12 inventos, patentes y modelos de LEE, KUO-HUA

  1. 1.-

    FORMACION DE PUERTAS EN TRANSISTORES.

    (06/2001)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/28, H01L21/3213, H01L21/033.

    SE PRESENTA UN METODO PARA LA FORMACION DE TRANSISTORES QUE TENGAN ELEMENTOS SUBLITOGRAFICOS, POR EJEMPLO, COMPUERTAS. SE CREA UNA MASCARA DURA MODELADA (FORMADA, POR EJEMPLO, A PARTIR DE PETEOS) DE MODO QUE QUEDE SUPERPUESTA A UNAS CAPAS DE OXIDO Y DE POLISILICIO. LAS DIMENSIONES DE LA MASCARA DURA SE REDUCEN MEDIANTE ATAQUE ISOTROPICO. LA MASCARA DURA DE DIMENSIONES REDUCIDAS SE UTILIZA EN UN PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO PARA DEFINIR UN ELEMENTO DE DIMENSIONES REDUCIDAS TAL COMO UNA COMPUERTA.

  2. 2.-

    PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN CIRCUITOS DE CONTACTO.

    (01/1999)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/60, H01L21/336.

    UN CONTACTO AUTOALINEADO AL SUSTRATO (EJ. 1) QUE SE ENCUENTRA EN LA REGION QUE HAY ENTRE DOS ELECTRODOS DE COMPUERTA (EJ. 3) SE FORMA A BASE DE DEPOSITAR UNA CAPA DIELECTRICA CONFORME (EJ. 13) Y DARLE FORMA PARA FORMAR UNA VENTANA DE CONTACTO (EJ. 17). LOS ELEMENTOS CONDUCTORES DEL ELECTRODO DE COMPUERTA (EJ. 3) NO ENTRAN EN CONTACTO DEBIDO A LA DIFERENCIA EN LAS VELOCIDADES DE ATAQUE ENTRE LOS ELEMENTOS DIELECTRICOS CONFORMES (EJ. 13) Y LOS ELEMENTOS AISLANTES (EJ. 11) DE LA ESTRUCTURA DE COMPUERTA (EJ. 3).

  3. 3.-

    METODO DE FORMAR CONTACTOS A ZONAS DE FUENTES Y DESAGUES

    (12/1998)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/28, H01L21/768.

    SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEMICONDUCTORA QUE SE PUEDE APLICAR A LA FORMACION DE CONTACTOS A FUENTES Y DESAGUES, ESPECIALMENTE EN APLICACIONES SRAM. SE FORMAN UN DIELECTRICO (POR EJEMPLO 127) Y UN CONDUCTOR DE POLISILICIO DE RECUBRIMIENTO (POR EJEMPLO 131) Y SE MODELAN EXPONIENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (POR EJEMPLO 123). SE DEPOSITA UNA CAPA DE SILICIURO (POR EJEMPLO 132), ESTABLECIENDO CONTACTO ASI CON LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131), Y EL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123). LA POSTERIOR MODELACION DE LA CAPA DE SILICIO (POR EJEMPLO 132) USANDO UNA MASCARA DURA DE OXIDO PROPORCIONA CONTACTO ELECTRICO ENTRE LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131) Y EL SUSTRATO, SIN PELIGRO DE HACER SURCOS DENTRO DEL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123).

  4. 4.-

    TRANSISITOR DE EFECTO DE CAMPO CON ATENUADOR DE ATERRIZAJE

    (11/1998)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/60.

    SE FABRICA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON UNA CAPA DE ATENUADOR DE VENTANA (POR EJEMPLO 9) QUE ESTA DIBUJADO USANDO UN DIELECTRICO DIBUJADO (POR EJEMPLO 11) CON SEPARACION SUBLITOGRAFICA COMO UNA MASCARA GRABADA. LOS ATRIBUTOS DESEABLES DEL TRANSISTOR COMPRENDE UNA PEQUEÑA CAPACITANCIA DE UNIO.

  5. 5.-

    CONTACTO DE PUERTA DE POLISILICIO AUTO-ALINEADO.

    (10/1998)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/60, H01L21/336.

