL EN LA CAPA DE SILICIO POROSO, DESPUES SE LAMINA EL PRIMER SUSTRATO SOBRE UN SEGUNDO SUSTRATO EN UN ESTADO EN EL QUE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE LAMINACION DEL PRIMER Y DEL SEGUNDO SUSTRATO TENGA UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO Y LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO SE INTERPONGA ENTRE LOS SUSTRATOS LAMINADOS, Y FINALMENTE SE ELIMINA LA CAPA DE SILICIO POROSO MEDIANTE DECAPADO EN EL QUE LA CAPA DE SILICIO POROSO SE ELIMINA MEDIANTE UNA SOLUCION DE ATAQUE QUE DECAPE LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO Y LA CAPA DE OXIDO DE SILICIO A INDICES DE DECAPADO NO SUPERIORES A 10 ANGSTROMS POR MINUTO.

  4. 4.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).

    (09/2002)
    Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L21/304, H01L21/20, H01L21/762.

    SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO, UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.

  5. 5.-

    METODO PARA LA FABRICACION DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR.

    (10/2000)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L21/20, H01L21/76.

    UN METODO PARA PREPARAR UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UN PROCESO DE FABRICACION DE UN SUBSTRATO DE SI POROSO Y A CONTINUACION LA FORMACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA EN EL SUBSTRATO DE SI POROSO; PROCESO DE UNION PRIMARIO DE LA UNION DEL SUBSTRATO DE SI POROSO Y UN SUBSTRATO DE AISLAMIENTO A TRAVES DE LA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA; PROCESO DE GRABADO PARA GRABAR EL SI POROSO PARA QUITAR EL SI POROSO MEDIANTE GRABADO QUIMICO DESPUES DEL PRIMER PROCESO DE UNION; Y PROCESO DE UNION SECUNDARIO DE REFORZAMIENTO DE LA UNION PRIMARIA TRAS EL PROCESO DE GRABADO.

  6. 6.-

    METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO.

    (03/1994)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: C30B23/02, C30B25/18.

    LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE SOBRE LA CUAL ESTAN DISPUESTAS ADYACENTES UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDS) CON UNA PEQUEÑA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDS) Y UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDL) QUE TIENE UN AREA SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA PARA QUE CREZCA EL CRISTAL SOLAMENTE A PARTIR DE UN UNICO NUCLEO, Y QUE TIENE UNA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDL) MAYOR QUE LA DE LA SUPERFICIE (SNDS), DANDO ASI LUGAR AL CRECIMIENTO DE UN MONOCRISTAL A PARTIR DE DICHO UNICO NUCLEO.