6 inventos, patentes y modelos de SAKAI,AKIRA

  1. 1.-

    APARATO FORMADOR DE ZONAS DESPROVISTAS DE ELEMENTOS DE ACOPLAMIENTO EN CADENAS DE CIERRE DE CREMALLERA.

    (11/2006)
    Ver ilustración. Solicitante/s: YKK CORPORATION. Clasificación: A44B19/58.

    Aparato formador de zonas desprovistas de elementos de acoplamiento en cadenas de cierre de cremallera que incluye por lo menos un par de pinzas fijas dispuestas en su parte inferior, un par de pinzas móviles delantera y trasera dispuestas con una separación en la dirección de delante hacia atrás de modo que las pinzas móviles son móviles en dirección vertical hacia y desde las citadas pinzas fijas, un expulsor, que está previsto entre las pinzas fijas y se mueve en dirección vertical entre dichas pinzas fijas y entre las pinzas móviles, y una sección de punzón, que está dispuesta de forma opuesta a un extremo superior del expulsor y que se mueve en dirección vertical y de forma independiente entre las pinzas móviles delantera y trasera y corta las cabezas de acoplamiento de los elementos de acoplamiento a la vez que presiona las cabezas de acoplamiento hacia abajo en el momento de cortarlas.

  2. 2.-

    PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE BARRAS METALICAS Y APARATO ASOCIADO.

    (03/1998)
    Solicitante/s: NKK CORPORATION. Clasificación: B21B1/16, B21B15/00.

    UN MANOJO INTERMEDIO, QUE HA SIDO LAMINADO MEDIANTE UN TREN DE RODILLOS RIGIDOS DE UNA PRENSA DE LAMINADO DE VARILLAS, SE FINALIZA MEDIANTE LAMINACION PARA OBTENER N PIEZAS DE HEBRAS CONECTADAS UNAS A OTRAS A TRAVES DE UNAS FINAS PARTES DE CONEXION. DESPUES, LAS HEBRAS EN LOS EXTREMOS OPUESTOS SE CORTAN EN LAS PARTES DE CONEXION MEDIANTE RODILLOS DE DIVISION, Y SUBSECUENTEMENTE, LAS HEBRAS EN LOS EXTREMOS OPUESTOS FUERA DE LA PLURALIDAD DE LAS HEBRAS INTERMEDIAS, QUE NO HAYAN SIDO CORTADAS, SE CORTAN EN LAS PARTES DE CONEXION MEDIANTE RODILLOS DE DIVISION. MAS ADELANTE, EL CORTE DE LAS HEBRAS EN LOS EXTREMOS OPUESTOS EN LAS PARTES DE CONEXION SE REPITE, MEDIANTE LO CUAL SE CORTAN TODAS LAS HEBRAS EN LAS PARTES DE CONEXION MEDIANTE LOS RODILLOS DE DIVISION, Y SUBSECUENTEMENTE, LAS HEBRAS ASI CORTADAS SE LAMINAN SIMULTANEAMENTE, PARA DE ESTA FORMA MANUFACTURAR N PIEZAS DE VARILLAS DE METAL AL MISMO TIEMPO.

  3. 3.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.

    (07/1996)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/363, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.

  4. 4.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.

    (05/1996)

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO...

  5. 5.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN SE, TE H EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I QUE TIENE MATERIAL DE SI (H, F) DE CRISTAL NO SIMPLE.

    (08/1995)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).

  6. 6.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN, SE, H EN CANTIDAD DE 1 A 4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, QUE TIENE UN MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F).

    (08/1995)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).