22 inventos, patentes y modelos de SÁNCHEZ-CORTEZÓN,Emilio

  1. 1.-

    Concentrador solar luminiscente y dispositivo fotovoltaico que lo comprende

    (11/2015)

    Concentrador solar luminiscente que comprende un sustrato en el que dispuesta una matriz de polímero orgánico al menos semitransparente, en la que están distribuidas moléculas fluorescentes orgánicas capaces de absorber radiación solar, estando al menos parte de las moléculas fluorescentes asociadas entre sí por interacciones dipolares capaces de transferir energía no radiativa de una a otra, siendo la matriz de polímero orgánico una matriz monocapa en la que está distribuidos al menos tres grupos de moléculas fluorescentes orgánicas diferentes, asociadas entre sí de manera que forman cascadas de transferencia de energía no radiativa mediante transferencia de energía por resonancia de Förster (FRET).

  2. 2.-

    CONCENTRADOR SOLAR LUMINISCENTE Y DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE LO COMPRENDE

    (07/2015)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: H01L31/055.

    Concentrador solar luminiscente que comprende un sustrato en el que dispuesta una matriz de polímero orgánico al menos semitransparente, en la que están distribuidas moléculas fluorescentes orgánicas capaces de absorber radiación solar, estando al menos parte de las moléculas fluorescentes asociadas entre sí por interacciones dipolares capaces de transferir energía no radiativa de una a otra, siendo la matriz de polímero orgánico una matriz monocapa en la que está distribuidos al menos tres grupos de moléculas fluorescentes orgánicas diferentes, asociadas entre sí de manera que forman cascadas de transferencia de energía no radiativa mediante transferencia de energía por resonancia de Förster (FRET).

  3. 3.-

    DISPOSITIVO DE CONCENTRACIÓN SOLAR, PANEL FOTOVOLTAICO E INVERNADERO QUE LO INCLUYEN

    (06/2015)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: H01L31/048, A01G9/14.

    Dispositivo de concentración solar caracterizado porque comprende un sustrato transparente o semitransparente, un recubrimiento de cristal fotónico , al menos una célula fotovoltaica (1A, ...1D) dispuesta sobre el sustrato , con la superficie activa de la al menos una célula fotovoltaica dispuesta paralela al sustrato , y una capa de material luminiscente dispuesta en contacto con el recubrimiento de cristal fotónico , en donde o bien el recubrimiento de cristal fotónico está dispuesto sobre el sustrato y la capa de material luminiscente está dispuesta sobre el recubrimiento de cristal fotónico , o bien la capa de material luminiscente está dispuesta sobre el sustrato y el recubrimiento de cristal fotónico está dispuesto sobre la capa de material luminiscente.

  4. 4.-

    DISPOSITIVO DE CONCENTRACIÓN SOLAR, PANEL FOTOVOLTAICO E INVERNADERO QUE LO INCLUYEN

    (06/2015)

    Dispositivo de concentración solar, panel fotovoltaico e invernadero que lo incluyen. Dispositivo de concentración solar caracterizado porque comprende un sustrato transparente o semitransparente, un recubrimiento de cristal fotónico , al menos una célula fotovoltaica (1A, ...1D) dispuesta sobre el sustrato , con la superficie activa de la al menos una célula fotovoltaica dispuesta paralela al sustrato , y una capa de material luminiscente dispuesta en contacto con el recubrimiento de cristal fotónico , en donde o bien el recubrimiento de cristal fotónico está dispuesto sobre el sustrato y la capa de material luminiscente está dispuesta sobre el recubrimiento de cristal fotónico , o bien la capa de material luminiscente está dispuesta sobre el sustrato y el recubrimiento de cristal fotónico está dispuesto sobre la capa de material luminiscente .

  5. 5.-

    Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) y capa así preparada

    (03/2015)

    Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol-gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 11 y 19% en peso; PEG, entre 19 y 31% en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9% en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA BARRERA DIELECTRICA DE ÓXIDO DE SILICIO (SiOx) Y CAPA ASÍ PREPARADA

    (03/2015)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: H01L31/18, C23C18/12, H01L31/0216, H01L31/0392, C23C16/505.

