6 inventos, patentes y modelos de VON CAMPE, HILMAR, DR.

  1. 1.-

    Procedimiento y dispositivo para la aplicación de material soldante en una pieza de trabajo

    (06/2014)

    Procedimiento para la aplicación de material soldante en una pieza de trabajo, preferiblemente en un componente semiconductor como una célula solar, soldándose el material soldante a una temperatura de soldadura TL y mediante un sonotrodo bajo la acción de ultrasonidos, calentándose además el material soldante mediante un dispositivo de calefacción, aplicándose en la pieza de trabajo y soldándose bajo la acción de ultrasonidos, caracterizado porque la pieza de trabajo está alojada durante el proceso de soldadura de forma elástica apretándose la pieza de trabajo en dirección al sonotrodo mediante un dispositivo de transporte que transporta...

  2. 2.-

    Procedimiento para el tratamiento de material de silicio

    (02/2014)

    Procedimiento para el tratamiento de material de silicio contaminado en superficie presente en una mezcla demateriales tal como piezas de silicio, granulado de silicio inclusive fracciones de plaquitas y/o granulado esféricos,en particular material de silicio con una contaminación superficial de 1 ppb - 1000 ppm, en particular 10 ppm - 1000ppm, con respecto al peso de silicio, que comprende las etapas de procedimiento, en cualquier orden a) retirar material que se adhiere a la superficie del material de silicio mediante tamizado de la mezcla demateriales por medio de una tela de tamiz, b) separar partículas gruesas eléctricamente conductoras de la mezcla de materiales y c) retirar material extraño visualmente perceptible...

  3. 3.-

    Molino de corte

    (10/2013)

    Molino de corte para triturar material de silicio acicular policristalino fracturado que contiene partículas quepresentan una relación de aspecto A1 con 5< A1 ≤ 30 y/o fractura de oblea de Si formada de partículas en forma deplaquetas, caracterizado por que el molino de corte presenta un espacio interior revestido con silicio, carburo de tungsteno y/o materialsintético, por que el molino de corte presenta un cuerpo de rotación configurado como columna de bordesmúltiples que del lado del espacio interior del molino de corte está revestido con silicio o presenta silicio y por queextendidas de manera paralela a los bordes longitudinales del cuerpo de rotación...

  4. 4.-

    PROCEDIMIENTO PARA TRANSPORTAR PARTICULAS SOLIDAS DE SILICIO

    (02/2010)

    Procedimiento para el transporte de partículas sólidas de silicio, de geometría irregular, hasta una fusión de silicio, a partir de la cual se fabrica silicio sólido por medio de una cristalización, aportándose a las partículas sólidas de silicio, de geometría irregular, tal como material de silicio quebrado, a modo de primeras partículas sólidas, unas segundas partículas sólidas, que están constituidas por silicio o que lo contiene, de geometría regular, tal como una geometría esférica o una geometría elipsoide, para el transporte por medio de un fluido a través de, al menos, un tubo o de un sistema tubular, que presenta una curvatura o varias curvaturas y/o que presente un codo o varios codos

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE UN SISTEMA DE SEMICONDUCTOR DE ESTRATO

    (01/1994)
    Solicitante/s: NUKEM GMBH. Clasificación: H01L31/18.

    SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE UN SISTEMA DE SEMICONDUCTO DE ESTRATOS, EN EL QUE EN UN ESTRATO SE APLICAN LAS CAPAS CORRESPONDIENTES DE SEMICONDUCTO MEDIANTE EFECTO DE CAMBIO CON UNA FUNDICION . LA CAPA SOPORTE EN SI PUEDE SER DE VIDRIO O CUARZO QUE EN SU INTERIOR SE FORMA DE UNA FUNDICION DEJANDO RIGIDA UNA FUNDICION DE METAL.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA FORMACION DE UNA CAPA MEDIANTE PROCESO PLASMAQUIMICO

    (12/1992)
    Solicitante/s: NUKEM GMBH. Clasificación: H01L31/18, C23C16/50.

    SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FORMACION DE UNA CAPA DE UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO MEDIANTE PROCESO PLASMAQUIMICO. CON ELLO SE DIRIGE LA SUPERFICIE PARALELAMENTE AL CAMPO ELECTRICO QUE SE NECESITA PARA EL PROCESO PLASMAQUIMICO. ADEMAS EL GAS NECESARIO CORRE INMEDIATAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE.