14 inventos, patentes y modelos de LEDERER,MARCO

  1. 1.-

    Módulo de semiconductor de potencia con contacto de presión con un acumulador de presión híbrido

    (07/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con contacto por presión con por lo menos un sustrato que tiene componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga que conducen al exterior y con un dispositivo de presión que comprende un elemento de presión , en el que el sustrato en su primera superficie principal encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, comprende pistas conductoras con un potencial de carga, en el que un primer y por lo menos un elemento de conexión de la carga adicional...

  2. 2.-

    Montaje en contacto con presión con un módulo de semiconductor de potencia

    (05/2012)

    Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso , un módulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeración , en la que la tarjeta de circuito impreso tiene un cuerpo de material aislante y vías de conducción instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plástico aislante en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta que tiene orificios , un sustrato que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento con por lo menos una vía de conducción y por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con...

  3. 3.-

    Módulo de semiconductor de potencia con resorte de contacto auxiliar previamente cargado

    (04/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , un elemento de presión , un sustrato con por lo menos una superficie de contacto y por lo menos un elemento de conexión dirigido hacia fuera en el que el elemento de conexión está diseñado como un resorte de contacto , con un primer dispositivo de contacto , una sección elástica y un segundo dispositivo de contacto , en el que el elemento de presión tiene por lo menos dos elementos de tope por elemento de conexión , en el que el primer dispositivo de contacto del resorte de contacto está conectado con las superficies de contacto del sustrato de una manera eléctricamente conductora, en el que el segundo dispositivo de contacto del resorte de contacto está...

  4. 4.-

    Módulo de semiconductor de potencia

    (04/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , cuya cara superior está poblada con por lo menos un componente del semiconductor de potencia y un alojamiento en forma de bandeja , en el que el borde de la bandeja del alojamiento está diseñado para que sea escalonado con un borde exterior elevado periférico y un borde interior bajo con respecto al borde exterior , bordes los cuales están conectados uno con el otro por medio de una superficie escalonada , en el que el sustrato con su zona del borde de su cara superior adyacente a su borde exterior se asienta contra el alojamiento...

  5. 5.-

    INSTALACIÓN EN CONTACTO CON PRESIÓN CON UN MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (06/2011)

    Una instalación en contacto de presión con un módulo de semiconductor de potencia con una placa base, o para el montaje directo sobre un cuerpo de refrigeración, que consiste en un alojamiento , por lo menos un sustrato eléctricamente aislante , que por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una multiplicidad de vías de conexión metálicas aisladas entre sí colocadas en su primera superficie principal, componentes del semiconductor de potencia colocados sobre la misma y conectados con estas vías de conexión de una manera apropiada para el circuito, así como terminales de conexión configurados por lo menos parcialmente de una...

  6. 6.-

    DISPOSIÓN DE CIRCUITOS CON CONEXIÓN BONDEADA

    (11/2010)

    Disposición de circuitos con un sustrato que presenta circuitos impresos , por lo menos un primer componente semiconductor de potencia y una conexión bondeada asignada, presentando el primer componente semiconductor de potencia una primera superficie de contacto de carga y una segunda superficie de contacto de carga de la misma polaridad, caracterizada porque la conexión bondeada presenta un número impar N de hilos de bondeo , porque la primera mitad de los N-1 hilos de bondeo alcanza desde un primer circuito impreso del sustrato la primera superficie de contacto de carga , porque la segunda mitad de los N-1 hilos...

  7. 7.-

    CONTENEDOR DE EMPAQUETADO QUE CONTIENE UN MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (06/2010)

    Un contenedor de empaquetado con por lo menos un módulo de semiconductor de potencia con por lo menos un elemento de contacto o por lo menos un sustrato, que consiste por lo menos en un cuerpo conformado en el que el cuerpo conformado tiene una pared y también una superficie de cubierta preferiblemente completamente cerrada en el que tanto está dispuesto un borde de soporte en cada una de por lo menos dos secciones opuestas de la pared , como está dispuesta una superficie de soporte en cada una de por lo menos tres ubicaciones...

  8. 8.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON RESORTES DE CONTACTO

    (05/2010)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento y un sustrato dispuesto en el interior del alojamiento con por lo menos una pista conductora metálica y por lo menos un elemento de conexión que conduce hacia fuera desde la pista conductora o una superficie de contacto de un componente de semiconductor de potencia dispuesto en una pista conductora, en el que por lo menos un elemento de conexión está construido como un resorte de contacto con un primer dispositivo de contacto para el contacto con una pista conductora del sustrato o una superficie de contacto del componente...

