11 inventos, patentes y modelos de WEYMEERSCH, ALAIN

  1. 1.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL RECOCIDO CONTINUO DE SUBSTRATOS METALICOS.

    (04/2007)
    Solicitante/s: ARCELOR FRANCE. Clasificación: C21D9/56, C21D1/38, C23C14/02, C21D1/773.

    Procedimiento de recocido de un substrato de acero a su paso que presenta una anchura, particularmente de una chapa de acero, que comprende: - una creación, en una atmósfera gaseosa por la cual pasa el substrato, de un plasma frío que se reparte por toda la anchura del substrato, con formación de descargas por plasma entre una primera cara del substrato que forma un electrodo y un contraelectrodo, - una disipación de potencia eléctrica procedente de estas descargas en el substrato y - una distribución uniforme de densidad de potencia procedente de estas descargas por toda la anchura del substrato, caracterizado por incluir un recocido de recristalización uniforme del substrato a su paso por medio de dichas descargas por plasma.

  2. 2.-

    PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA REVESTIR UN SUBSTRATO.

    (07/2005)
    Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: C23C14/34, C23C14/22.

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUSTRATO QUE SE DESPLAZA A TRAVES DE UN RECINTO , CONSISTIENDO ESTE PROCEDIMIENTO EN FORMAR EL REVESTIMIENTO POR UNA EVAPORACION SEGUIDA DE UNA CONDENSACION Y POR UNA PULVERIZACION CATODICA SIMULTANEA DE ESTE ELEMENTO A PARTIR DE UNA DIANA SOBRE EL SUSTRATO Y EN AJUSTAR LA RELACION DE LAS CANTIDADES DEL ELEMENTO QUE SE EVAPORAN Y PULVERIZAN SIMULTANEAMENTE ACTUANDO SOBRE EL APORTE DE ENERGIA A LA DIANA.

  3. 3.-

    RECINTO DE ESTANQUEIDAD PARA CAMARA DE VACIO.

    (02/2005)
    Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT GROUPE COCKERILL SAMBRE. Clasificación: C23C14/56, B21B45/00.

    Compuerta de estanqueidad para la introducción y el paso continuo de una banda de un sustrato en una cámara de vacío, que comprende un recinto que contiene al menos tres rodillos sucesivos (2a, 2b, 2c) en la dirección de desplazamiento de la banda entre los que un paso está previsto para dicha banda, estando el primer y tercer rodillo situados de un lado de este paso, estando el segundo rodillo situado del lado opuesto a este paso, una zona sensiblemente estanca formada entre la banda y el primer y el tercer rodillo y conectada a una bomba de vacío, previéndose medios para ajustar la presión de la banda sobre los rodillo.

  4. 4.-

    METODO PARA LA REALIZACION DE UN PRODUCTO DE METAL COMPUESTO.

    (07/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT GROUPE COCKERILL SAMBRE. Clasificación: C23C26/00, C23C8/00, C23C10/00.

    Procedimiento para la realización de la composición de un producto metálico por adición de por lo menos una sustancia a este producto, en el cual se hace uso de un producto metálico que se presenta bajo la forma de una banda continua que se desplaza dentro de una cámara al vacío , se aplica la sustancia sobre esta banda y se hace difundir esta sustancia por lo menos parcialmente en la banda en el momento en el que pasa a la cámara al vacío, manteniéndola a una temperatura inferior a su temperatura de fusión, pero suficientemente elevada para permitir esta difusión, caracterizado porque la sustancia citada es incorporada a la banda metálica antes o después de una etapa de recocido por plasma que tiene lugar en la cámara al vacío.

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL DECAPADO DE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO E INSTALACION PARA LA REALIZACION DE ESTE PROCEDIMIENTO.

    (04/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: C23G5/00, H01J37/34.

