8 inventos, patentes y modelos de SUGIURA,Ryuji

  1. 1.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (06/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado...

  2. 2.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar...

  3. 3.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo...

  4. 4.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (01/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte...

  5. 5.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor...

  6. 6.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de...

  7. 7.-

    Procedimiento de procesamiento por láser y chip

    (09/2013)

    Un procedimiento de procesamiento por láser de irradiar con luz láser un objeto plano a procesar, en el que elobjeto plano comprende una cara delantera (11a) y una superficie trasera opuesta a la cara delantera, a la vezque se ubica un punto de convergencia dentro del objeto, a fin de formar una región modificada para que sea unpunto de inicio de corte dentro del objeto a lo largo de una línea de corte en el objeto, comprendiendo elprocedimiento las etapas de: formar una primera y segunda regiones modificadas (M1, M2), dispuestas...

  8. 8.-

    PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR

    (06/2011)

    Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un...