    SE ABRE UN CONTACTO DE PUERTA (EJ. 19) RESPECTO A UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SOBRE LA FUENTE/ZONA DE DRENAJE (EJ. 21) FORMANDO CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15) ENTRE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5), QUE TIENE UNA CAPA SUPERIOR DE NITRURO (EJ. 11), Y LAS ZONAS DE OXIDO DEL CAMPO (EJ. 3). SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) POR OXIDACION Y MORDENTADO DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) Y LAS CLAVIJAS DE POLISILICIO (EJ. 15). SE PUEDE DEPOSITAR UNA CAPA DE OXIDO (EJ. 31) ANTES DEL MORDENTADO. EL ULTIMO PASO ABRE UN CONTACTO DE PUERTA, PERO NO EXPONE EL SILICIO EN LA CLAVIJA (EJ. 15) A CAUSA DE LAS DISTINTAS VELOCIDADES DE OXIDACION DE LA CLAVIJA DE POLISILICIO (EJ. 15), Y EL MATERIAL (EJ. 11) DE LA PARTE SUPERIOR DE LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5) CREA CAPAS DE OXIDO QUE TIENEN DISTINTOS ESPESORES. AHORA SE EXTRAE EL NITRURO Y SE FORMAN LOS CONTACTOS (EJ. 19) RESPECTO A LA ESTRUCTURA DE PUERTA (EJ. 5).

  6. 6.-

    SEMICONDUCTOR CON AISLACION DE FOSO RELLENADO POR FLUJO.

    (06/1998)

    SE DESCRIBE UN FOSO QUE PROVEE UNA AISLACION ELECTRICA ENTRE TRANSISTORES EN UN SUBSTRATO DE CIRCUITO INTEGRADO. SE RECUBRE EL FOSO CON UNA BARRERA DE DIFUSION, TIPICAMENTE UN OXIDO TERMICO SEGUIDO DE UNA CAPA ALIVIADORA DE LAS TENSIONES TERMICAS, FORMADA TIPICAMENTE POR TEOS. LUEGO SE DEPOSITA UN MATERIAL DE RELLENO, TIPICAMENTE BPTEOS, PARA RELLENAR EL FOSO Y CUBRIR LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA PLACA DE CONTACTO. SE CALIENTE EL METERIAL DE RELLENO PARA QUE FLUYA. LUEGO SE SOMETE LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL MATERIAL DE RELLENO FLUIDIFICADO...

  7. 7.-

    CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM

    (01/1998)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L27/11.

    UNA CELULA DE MEMORIA SEMICONDUCTORA TIENE UN PUERTA PARALELA (EJEMPLO 25). LA DIRECCION DE LA PUERTA SE ESCOGE VOLUNTARIAMENTE PARA MINIMIZAR LOS EFECTOS ASTIGMATICOS LITOGRAFICOS. ASI SE FABRICAN PUERTAS DE ANCHURA COMPARATIVAMENTE UNIFORME Y SE MEJORA LA PREDICCION DEL RENDIMIENTO DE TRANSISTOR. UNA INCORPORACION DEL INVENTO MUESTRA UNA CONEXION ENTRE DOS CAPAS CONDUCTORAS Y UNA FUENTE/DRENAJE . LA CONEXION FORMA UN NUDO ENTRE UN TRANSISTOR DE ACCESO Y UN TRANSISTOR DISMINUIDO.

  8. 8.-

    CIRCUITO INTEGRADO QUE UTILIZA CELULAS SRAM

    (05/1997)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: G03F7/20, H01L21/82, H01L27/11.

    SE MUESTRA UNA CELULA SEMICONDUCTORA QUE TIENE PUERTAS PARALELAS (EJEMPLO 19,21,25,23). LA DIRECCION DE LAS PUERTAS (EJEMPLO 19,21,25,23) SE ELIGE VOLUNTARIAMENTE PARA MINIMIZAR LOS EFECTOS ASTIGMATICOS LITOGRAFICOS. ASI SE FABRICAN PUERTAS DE ANCHURA COMPARATIVAMENTE UNIFORME Y SE MEJORA LA PREDICCION DEL RENDIMIENTO DE TRANSISTOR.

  9. 9.-

    CIRCUITO INTEGRADO CON UN CONTACTO DE SILICIO A SILICIURO.

    (12/1996)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/90.

