6 inventos, patentes y modelos de RECH,BERND

  1. 1.-

    Célula solar con zonas de pasivación contiguas eléctricamente aislantes dotadas de una alta carga superficial de polaridad opuesta y procedimiento de fabricación

    (01/2014)

    Célula solar que comprende - una capa de absorbedor semiconductora fotoactiva que sirve para generar portadores de carga excedentes de polaridad opuesta por efecto de luz incidente, en la situación de funcionamiento, sobre el lado delantero de la capa de absorbedor , - la formación de al menos un campo eléctrico en la capa de absorbedor , que sirve para la separación de los portadores de carga excedentes fotogenerados de polaridad opuesta, que pueden recorrer al menos una longitud de difusión efectiva mínima Lef,min en la capa de absorbedor , -...

  2. 2.-

    Procedimiento para la producción de una capa de óxido transparente y conductora

    (08/2013)

    Procedimiento para la producción de una capa de óxido de zinc conductora y transparente sobre un sustratomediante bombardeo iónico en fase gaseosa reactivo, en donde el proceso presenta una zona de histéresis y, - el calentador para el sustrato se ajusta de manera se ajusta una temperatura del sustrato por encima de200ºC, y - se ajusta una tasa de deposición dinámica mayor que 50 nm*m/min, la cual corresponde a una tasa dedeposición estática mayor que 190 nm/min, caracterizado por las etapas: - se utiliza...

  3. 3.-

    Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado y provisto de una capa de contacto interior

    (03/2012)

    Módulo solar de capas delgadas contactado en un solo lado que comprende una capa de soporte, una capa absorbedora fotoactiva y al menos una capa dopante depositada sobre toda la superficie de un lado de la capa absorbedora, así como otras capas funcionales, en donde el paquete de capas delgadas formado por dichas capas está subdividido en zonas de célula solar por medio de zanjas de separación aislantes, y que comprende también un primer sistema de contacto, que presenta elementos de contactado y una capa de contacto que une estos elementos, y un segundo sistema de contacto que...

  4. 4.-

    PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS SOLARES EN TÁNDEM QUE COMPRENDEN CAPAS DE SILICIO MICROCRISTALINO

    (02/2012)

    Procedimiento para la fabricación de células solares en tándem de silicio amorfo (α-Si:H) y silicio microcristalino (μc-Si:H), que comprenden dos secuencias de capas p-i-n con la ayuda de un procedimiento PE-CVD, caracterizado porque - todas las capas de las secuencias de capas p-i-n son separadas en un proceso de una cámara y también en la deposición de la capa-i microcristalina; - la distancia entre los electrodos está entre 5 y 15 mm; - la distribución del gas se realiza a través de una entrada de gas de cabezal de ducha, que garantiza una...

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTO PARA LIMPIAR Y CORROER UN SUSTRATO CON UNA CAPA DE OXIDO CONDUCTIVA TRANSPARENTE, Y DISPOSITIVO PARA LA PUESTA EN PRACTICA DEL PROCEDIMIENTO

    (10/2010)

    Dispositivo para el tratamiento de sustratos que presentan capas de óxido de cinc preestructuradas dispuestas sobre soportes rígidos o flexibles, con un primer medio para tratar el sustrato con un líquido corrosivo, un segundo medio para tratar el sustrato con líquido de limpieza y un medio adicional para transportar el sustrato del primero al segundo medios, así como un medio para secar el sustrato después del tratamiento de limpieza, caracterizado porque el dispositivo consiste en una instalación de circulación que presenta materiales resistentes en función del agente corrosivo seleccionado

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA DEPOSICION DE SILICIO

    (02/2009)

    Procedimiento para la deposición de silicio microcristalino sobre un sustrato en una cámara de plasma, en el que a) la cámara de plasma presenta antes del inicio del plasma un gas reactivo que contiene silicio e hidrógeno, b) se inicia al pasma c) se alimenta a la cámara después del inicio del plasma de una manera continua exclusivamente gas reactivo que contiene silicio o se alimenta a la cámara después del inicio del plasma de forma continua una mezcla de un gas reactivo que contiene silicio e hidrógeno, de manera que se ajusta la concentración de gas reactivo...