    PROCEDIMIENTO PARA EL DECAPADO CONTINUO DE LA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO QUE SE DESPLAZA EN UN SENTIDO DETERMINADO A TRAVES DE UNA CAMARA AL VACIO ENFRENTE DE AL MENOS UN CONTRAELECTRODO, SEGUN EL CUAL SE CREA, EN ESTE ULTIMO Y ESTA SUPERFICIE, UN PLASMA EN UN GAS PARA GENERAR ASI RADICALES Y/O IONES QUE PUEDEN ACTUAR SOBRE DICHA SUPERFICIE QUE HAY QUE DECAPAR, CARACTERIZADO PORQUE SE HACE USO EN DICHA CAMARA DE AL MENOS UN PAR DE CONTRAELECTRODOS SUCESIVOS , , , 12), ENFRENTE DE LA CUAL SE DESPLAZA DICHO SUSTRATO, Y PORQUE SE APLICA A UNOS CONTRAELECTRODOS UN POTENCIAL ALTERNO PARA IMPONER ASI UN POTENCIAL A ESTOS ULTIMOS ATERNATIVAMENTE POSITIVO Y NEGATIVO RESPECTO AL SUSTRATO.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO POR PULVERIZACION CATODICA.

    (03/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHES ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56.

    SE EXPONE UN PROCEDIMIENTO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO (2, 2'), POR PULVERIZACION CATODICA, QUE COMPRENDE UN REVESTIMIENTO DE SUPERFICIES DE SUBSTRATOS (2, 2'), TRANSFERIDOS A UN RECINTO DE PULVERIZACION CATODICA , QUE PRESENTAN UNA ANCHURA VARIABLE, CON UNA ANCHURA MAXIMA PREDETERMINADA, CON AYUDA DE UN BLANCO , CUYA SUPERFICIE ES DE LONGITUD INVARIABLE, Y QUE CORRESPONDE APROXIMADAMENTE A LA CITADA ANCHURA MAXIMA DEL SUBSTRATO Y, EN FUNCION DE LA ANCHURA DEL SUBSTRATO EN CURSO DE REVESTIMIENTO, UN DESPLAZAMIENTO ENTRE LA SUPERFICIE DEL BLANCO Y LA SUPERFICIE QUE DEBE REVESTIRSE CON EL SUBSTRATO DE FORMA QUE PRACTICAMENTE LA TOTALIDAD DE LA SUPERFICIE DEL BLANCO SE ENCUENTRE CONSTANTEMENTE FRENTE A LA SUPERFICIE QUE SE DEBE REVESTIR, DURANTE LA PULVERIZACION CATODICA.

  7. 7.-

    DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUBSTRATO POR CONDENSACION.

    (03/2004)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: H01J37/34.

    DISPOSITIVO PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUSTRATO POR CONDENSACION DE UN ELEMENTO, PARTICULARMENTE DE UN METAL, SOBRE ESTE SUSTRATO , QUE COMPRENDE (A) UN RECINTO DONDE TIENE LUGAR UNA EVAPORACION Y/O LA PULVERIZACION CATODICA DE DICHO ELEMENTO Y EN EL QUE ESTA DISPUESTA UNA DIANA QUE PRESENTA AL MENOS UNA CAPA SUPERFICIAL QUE CONTIENE DICHO ELEMENTO Y ORIENTADO HACIA EL SUSTRATO QUE SE ENCUENTRA ENFRENTE Y POR ENCIMA DE LA DIANA , (B) MEDIOS PARA EVAPORAR DICHO ELEMENTO Y/O (C) MEDIOS PARA REALIZAR LA PULVERIZACION CATODICA DE DICHO ELEMENTO A PARTIR DE LA DIANA HACIA EL SUSTRATO , CARACTERIZANDOSE ESTE DISPOSITIVO PORQUE COMPRENDE UNA PARED CONDUCTORA (9, 9A, 9B) QUE DELIMITA AL MENOS LATERALMENTE EL ESPACIO (2') ENTRE LA DIANA Y EL SUSTRATO , PREVIENDOSE MEDIOS PARA POLARIZAR NEGATIVA O POSITIVAMENTE ESTA PARED (9, 9A, 9B) RESPECTO AL SUSTRATO.

  8. 8.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE DECAPADO.

    (03/2003)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: C23G5/00, H01J37/34.

    LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL DECAPADO EN CONTINUO DE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE UN SUSTRATO . CONSISTE EN DESPLAZAR DICHO SUSTRATO SIGUIENDO UNA DIRECCION DETERMINADA ENTRE UN ANODO , CON RESPECTO AL CUAL ESTA POLARIZADO NEGATIVAMENTE, Y AL MENOS UN CIRCUITO MAGNETICO DISPUESTO FRENTE A DICHO ANODO , CON LA CARA QUE VA A DECAPARSE ORIENTADA HACIA EL ANODO , Y CREAR, EN LA PROXIMIDAD DE DICHA CARA, UN PLASMA EN UN GAS, DE FORMA QUE SE GENEREN RADICALES Y/O IONES QUE ACTUEN SOBRE ESTA ULTIMA, UTILIZANDO MEDIOS QUE PERMITAN ADAPTAR EL ANCHO DEL CAMPO DE ACCION DEL CIRCUITO MAGNETICO AL ANCHO DE LA ZONA QUE SE VA A DECAPAR DEL SUSTRATO.

  9. 9.-

    BOMBA MOLECULAR.

    (02/2003)

    Bomba molecular, que hace posible extraer gas de una cámara y de ese modo crear un alto vacío en esta cámara, que comprende una caja substancialmente cerrada herméticamente provista en uno de sus lados de un orificio de entrada para ser conectado a dicha cámara y, en el lado opuesto, un orificio de salida , para lo cual están montados elementos entre esos dos orificios y a una cierta distancia uno de otro en soportes que están fijos dentro de dicha caja para que el gas pase a través, caracterizada porque dichos elementos están montados en soportes fijos , en el lado del último dirigidos hacia el orificio de salida...

  10. 10.-

    PROCEDIMIENTO E INSTALACION PARA LA FORMACION DE UN REVESTIMIENTO SOBRE UN SUSTRATO.

    (01/2002)
    Ver ilustración. Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: C23C14/58.

    PROCEDIIMENTO PARA EL DEPOSITO SOBRE UN SUSTRATO DE UN REVESTIMIENTO CONSTITUIDO ESENCIALMENTE POR UN COMPUESTO CONDUCTOR ELECTRONICO, EN EL QUE DICHO REVESTIMIENTO SE FORMA PRODUCIENDO ALTERNATIVAMENTE, POR UNA PARTE, EN LA MENOS UNA ZONA DE DEPOSITO , UNO O VARIOS DEPOSITOS DE UN ESPESOR DETERMINADO DE UN ELEMENTO CONDUCTOR ELECTRONICO SOBRE EL SUSTRATO Y, POR OTRA PARTE, EN AL MENOS UNA ZONA DE REACCION , UNA O VARIAS REACCIONES DEL ELEMENTO ASI DEPOSITADO CON IONES DE UN GAS REACTIVO QUE SON IMPLANTADOS EN EL DEPOSITO DE DICHO ELEMENTO SOBRE SENSIBLEMENTE TODO ESTE ESPESOR DETERMINADO PARA FORMAR CON, PREFERENTEMENTE LA TOTALIDAD DE ESTE ELEMENTO, DICHO COMPUESTO, ESTANDO DICHOS IONES SOMETIDOS A UNA ENERGIA CINETICA INFERIOR A 2.000 V, MIENTRAS QUE EL ESPESOR CITADO DEL DEPOSITO DEL ELEMENTO SE DETERMINA EN FUNCION DE LA ENERGIA CINETICA APLICADA DE UNA MANERA TAL QUE LA IMPLANTACION DE ESTOS IONES PUEDA OCURRIR SOBRE SENSIBLEMENTE TODO ESTE ESPESOR.

  11. 11.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL DECAPADO DE UN SUBSTRATO METALICO.

    (01/2001)
    Solicitante/s: RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, EN ABREGE: RD-CS. Clasificación: C23C16/02, C23G5/00, C23C14/02.

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL DECAPADO DE UN SUSTRATO METALICO QUE COSISTE EN CREAR CERCA DE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO A LIMPIAR UN PLASMA EN UNA MEZCLA DE HIDROGENO, DE COMPUESTOS HIDROGENADOS Y/O DE UN GAS INERTE, TAL COMO ARGON, DE MANERA A GENERAR RADICALES Y/O IONES, ESTANDO ESTE SUSTRATO POLARIZADO NEGATIVAMENTE RESPECTO A UN ANODO DISPUESTO ENFRENTE DE LA SUPERFICIE A DECAPAR QUE PERMITE ASI A LOS RADICALES Y/O IONES ACTUAR SOBRE ESTA ULTIMA.