20 inventos, patentes y modelos de LUQUE LOPEZ,ANTONIO

  1. 1.-

    Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente

    (09/2015)

    Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente. La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, y , y una capa intermedia aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.

  2. 2.-

    METODO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA

    (01/2014)

    Método para la fabricación de una célula solar lateral de banda intermedia. Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de BI fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

  3. 3.-

    CÉLULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA CON PUNTOS CUÁNTICOS NO TENSIONADOS

    (12/2012)
    Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/0352.

    Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia consiste en una colección de puntos cuánticos de un material semiconductor A inmersos en un volumen de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa de material de banda intermedia no presenta acumulación de tensión mecánica.

  4. 4.-

    Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados

    (09/2012)

    Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados. El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia consiste en una colección de puntos cuánticos de un material semiconductor A inmersos en un volumen de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa de material de banda intermedia no presenta acumulación de tensión mecánica.

  5. 5.-

    MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA CÉLULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA

    (06/2012)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Clasificación: H01L31/032, H01L31/052, H01L31/06.

    Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de Bl fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

  6. 6.-

    DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO Y PANEL FOTOVOLTAICO

    (03/2012)

    El dispositivo fotovoltaico tiene una pluralidad de capas configuradas para convertir luz (L) en energía eléctrica. Cada capa comprende al menos una célula solar (11A; 12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D) Cada capa está configurada de manera que presenta una banda prohibida con una anchura predeterminada, siendo la anchura de la banda prohibida de cada capa diferente de la anchura de la banda prohibida de las otras capas. Al menos una de las capas comprende al menos dos células solares (12A, 12B; 13A, 13B, 13C, 13D) conectadas en serie y que tienen bandas prohibidas con la misma anchura. Las capas están conectadas entre sí en paralelo, de manera que la tensión (U) sobre cada capa es la misma. La invención también se refiere a un panel fotovoltaico.

  7. 7.-

    USO DE MATERIAL MODIFICADO EN SU TOPOGRAFIA SUPERFICIAL EN DISPOSITIVOS QUE GENEREN UNA CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LUZ INCIDENTE

    (10/2011)

    Uso de material modificado en su topografía superficial en dispositivos que generen una corriente eléctrica a partir de luz incidente.La presente invención se basa en el hecho observado por los inventores, de que la modificación de la topografía superficial de materiales, mediante la fabricación de una red ordenada de cavidades rellenas de otro material, con diferente índice de refracción, genera bandas fotónicas en la superficie del material, que alteran el índice de refracción del material sobre el que están fabricadas. Esa variación del índice de refracción permite, en función del ángulo de incidencia y la longitud de onda de la luz, favorecer o inhibir la transmisión y reflexión de la luz. En base a esta nueva propiedad observada, se ha modificado la topografía de una célula solar mediante la fabricación de una red ordenada de cavidades rellenas de aire, y se ha comprobado una mayor generación de corriente eléctrica a partir de luz incidente que en una célula solar de iguales características pero sin modificación de la topografía superficial

  8. 8.-

    REACTOR DE DEPOSITO DE SILICIO DE GRAN PUREZA PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS

    (10/2010)

    Reactor de depósito de silicio de gran pureza para aplicaciones fotovoltaicas. Se trata de un reactor para la producción de silicio, de la pureza requerida por las aplicaciones fotovoltaicas, mediante la reducción con hidrógeno de compuestos gaseosos derivados del silicio (silano o clorosilanos). Se aportan soluciones industriales al complejo sistema de precalentamiento y al excesivo consumo energético que caracterizan los reactores industriales en la actualidad. El reactor consiste en un conjunto de varillas delgadas de silicio de gran pureza (i.e, superior al 99,999999%) y dopadas con impurezas aceptoras o donadoras, donde se produce el depósito de silicio. Se calientan en torno a los 1150°c de temperatura, y se hace pasar la mezcla de gases alrededor de ellas. Dichas varillas tienen una forma recta y están dispuestas en posición vertical. Para disminuir el consumo energético del reactor y homogeneizar la temperatura de las varillas se utilizan pantallas de radiación

  9. 9.-

    PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS DE BANDA INTERMEDIA BASADOS EN TECNOLOGIA DE LAMINA DELGADA

    (07/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/042, H01L31/06.

    Procedimiento de fabricación de dispositivos optoelectrónicos de banda intermedia basados en tecnología de lámina delgada caracterizado porque comprende, al menos, las siguientes etapas:#- una primera etapa, donde sobre un substrato se deposita una capa metálica que actuará como electrodo;#- una segunda etapa, donde sobre la capa metálica se deposita un elemento semiconductor de tipo p ; y#- una tercera etapa, de procesado del material de banda intermedia;#donde dicho material de banda intermedia consiste en unas estructuras nanoscópicas de material multinario de tipo (Cu, Ag)(Al, Ga, In) (S, Se, Te)2 embebido en una matriz de composición similar, salvo por la ausencia de, al menos, un catión presente en la estructura nanoscópica.

  10. 10.-

    CELULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA DE PUNTOS CUANTICOS CON ACOPLAMIENTO OPTIMO DE LA LUZ PPOR DIFRACCION

    (02/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/052, G02F1/29.

    Célula solar de banda intermedia de puntos cuánticos con acoplamiento óptimo de la luz por difracción.#Consiste en célula solar de banda intermedia de puntos cuánticos con acoplamiento de la luz por difracción. En la estructura de la célula, el contacto metálico inferior está separado del semiconductor por una capa de bajo índice de refracción. Además contiene una serie de surcos en la cara frontal recubiertos de una o varias capas antirreflectantes que forman también parte de la estructura difractante. Los surcos están diseñados de manera que difractan en el rango del infrarrojo la luz solar incidente en un cono de luz procedente de un concentrador inclinándolos lo más posible. Así se incrementa el flujo de potencia luminosa proporcionada por los fotones facilitando su absorción por las capas de puntos cuánticos . La capa produce reflexión total interna de los rayos inclinados por.

  11. 11.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE PELICULAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES INCORPORANDO UNA BANDA INTERMEDIA

    (02/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Clasificación: C23C14/35, H01L21/203.

    Procedimiento para la obtención de películas de materiales semiconductores incorporando una banda intermedia.#La presente invención describe un procedimiento de obtención de películas delgadas de materiales semiconductores de banda intermedia consistente en la obtención de un blanco de partículas prensadas del dicho material para utilizarlo en un equipo de pulverización catódica. El blanco se obtiene mediante el proceso térmico de una mezcla de los componentes del material semiconductor, siguiendo un perfil específico de temperaturas y tiempos, para conseguir un material en forma policristalina de la misma composición que el material semiconductor de banda intermedia. El material policristalino se desagrega mediante procedimientos mecánicos nuevamente en forma de polvo y se compacta posteriormente, mediante la aplicación de presión en forma adecuada para formar un blanco.

  12. 12.-

    DISPOSITIVO PARA ACOPLAR LA LUZ DE FORMA OPTIMA A UNA CELULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA REALIZADA MEDIANTE PUNTOS CUANTICOS

    (02/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: H01L31/068.

    Dispositivo para acoplar la luz a una célula solar de banda intermedia realizada mediante puntos cuánticos que además concentra la luz. La energía de la luz que emite el material luminiscente se elige para que produzca transiciones entre la banda de valencia y la banda de conducción de la célula. Los pigmentos del material luminiscente se eligen para que los fotones emitidos produzcan transiciones desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ésta a la banda de conducción. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por la capa escape. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por el material escape. El dispositivo consta, además, de un reflector y de un soporte.

  13. 13.-

    METODO PARA LA SUPRESION DE LA RECOMBINACION NO RADIATIVA EN MATERIALES DOPADOS CON CENTROS PROFUNDOS

    (03/2008)

    Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos...

  14. 14.-

    REACTOR EPITAXIAL PARA LA PRODUCCION DE OBLEAS A GRAN ESCALA

    (12/2007)

    Reactor epitaxial para la producción de obleas a gran escala.#Se describe un reactor epitaxial de alto rendimiento que produce obleas a gran escala para industria fotovoltaica. Su principal innovación es la elevada densidad de apilamiento de susceptores, separados unos 4 cms. Éstos se colocan verticales, paralelos entre sí, interconectados, y se calientan por efecto...

  15. 15.-

    CELULA SOLAR FOTOVOLTAICA DE SEMICONDUCTOR DE BANDA INTERMEDIA.

    (11/2001)
    Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: H01L31/06.

    Célula solar conteniendo un semiconductor con una banda intermedia medio llena de electrones situado entre dos capas de semiconductores ordinarios de tipo n y de tipo p . Al iluminarlo se crean pares electrón-hueco, ya sea por absorción de un fotón de la energía necesaria o por la absorción de dos de energía inferior que bombean un electrón desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ella a la banda de conducción . Se establece una corriente eléctrica que sale por el lado p y vuelve por el lado n. Las capas n y p evitan también que la banda intermedia esté en contacto con las conexiones metálicas externas, lo que produciría un cortocircuito. Esta célula convierte la energía solar en electricidad más eficientemente que las células convencionales y contribuye a la mejora de los dispositivos fotovoltaicos.

  16. 16.-

    PROCEDIMIENTO DE INTERCONEXION DE CELULAS SOLARES EN PANELES FOTOVOLTAICOS MEDIANTE SOLDADURA DIRECTA Y SIMULTANEA.

    (02/2001)

    Procedimiento de interconexión de células solares en paneles fotovoltaicos mediante soldadura directa y simultánea. Método de fabricación de paneles fotovoltaicos en el que las células que componen un panel se conectan mediante soldadura directa entre ellas formando hileras. Estas se unen entre sí y con los terminales de salida usando cintas...

  17. 17.-

    CAVIDAD CONFINADORA DE LUZ CON LIMITACION ANGULOESPACIAL DEL HAZ EMERGENTE.

    (01/1992)
    Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/048.