    Procedimiento para la preparación de una capa barrera dieléctrica de óxido de silicio (SiOx) sobre un sustrato, para lo cual se realiza, una vez limpiado el sustrato, una deposición de una capa de SiOx por la técnica de PECVD y otra deposición de SiOx por el método sol-gel. La composición de recubrimiento (sol) utilizada en la etapa sol- gel es preparada a partir de los siguientes componentes: MTES, entre 30 y 50% en peso; TEOS, entre 7% y 12% en peso; N, N' -DMS, entre 1 1 y 19 % en peso; PEG, entre 19 y 31 % en peso; agua destilada, entre 7 y 12% en peso y acido ortofosfórico, entre 0,6% y 0,9 % en peso. Una vez preparada la composición de recubrimiento, se deposita y se densifica para formar la capa de óxido correspondiente.

  7. 7.-

    Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio

    (02/2015)

    Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) mediante electrodeposición donde el electrolito comprende al menos un líquido iónico, una fuente de oxígeno, una fuente de aluminio y una fuente de zinc, manteniéndose durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10-5M y 0,5 M, y la concentración de aluminio en el electrolito está entre el 1x10-3% y 10% en proporción atómica con respecto a la concentración de zinc. El proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0º y 250°C. Las capas obtenidas pueden utilizarse en tecnología fotovoltaica como capas de óxido transparentes y conductoras que forman el contacto frontal de una celda fotovoltaica.

  8. 8.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE CAPAS CONDUCTORAS Y TRANSPARENTES DE ÓXIDO DE ZINC DOPADO CON ALUMINIO

    (01/2015)
    Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: C25D5/00.

    Procedimiento para la preparación de capas conductoras y transparentes de óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) mediante electrodeposición donde el electrolito comprende al menos un líquido iónico, una fuente de oxígeno, una fuente de aluminio y una fuente de zinc, manteniéndose durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10.

  9. 9.-

    SISTEMAS Y MÉTODOS PARA FORMAR CÉLULAS SOLARES CON PELÍCULAS DE CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2

    (01/2015)

    Se proporcionan sistemas y métodos para formar células solares con películas de CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2. En una realización, un método comprende: durante una primera etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de indio (InClx) y vapor de Se para depositar una película semiconductora sobre un substrato ; calentar el substrato y la película semiconductora hasta una temperatura deseada ; durante una segunda etapa después de la primera etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de cobre (CuClx) y vapor de Se a la película semiconductora ; y durante una tercera etapa después de la segunda etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de indio (InClx) y vapor de Se a la película semiconductora .

  10. 10.-

    Procedimiento para el aislamiento de borde en células solares y para la tercera etapa de un proceso de integración monolítica

    (10/2014)

    Procedimiento para el aislamiento de borde en células solares y para la tercera etapa de un proceso de integración monolítica (P3) de una célula solar de lámina delgada mediante la aplicación de un láser infrarrojo pulsado en picosegundos por la cara activa de la célula, consiguiendo así la eliminación de las capas de material semiconductor tipo p y del tipo n y de la capa del óxido transparente conductor (TCO) que forman parte de la célula solar, dejando al aire el contacto trasero de la misma, sin dañar capa barrera y/o sustrato.

  11. 11.-

    PROCEDIMIENTO DE OBTENCIÓN DE SUSPENSIONES O MUESTRAS SÓLIDAS DE GRAFENO

    (10/2014)
    Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: C01B31/04, B82Y30/00.

    Procedimiento para la obtención de suspensiones o muestras sólidas de grafeno dopado o no con heteroátomos a partir de polímeros naturales o sintéticos, los cuales se someten a una etapa de pirólisis en horno en ausencia de oxígeno a temperaturas entre 400 y 1200 °C y a una posterior exfoliación en una fase liquida. Los polímeros utilizados preferiblemente son polisacáridos como el quitosán, alignato y ácido alígnico, pudiendo éstos estar dopados con algún heteroátomo. La presente invención tiene su principal aplicación en microelectrónica y dispositivos fotovoltaicos donde las láminas de grafeno son de gran utilidad; además, el grafeno preparado puede servir como aditivo de polímeros y materiales cerámicos.