    SE PRESENTA UN METODO PARA LA PRODUCCION DE CONTACTOS A UNA CAPA DE SILICIURO METALICO EN UN CIRCUITO INTEGRADO. NORMALMENTE SE UTILIZA SILICIO POLICRISTALINO, PERO SE HA DESCUBIERTO QUE ENTONCES SE FORMAN PICOS. SEGUN LA PRESENTE INVENCION SE DEPOSITA UNA CAPA DE SILICIO AMORFO (O=SI) A UNA TEMPERATURA INFERIOR A LA TEMPERATURA DE RECRISTALIZACION (QUE ES DE 575 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE) Y A CONTINUACION SE INTRODUCE UN AGENTE IMPURIFICADOR (EJ. P) QUE TENGA EL PICO DE SU DISTRIBUCION ESPECIAL DENTRO DE LA CAPA, SEPARADO DE LAS INTERCONEXIONES. SE DESCUBRIO QUE SE FORMARON PICOS, PERO CUANDO LA TEMPERATURA DE DEPOSICION ERA INFERIOR A 550 (GRADOS) C APROXIMADAMENTE NO SE OBSERVO NINGUNO.

  10. 10.-

    TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO CON ESPACIADOR DE PUERTA.

    (10/1996)
    Solicitante/s: AT&T CORP.. Clasificación: H01L21/28, H01L21/336, H01L21/033.

    SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE CIRCUITO INTEGRADO SEMICONDUCTOR Y UN METODO DE FABRICACION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA PUERTA FET (POR EJEMPLO, 18) CON ESPACIADORES DE PUERTA DE DOBLE O TRIPLE CAPA ADYACENTES (POR EJEMPLO, 21,23,19). LOS ESPACIADORES PERMITEN EL CORTE PRECISO DE LOS PERFILES DE UNION DE CANALES LIGERAMENTE BARNIZADOS QUE TIENEN PORCIONES DE UNION PROFUNDAS Y SUPERFICIALES. ADE,AS, PUEDE FORMARSE UN SILICIDO AUTO-ALINEADO (POR EJEMPLO, 51) SOLAMENTE SOBRE LA PORCION DE UNION PROFUNDA PRODUCIENDO ASI UNA CONEXION DE RESISTENCIA DE BAJO CONTACTO SEGURA PARA FUENTE Y CANAL.

  11. 11.-

    FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO.

    (06/1994)
    Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Clasificación: H01L21/28, H01L21/285.

    SE FORMA UNA COMPUERTA QUE TIENE UNA PARTE SUPERIOR AISLANTE Y ESPACIADORES LATERALES . UNA CAPA DE VENTANA CONDUCTORA SE DEPOSITA PARA EFECTUAR CONTACTO CON LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE . LA CAPA DE VENTANA PUEDE SUPERPONERSE A LA COMPUERTA Y/U OXIDO DEL CAMPO . UNA CAPA AISLANTE SE DEPOSITA A CONTINUACION Y SE FORMAN VENTANAS POR ENCIMA DE LAS PARTES EXPUESTAS DE LAS REGIONES DE FUENTE Y DRENAJE DE LA CAPA DE VENTANA. A TRAVES DE LAS VENTANAS SE CREAN CONTACTOS A LA CAPA DE VENTANA. ESTA PUEDE EMPLEARSE PARA FORMAR GUIAS CONDUCTORAS QUE UNEN UNA REGION FUENTE/DRENAJE CON OTRA, EN CUYO CASO NO TODAS ELLAS NECESITAN CONTACTO SEPARADO.

  12. 12.-

    CIRCUITOS INTEGRADOS CON REGIONES DIELECTRICAS ESCALONADAS.

    (11/1991)
    Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Clasificación: H01L21/316, H01L21/308.

    EL DIOXIDO DE SILICIO DEPOSITADO SE PUEDE UTILIZAR COMO UNA CAPA DE OXIDO DE CAMPO O CON OTROS FINES DIELECTRICOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS. SIN EMBARGO, LA GRABACION ELECTROLITICA DE UN MODELO EN LA CAPA, PRODUCE GENERALMENTE PAREDES LATERALES PRONUNCIADAS QUE IMPIDEN LA BUENA COBERTURA ESCALONADA DE LAS CAPAS CONDUCTORAS QUE SE DEPOSITAN DESPUES. CON LA PRESENTE TECNICA SE PUEDE FORMAR EL DIELECTRICO EN AL MENOS DOS CAPAS (EJ. 11,12) CON DENSIDADES DIFERENTES. UNA SECUENCIA DE GRABACION ELECTROLITICA ANISOTROPICA E ISOTROPICA DA COMO RESULTADO PAREDES LATERALES ESCALONADAS, LO QUE PROPORCIONA UN BUEN CONTROL DE LA ANCHURA DE LINEA Y UNA BUENA COBERTURA ESCALONADA DEL MATERIAL DEPOSITADO DESPUES.