    UNA CAVIDAD CONFINADORA QUE COLECTA GRAN PARTE DE LA RADIACION REFLEJADA POR UN RECEPTOR QUE ABSORBE IMPERFECTAMENTE Y LO DEVUELVE DE NUEVO HACIA EL RECEPTOR O HACIA OTROS RECEPTORES MEDIANTE UN SISTEMA OPTICO SIMPLE. LA LUZ REFLEJADA POR EL RECEPTOR SOLO PUEDE ESCAPAR DE LA CAVIDAD CON UNA DISPERSION ANGULAR LIMITADA, LO QUE PERMITE QUE LA APERTURA DE ENTRADA DE LA CAVIDAD SEA GRANDE Y POR TANTO QUE LA IRRADIANZA DE ENTRADA EN LA APERTURA SEA BAJA, INCLUSO INFERIOR A LA IRRADIACION EN EL RECEPTOR. ESTA INVENCION TIENE INTERES PARA LA CONVERSION FOTOVOLTAICA, TANTO PARA MEJORAR LA ABSORCION DE LAS CELULAS FOTOVOLTAICAS COMO PARA CONVERTIR MAS EFICIENTEMENTE LA ENERGIA DE FOTONES DE DIFERENTE LONGITUD DE ONDA UTILIZANDO CELULAS DE DIFERENTES MATERIALES.

  18. 18.-

    REACTOR EPITAXIAL DE SUSCEPTORES CONCENTRADOS.

    (12/1989)
    Ver ilustración. Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: B01J19/26.

    SE DESCRIBE UN REACTOR EPITAXIAL DE GRAN CAPACIDAD PARA DEPOSICION POR REACCION QUIMICA DESDE FASE VAPOR, UTILIZABLE PREFERENTEMENTE PARA FORMACION DE EPITAXIAS DE SILICIO. LA BASE DE ESTA GRAN CAOPACIDAD RADICA EN EL AGRUPAMIENTO DE MULTIPLES SUSCEPTORES DE GRAFITO EN UN BLOQUE COMPACTO QUE SE CALIENTA HACIENDO PASAR CORRIENTE ELECTRICA POR TODOS ELLOS PREVIAMENTE INTERCONECTADOS PARA FORMAR UNA RESISTENCIA ELECTRICA. LOS GASES A REACCIONAR SE INYECTAN ENTRE LOS INTERDUCTOS O CAMARAS INDIVIDUALES DE REACCION FORMADAS ENTRE LOS SUSCRPTORES, SOBRE LOS CUALES, APOYADOS Y EN POSICION CASI VERTICAL, SE SITUAN LAS OBLEAS DE MATERIAL CRISTALINO, GENERALMENTE SILICIO, SOBRE LAS QUE SE FORMARA LA EPITAXIA. EL CONJUNTO DEL REACTOR SE ENCIERRA EN UNA CAMARA DE ACERO INOXIDABLE DORADA O ALUMINIZADA INTERNAMENTE QUE SE MANTIENE A BAJA TEMPERATURA MEDIANTE LA REFRIGERACION ADECUADA.

  19. 19.-

    CEDULA SOLAR DE EFECTO TRANSISTOR.

    (08/1989)
    Ver ilustración. Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID C.I.F. : G-28826055. Clasificación: H01L31/18.

    CELULA SOLAR DE EFECTO TRANSISTOR, DESTINADA A LA CONVERSION FOTOVOLTAICA DE LA ENERGIA SOLAR. LAS CARACTERISTICAS DIFERENCIALES DE ESTA NUEVA CELULA SOLAR SON QUE EN ELLA EXISTEN REGIONES N- Y P-, IMPURIFICADAS CON ATOMOS DONADORES Y ACEPTORES, RESPECTIVAMENTE, QUE ESTAN YUXTAPUESTAS, Y QUE EN UNA DE ELLAS SE VERIFICA EL EFECTO TRANSISTOR, ES DECIR, ES ATRAVESADA POR PORTADORES MINORITARIOS DE CORRIENTE (HUECOS O ELECTRONES, RESPECTIVAMENTE) EN SU CAMINO HACIA LA OTRA REGION, EN LA QUE SON COLECTADOS.

  20. 20.-

    CELULA SOLAR.

    (06/1989)
    Ver ilustración. Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID C.I.F. : G-28826055. Clasificación: H01L25/00.

    CELULA SOLAR, CARACTERIZADA POR UNA PASTILLA U OBLEA SEMICONDUCTORA. DE ACUERDO CON LA INVENCION, AMBOS EMISORES O ALGUNOS DE ELLOS, ESTAN SITUADOS EN LA CARA ANTERIOR DE LA OBLEA SEMICONDUCTORA, CON LA PARTICULARIDAD DE QUE LOS EMISORES NO RECUBREN LA TOTALIDAD DE LA CARA CORRESPONDIENTE, SINO TAN SOLO UNA PEQUEÑA FRACCION DE DICHA CARA. LOS PORTADORES DE CORRIENTE GENERADOS EN SU MAYORIA CERCA DE LA CARA ANTERIOR, NO TIENEN QUE ATRAVESAR TODO EL ESPESOR DE LA BASE DE LA CELULA PARA SER COLECTADAS EN LA CARA POSTERIOR. TAMBIEN LOS EMISORES PUEDEN IR SITUADOS EN AMBAS CARAS DE LA CELULA.