  12. 12.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO DE BORDE EN CÉLULAS SOLARES Y PARA LA TERCERA ETAPA DE UN PROCESO DE INTEGRACIÓN MONOLÍTICA

    (09/2014)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: H01L31/18.

    Procedimiento para el aislamiento de borde en células solares y para la tercera etapa de un proceso de integración monolítica (P3) de una célula solar de lámina delgada mediante la aplicación de un láser infrarrojo pulsado en picosegundos por la cara activa de la célula, consiguiendo así la eliminación de las capas de material semiconductor tipo p y del tipo n y de la capa del óxido transparente conductor (TCO) que forman parte de la célula solar, dejando al aire el contacto trasero de la misma, sin dañar capa barrera y/o sustrato.

  13. 13.-

    FUENTE DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE PRECURSORES QUÍMICOS, Y MÉTODO DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE LOS MISMOS QUE UTILIZA DICHA FUENTE

    (07/2014)

    La invención presenta una fuente de evaporación para el transporte de precursores químicos, hasta un sustrato en el cual se realiza la deposición de éstos mediante condensación, formada por un tubo principal que alberga en su parte inferior a los precursores, y que tiene medios de calentamiento . En la parte superior del tubo principal se dispone una entrada y una salida para gases portadores, estando situadas en la superficie lateral del tubo principal , opuestas la una frente a la otra y alineadas a lo largo de una línea común que atraviesa transversalmente la superficie lateral del tubo principal . La invención adicionalmente presenta un método de evaporación para el transporte de precursores químicos, en el que la introducción y extracción de los gases portadores del tubo principal se realizan alineados en dirección transversal a la superficie lateral de éste.

  14. 14.-

    FUENTE DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE PRECURSORES QUÍMICOS, Y MÉTODO DE EVAPORACIÓN PARA EL TRANSPORTE DE LOS MISMOS QUE UTILIZA DICHA FUENTE

    (07/2014)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: C23C14/22, C23C14/26.

    La invención presenta una fuente de evaporación para el transporte de precursores químicos, hasta un sustrato en el cual se realiza la deposición de éstos mediante condensación, formada por un tubo principal que alberga en su parte inferior a los precursores, y que tiene medios de calentamiento . En la parte superior del tubo principal se dispone una entrada y una salida para gases portadores, estando situadas en la superficie lateral del tubo principal , opuestas la una frente a la otra y alineadas a lo largo de una línea común que atraviesa transversalmente la superficie lateral del tubo principal . La invención adicionalmente presenta un método de evaporación para el transporte de precursores químicos, en el que la introducción y extracción de los gases portadores del tubo principal se realizan alineados en dirección transversal a la superficie lateral de éste.

  15. 15.-

    Procedimiento para la creación de contactos eléctricos y contactos así creados

    (06/2014)

    La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLEDs), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. El procedimiento comprende dos etapas: (a) deposición del material de contacto sobre el sustrato final, mediante la transferencia inducida por láser (LIFT) de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final, utilizando preferiblemente láser pulsado y (b) sinterizado del material de contacto mediante una fuente láser, preferiblemente láser continuo. Los contactos así creados presentan unas excelentes propiedades de conductividad y adherencia, así como altas relaciones entre la altura (espesor) y anchura de los mismos.

  16. 16.-

    Procedimiento de obtención de suspensiones o muestras sólidas de grafeno

    (06/2014)

    Procedimiento para la obtención de suspensiones o muestras sólidas de grafeno dopado o no con heteroátomos a partir de polímeros naturales o sintéticos, los cuales se someten a una etapa de pirólisis en horno en ausencia de oxígeno a temperaturas entre 400 y 1200ºC y a una posterior exfoliación en una fase líquida. Los polímeros utilizados preferiblemente son polisacáridos como el quitosán, alignato y ácido alígnico, pudiendo éstos estar dopados con algún heteroátomo. La presente invención tiene su principal aplicación en microelectrónica y dispositivos fotovoltaicos donde las láminas de grafeno son de gran utilidad; además, el grafeno preparado puede servir como aditivo de polímeros y materiales cerámicos.