  9. 9.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (10/2009)

    Módulo semiconductor de potencia, dotado de un cuerpo envolvente en el que están dispuestos elementos de conexión de carga que tienen dispositivos de contacto dispuestos en cavidades del cuerpo envolvente , cuyas cavidades están constituidas en una pared lateral asociada del cuerpo envolvente , poseyendo además un tapa que cierra el cuerpo envolvente , caracterizado porque el cuerpo envolvente está realizado de forma integral por su parte superior con un marco de estanqueidad periférico y la tapa...

  10. 10.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (08/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG. Clasificación: H01L23/48, H01L25/07.

    Un módulo de semiconductor de potencia que comprende un alojamiento y por lo menos un elemento de la tarjeta del módulo equipado con componentes del semiconductor , el cual está en contacto con presión con elementos de conexión de la carga , en el que los elementos de conexión de la carga comprenden secciones de tira dispuestas una encima de la otra y aisladas eléctricamente unas con respecto a las otras y patas de contacto las cuales se prolongan desde estas secciones en la misma dirección, dichas patas de contacto extendiéndose a través de ranuras formadas en un cuerpo conformado de material aislante y estando en contacto con presión con el por lo menos un elemento de la tarjeta del módulo y en el que la sección de la tira del elemento de conexión de la carga adyacente al cuerpo conformado de material aislante está separada del cuerpo conformado de material aislante por medio de elementos separadores.

  11. 11.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON RESORTES DE CONTACTO

    (08/2009)

    Un módulo de semiconductor de potencia que comprende un sustrato , trayectorias conductoras dispuestas en una superficie principal de este sustrato , por lo menos un componente del semiconductor dispuesto con su primera superficie principal sobre una primera trayectoria conductora, elementos de conexión configurados como resortes de contacto que sobresalen de la trayectoria conductora o un área de contacto en la segunda superficie principal del componente del semiconductor , en el que estos resortes de contacto comprenden una primera y una segunda sección de contacto y en el que el respectivo resorte de contacto está configurado como...

  12. 12.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTOS DE CONEXION AISLADOS ELECTRICAMENTE ENTRE SI

    (05/2009)

    Módulo semiconductor de potencia , para su colocación sobre un componente refrigerante , con al menos un sustrato , al menos dos componentes semiconductores de potencia , una carcasa y elementos de conexión de carga y de control que conducen hacia el exterior, presentando el sustrato un cuerpo de material aislante y con vías conductoras con potencial de carga dispuestas sobre la primera superficie principal de aquél orientada hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, estando los elementos de conexión de carga realizados en cada caso como cuerpos moldeados de metal con dispositivos de contacto externos , una sección en banda y unos dispositivos de contacto internos que parten de dicha sección, extendiéndose los dispositivos...

  13. 13.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON MECANISMO DE CONTACTO

    (03/2009)

    Módulo semiconductor de potencia con por lo menos un material de base , dispuesto sobre éste por lo menos un componente semiconductor de potencia , una caja y un elemento de conexión de carga que conduce hacia afuera , de modo que el material de base presenta un cuerpo de material aislante y sobre su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia hay dispuestos circuitos impresos con potencial de carga, de forma que los elementos de conexión de carga están formados como un primer cuerpo moldeado de metal con por lo menos un mecanismo de contacto con la superficie de contacto para la unión eléctrica externa con un dispositivo de conexión de una entrada de...

  14. 14.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTO CONDUCTOR

    (05/2008)

    Módulo semiconductor de potencia asistente como mínimo de una caja envolvente , unos elementos de conexión de carga que conducen hacia el exterior, una cantidad de substratos o secciones de substrato configuradas de forma similar eléctricamente aislantes dispuestas dentro de la caja envolvente , para lo cual estas consisten en un elemento de material aislante y sobre la primera superficie principal colindante con la parte interior del módulo semiconductor de potencia encuentran una cantidad de bandas de unión (52 a/b/c/) metálicas aisladas entre si, de distinta polaridad, sobre estas bandas de unión se disponen en cada substrato o sección de substrato como mínimo un componente semiconductor de potencia con elementos de unión...