15 inventos, patentes y modelos de UCHIYAMA, NAOKI

  1. 1.-

    Método de corte de un sustrato con una formación a lo largo de una línea de puntos modificados por superposición en el interior del sustrato

    (02/2015)

    Un método de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar el sustrato con una luz (L) láser, caracterizado por que la luz (L) láser tiene una luz láser pulsada que tiene un ancho de pulso no mayor que 1 μs en un punto (P) de convergencia dentro del sustrato , de manera que el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada se coloca dentro del sustrato y una potencia pico de la luz (L) láser en el punto (P) de convergencia no es menor que 1 X 108 (W/cm2); y además caracterizado por las etapas siguientes: mover relativamente el punto (P) de convergencia de la luz...

  2. 2.-

    Procedimiento de corte de un sustrato con localización de región modificada con láser cerca de una de las superficies del sustrato

    (01/2015)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato , de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato...

  3. 3.-

    Un método de corte de un objeto a lo largo de dos direcciones diferentes usando adicionalmente una hoja elástica para dividir el objeto

    (12/2014)

    Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie...

  4. 4.-

    Procedimiento de procesamiento de un objeto con formación de tres regiones modificadas como punto de partida para cortar el objeto

    (11/2014)

    Un procedimiento de procesamiento láser de un objeto que va a cortarse, comprendiendo el procedimiento: irradiar el objeto con una luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) ubicado en el interior del objeto para formar una región modificada en el interior del objeto a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto ; caracterizado adicionalmente por las etapas de: cambiar la posición del punto de convergencia de luz (P) del láser (L) en una dirección de incidencia de la luz láser (L) que irradia el objeto con respecto al objeto , para formar una pluralidad de las regiones modificadas que se alinean entre sí...

  5. 5.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (06/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado...

  6. 6.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar...

  7. 7.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo...

  8. 8.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (01/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte...

  9. 9.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor...

  10. 10.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de...

  11. 11.-

    Procedimiento de mecanizado por haz de láser

    (04/2012)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio que va a cortarse por procesamiento láser que comprende: irradiar el sustrato que va a cortarse con un haz de láser, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende cortar el sustrato , caracterizado por que la etapa de irradiación comprende irradiar el sustrato que va a cortarse con un láser pulsado (L) con un punto de convergencia de luz (P) que se encuentra en el interior del sustrato en una condición con una densidad de potencia máxima de al menos 1 x 108 W/cm2 en el punto de convergencia de luz (P) y una anchura...

  12. 12.-

    Método para dividir un sustrato

    (03/2012)

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo...

  13. 13.-

    PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR

    (06/2011)

    Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un...

  14. 14.-

    METODO PARA DIVIDIR UN SUSTRATO

    (11/2007)
    Ver ilustración. Solicitante/s: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Clasificación: B23K26/00, B23K26/40, B23K26/06, H01L21/324, H01L21/78, H01L21/26, H01L21/30, H01L21/301, H01L21/42, H01L21/46, H01L21/477.

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato hecho de un material semiconductor con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región procesada por fusión dentro del sustrato , y causa que la región procesada por fusión forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato, en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; adelgazar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se divide el sustrato a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato.

  15. 15.-

    TARJETAS COMPUESTAS

    (06/1995)
    Solicitante/s: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Clasificación: B42D15/02.

    UNA TARJETA COMPUESTA UTILIZADA PARA RECUERDOS O REGALOS INCLUYE UNA FINA LAMINA DE METAL CONSISTIENDO DE AL MENOS UNO DE LOS METALES PRECIOSOS Y ALEACIONES DE ELLOS Y UN MIEMBRO SECUNDARIO CUBRIENDO AL MENOS UNA PARTE DE LA FINA LAMINA METALICA MEDIANTE SUPERPOSICION Y ESTANDO ASEGURADO O AL MENOS UNA DE AMBAS CARAS DE LA FINA LAMINA DE METAL . LA TARJETA COMPUESTA ESTA MANUFACTURADA ENROLLANDO UNA PEQUEÑA CANTIDAD DE LOS METALES PRECIOSOS, Y ADEMAS TIENE UNA FUERZA MECANICA SUFICIENTE PARA PREVENIRLO DE DEFORMACIONES Y DAÑOS. LA TARJETA COMPUESTA ADEMAS INCLUYE UNA HOJA AMORTIGUADORA PARA ABSORBER CHOQUES O IMPACTOS EJERCIDOS SOBRE LA TARJETA COMPUESTA Y PARA PREVENIR QUE LA LAMINA METALICA SEA DAÑADA. LA TARJETA COMPUESTA UTILIZADA POR TARJETAS TELEFONICAS DE PAGO POR ANTICIPADO, TARJETAS PARA SACAR DINERO EN METALICO Y TARJETAS DE CREDITO ADEMAS INCLUYEN UNA CAPA DE GRABACION MAGNETICA PARA GRABAR VARIAS INFORMACIONES.