9 inventos, patentes y modelos de MAYDAN, DAN

  1. 1.-

    REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA.

    (03/1999)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01J37/32, C23C16/50, H01H1/46.

    SE DESCRIBE UN REACTOR PARA EL PROCESAMIENTO DE PLASMA QUE INCORPORA UNA ESTRUCTURA INTEGRADA DE LINEA DE TRANSMISION COAXIAL QUE EFECTUA UN ACOPLAMIENTO DE LINEA DE TRANSMISION MUY CORTO Y CON POCA PERDIDA DE UNA ENERGIA ELECTRICA DE CA A LA CAMARA DE PLASMA Y ASI PERMITE EL USO EFECTIVO DE FRECUENCIAS VHF/UHF PARA GENERAR UN PLASMA. EL USO DE FRECUENCIAS DE VHF/UHF DENTRO DEL MARGEN DE 50 Y 800 MEGAHERZIOS PROPORCIONA INDICES DE PROCESAMIENTO COMERCIALMENTE VIABLES (CORROSION Y DEPOSICION SEPARADA O SIMULTANEA) Y UNA REDUCCION SUSTANCIAL EN VOLTAJES DE VAINA COMPARADO CON LAS FRECUENCIAS CONVENCIONALES COMO 13.56 MHZ. COMO RESULTADO, LA PROBABILIDAD DE DAÑAR LOS DISPOSITIVOS DE TAMAÑO PEQUEÑO SENSIBLES A LA ELECTRICIDAD QUEDA REDUCIDA.

  2. 2.-

    PROCESO QUE UTILIZA UN PLASMA, METODO Y APARATO.

    (07/1997)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01J37/32, H05H1/46.

    UN PROCESO DE PLASMA, METODO Y APARATO CAPACES DE OPERACION SIGNIFICATIVAMENTE POR ENCIMA DE 13'56 MHZ PUEDE PRODUCIR VOLTAJE DE POLARIZACION AUTOMATICA DE REJILLA REDUCIDO DEL ELECTRODO ACTIVADO, PARA HABILITAR PROCESOS MAS SUAVES QUE NO DAÑEN CAPAS FINAS QUE ESTAN CONSTANTEMENTE SIENDO COMUNES EN CIRCUITOS INTEGRADOS DE GRAN VELOCIDAD Y DE GRAN DENSIDAD. SE UTILIZA UNA RED NO CONVENCIONAL SEMEJANTE PARA HABILITAR LA ELIMINACION DE REFLEXIONES A ESTAS FRECUENCIAS SUPERIORES. EL CONTROL AUTOMATICO DE LOS COMPONENTES DE LA RED SEMEJANTE HABILITA EL AJUSTE DE LA FRECUENIA DE RF PARA INFLAMAR EL PLASMA, Y DESPUES ACTUAR A UNA FRECUENXIA VARIABLE SELECCIONADA PARA REDUCIR AL MINIMO EL TIEMPO DEL PROCESO SIN DAÑO SIGNIFIVATIVO AL CIRCUITO INTEGRADO.

  3. 3.-

    METODO Y DISPOSITIVO PARA QUITAR EL EXCESO DE MATERIAL EN UNA CAMARA DE DEPOSITO FISICO DE VAPOR.

    (10/1996)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: C23C14/34, C23C14/56, C23C14/22.

    METODO PARA LA LIMPIEZA EN SITU DEL EXCESO DEL MATERIAL DEPOSITADO EN EL ANODO, EN UNA CAMARA DE DEPOSICION FISICA DE VAPOR , DURANTE UN CICLO DE LIMPIEZA, EN LA QUE SE HA EFECTUADO EL VACIO EN DICHA CAMARA . UNA MEZCLA DE GAS QUE INCLUYE UN GAS REACTIVO, SE INTRODUCE DENTRO DE LA CAMARA DE DEPOSITO FISICO DE VAPOR . EL GAS REACTIVO SE ACTIVA MEDIANTE LA DESCARGA DE PLASMA. DURANTE LA LIMPIEZA, LA MEZCLA DE GAS ES CAMBIADA DE FORMA CONTINUA EN LA CAMARA DE DEPOSICION DE VAPOR , JUNTO CON LOS PRODUCTOS DE REACCION.

  4. 4.-

    METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO.

    (10/1996)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/311, H01L21/314.

    SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION QUE CONSISTE EN DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE FUSION BAJA TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES EL GRABADO EN SECO DE LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO, Y CURA SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y DE GRABADO SE REALIZAN SIN QUITAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

  5. 5.-

    METODO PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA INTEGRADA.

    (10/1996)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/316, H01L21/311, H01L21/314.

    SE DESCRIBE UN PROCESO DE PLANARIZACION PARA PLANARIZAR UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO USANDO UN MATERIAL DE PLANARIZACION INORGANICO DE BAJA FUSION QUE COMPRENDE DEPOSITAR UNA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO SOBRE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE TAL COMO UN OXIDO DE SILICONA Y DESPUES GRABAR EN SECO LA CAPA DE PLANARIZACION INORGANICA DE BAJA FUSION PARA PLANARIZAR LA ESTRUCTURA. EL METODO ELIMINA LA NECESIDAD DE LOS PASOS DE RECUBRIMIENTO, SECADO Y TRATAMIENTO SEPARADOS ASOCIADOS CON LA APLICACION DE CAPAS DE PLANARIZACION DE BASE ORGANICA NORMALMENTE REALIZADAS FUERA DE UN APARATO DE VACIO. EN UNA VERSION PREFERIDA, LOS PASOS DE DEPOSICION Y EL PASO DE GRABADO SE REALIZAN SIN SACAR LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO DEL APARATO DE VACIO. PUEDE REALIZARSE UN PASO DE GRABADO ADICIONAL DESPUES DE DEPOSITAR LA CAPA AISLANTE PARA ELIMINAR CUALQUIER VACIO FORMADO EN LA CAPA AISLANTE.