  17. 17.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA O MULTICAPA BARRERA Y/O DIELÉCTRICA SOBRE UN SUSTRATO Y DISPOSITIVO PARA SU REALIZACIÓN

    (06/2014)

    Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización. La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un portamuestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose la reacción entre el catión del precursor volátil y el gas reactivo al mismo tiempo que se produce la reacción entre el gas reactivo contenido en el plasma con el catión procedente del blanco por pulverización catódica, provocando así la deposición de la película sobre el sustrato. Es también objeto de la invención el dispositivo para llevar a cabo dicho procedimiento.

  18. 18.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA CREACIÓN DE CONTACTOS ELÉCTRICOS Y CONTACTOS ASÍ CREADOS

    (05/2014)
    Ver ilustración. Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHOLOGIES, S.A. Clasificación: H01L21/441.

    La presente invención se refiere a un procedimiento para la creación de contactos eléctricos en dispositivos optoelectrónicos y electrónicos, incluyendo células solares de alta y baja concentración, lámina delgada, diodos emisores de luz orgánicos (OLEDs), y en general, cualquier dispositivo en el que se requiera extraer o inyectar corriente por medio de contactos eléctricos. El procedimiento comprende dos etapas: (a) deposición del material de contacto sobre el sustrato final, mediante la transferencia inducida por láser (LIFT) de dicho material desde un sustrato donante al sustrato final, utilizando preferiblemente láser pulsado y (b) sinterizado del material de contacto mediante una fuente láser, preferiblemente láser continuo. Los contactos así creados presentan unas excelentes propiedades de conductividad y adherencia, así como altas relaciones entre la altura (espesor) y anchura de los mismos.

  19. 19.-

    Formulación de tintas con base de nanopartículas cerámicas

    (02/2014)

    Formulación de tintas con base de nanopartículas cerámicas. La presente invención hace referencia a formulaciones que comprenden nanopartículas de nitruro de aluminio, al menos un dispersante y al menos un disolvente acuoso, al procedimiento de obtención de dichas formulaciones así como a su uso para la obtención de una capa barrera nivelante.

  20. 20.-

    FORMULACIÓN DE TINTAS CON BASE DE NANOPARTÍCULAS CERÁMICAS

    (01/2014)
    Solicitante/s: ABENGOA SOLAR NEW TECHNOLOGIES, S.A. Clasificación: B32B15/04, H01L31/042, B82B3/00, C01B21/072, B82Y30/00.

    La presente invención hace referencia a formulaciones que comprenden nanopartículas de nitruro de aluminio, al menos un dispersante y al menos un disolvente acuoso, al procedimiento de obtención de dichas formulaciones así como a su uso para la obtención de una capa barrera nivelante.

  21. 21.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE PELÍCULAS DE GRAFENO Ó MATERIALES GRAFÉNICOS SOBRE SUSTRATOS NO METÁLICOS

    (08/2013)

    La presente invención describe un procedimiento para la preparación de películas de grafeno o de un material grafénico mediante la carbonización de biopolímeros. El procedimiento comprende las siguientes etapas: - preparación de una disolución acuosa de un biopolímero no cristalizable o un derivado de dicho biopolímero al pH adecuado, - recubrimiento del sustrato con las disolución acuosa de los biopolímero preparada en la etapa anterior...

  22. 22.-

    Procedimiento para la preparación de películas de grafeno ó materiales grafénicos sobre sustratos no metálicos

    (06/2012)

    La presente invención describe un procedimiento para la preparación de películas de grafeno o de un material grafénico mediante la carbonización de biopolímeros. El procedimiento comprende las siguientes etapas: - preparación de una disolución acuosa de un biopolímero no cristalizable o un derivado de dicho biopolímero al pH adecuado, - recubrimiento del sustrato con las disolución acuosa de los biopolímero preparada en la etapa anterior mediante inmersión del sustrato en dicha disolución o empleando la técnica de recubrimiento por giro, - descomposición térmica del biopolímero depositado sobre el sustrato en ausencia de oxígeno a temperaturas inferiores a 1200 °C. Entre los biopolímeros preferidos en la presente invención se encuentran los polisacáridos tales como el alginato, quitosán, almidón y carragenatos y sus derivados. Debido a las propiedades del grafeno, los sustratos recubiertos mediante este proceso tienen aplicación en la industria microelectrónica, fotovoltaica, como componentes de células solares, etc.