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO QUIMICO DE DEPOSICION DE VAPOR PLANARIZADO MULTIETAPA

    (07/1996)

    ES DESCUBIERTO UN PROCESO DE PLANARIZACION MEJORADO QUE COMPRENDE DEPOSITAR SOBRE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO MODELADO EN UN CIERRE SEMICONDUCTOR , UNA CAPA DE AISLANTE CONFORMAL POR DEPOSICION DE PLASMA ECR DE UNA MATERIA AISLANTE. LA DEPOSICION DE PLASMA ECR ES REALIZADA HASTA LAS ZANJAS O LAS REGIONES BAJAS ENTRE LAS PARTES ELEVADAS ADYACENTES DE LA ESTRUCTURA SON COMPLETAMENTE RELLENADOS CON MATERIAL AISLANTE. UNA CAPA DE PLANARIZACION DE UN MATERIAL CRISTALINO DE FUSION BAJA, TAL COMO UN CRISTAL DE OXIDO DE BORO, ES ENTONCES FORMADO SOBRE LA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO A UNA PROFUNDIDAD O GROSOR SUFICIENTE PARA CUBRIR LAS PARTES MAS ALTAS DE LA CAPA AISLANTE DEPOSITADA DE PLASMA ECR. ESTA CAPA DE PLANARIZACION ES ENTONCES ANISOTROPICAMENTE...

  7. 7.-

    CALENTAMIENTO DE OBLEAS, SISTEMA DE CONTROL Y METODO DE FUNCIONAMIENTO.

    (06/1996)
    Solicitante/s: APPLIED MATERIALS, INC.. Clasificación: H01L21/00.

    LA TEMPERATURA DE UN DISCO SEMICONDUCTOR DURANTE EL RECOCIDO DE METALIZACION SE CONTROLA PRECISA E INDIRECTAMENTE SOSTENIENDO EL DISCO EN UN SUSCEPTOR DELGADO DE PODER EMISOR CONSTANTE Y CONTROLANDO LA TEMPERATURA DEL SUSCEPTOR . EL SISTEMA TIENE LA VENTAJA AÑADIDA DE PROPORCIONAR UN CALENTAMIENTO EFICIENTE Y CONTROLADO DEL DISCO MEDIANTE UN CALENTAMIENTO RADIANTE DE LA CARA TRASERA DEL SUSCEPTOR.

  8. 8.-

    CAMPO MAGNETICO MEJORADO CON UN REACTOR DE PLASMA.

    (11/1994)

    SE DESCRIBE UN REACTOR DE GRABACION POR PLASMA DE UNA SOLA OBLEA CON CAMPO MAGNETICO AUMENTADO. LAS PRESTACIONES DEL REACTOR INCLUYEN UN CAMPO MAGNETICO CONTROLADO ELECTRICAMENTE DEL TIPO PASO A PASO PARA PROPORCIONAR UNA VELOCIDAD UNIFORME DE GRABACION EN ALTAS PRESIONES. LAS SUPERFICIES CUYA TEMPERATURA ESTA CONTROLADA INCLUYE SUPERFICIES DE ANODO CALENTADAS (PAREDES Y GASES) Y UNA OBLEA ENFRIADA QUE SOPORTA EL CATODO/PEDESTAL ; Y UNA MECANISMO DE INTERCAMBIO DE OBLEAS UNICO QUE CONSTA DE PASADORES PARA SUSTENTACION DE LA MISMAS QUE ATRAVIESAS EL PEDESTAL Y UN ANILLO DE APRIETE DE LA OBLEAS . LOS PASADORES DE SUSTENTACION Y EL ANILLO DE APRIETE SE MUEVEN VERTICALMENTE POR UN MECANISMO DE UN...

  9. 9.-

    REACTOR TERMICO CVD/PECVD Y SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE OXIDOS DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO MULTIETAPA DE PLANARIZACION IN-SITU

    (05/1994)

    SE PRESENTA UN REACTOR DE PROCESO SEMICONDUCTOR, DE PASTILLA SIMPLE, DE ALTO RENDIMIENTO, Y ELEVADA PRESION EL CUAL ES CAPAZ DE CVD TERMICO, CVD AUMENTADO POR PLASMA, RETROGRABADO ASISTIDO POR PLASMA, AUTOLIMPIEZA POR PLASMA, Y MODIFICACION TOPOGRAFICA DE DEPOSICION MEDIANTE DESINTEGRACION, SEA SEPARADAMENTE O COMO PARTE DE UN PROCESO DE MULTIPLES ETAPAS IN-SITU. EL REACTOR INCLUYE DISPOSITIVOS DE COOPERACION DE SUSCEPTORES ENTRELAZADOS Y DEDOS DE PATILLAS QUE EXTRAEN COLECTIVAMENTE LA PASTILLA DESDE UNA PALETA DE TRANSFERENCIA ROBOT Y COLOCAN LA PASTILLA CON UNA SEPARACION PARALELA Y CERCANA, CONTROLADA Y VARIABLE ENTRE LA PASTILLA Y EL COLECTOR DE ENTRADA DE GAS A LA CAMARA VOLVIENDOLA DESPUES LA PASTILLA...