9 inventos, patentes y modelos de KANAI, MASAHIRO

  1. 1.-

    APARATO MEDICO DE SUMINISTRO DE FLUIDOS.

    (03/2005)
    Ver ilustración. Solicitante/s: AUBEX CORPORATION. Clasificación: A61M5/168, A61M5/14.

    LA INVENCION SE REFIERE A UN APARATO PARA EL SUMINISTRO DE UN FLUIDO ADECUADO PARA SU ALMACENAMIENTO Y TRANSPORTE Y QUE TIENE SUPERIORES CARACTERISTICAS DURANTE SU USO, EN EL CUAL LA VELOCIDAD DEL FLUJO PUEDE CAMBIARSE FACILMENTE EN UNA ETAPA MULTIPLE. SE PRESENTA UN APARATO PARA EL SUMINISTRO DE UN FLUIDO PARA ADMINISTRAR UN FLUIDO MEDICO RECIBIDO DENTRO DE UNA PELICULA ELASTICA DE CAUCHO A TRAVES DE UN TUBO DE SUMINISTRO DE FLUIDO , EN DONDE EL TUBO ESTA FORMADO DE UNA SERIE DE ELEMENTOS DE TUBO (31 A 33) QUE TIENEN TRAYECTORIAS DE FLUJO DIFERENTES, MUTUAMENTE PARALELAS (31A A 34A) CONFORMADAS EN UNA LONGITUD PREDETERMINADA, LA PARTE EXTERIOR DE LOS TUBOS ESTA RECUBIERTA. SE SUMINISTRA UN DISPOSITIVO DE CONMUTACION DE LA VELOCIDAD DEL FLUJO PARA HACER CIRCULACION SELECTIVAMENTE EL FLUIDO MEDICO ALMACENADO EN LA PELICULA ELASTICA DE CAUCHO AL INTERIOR DE LA SERIE DE TRAYECTORIAS DE FLUJO (31A A 34A).

  2. 2.-

    DISPOSITIVO DE CONTROL DE FLUJO.

    (08/2004)

    Un dispositivo de control de flujo que comprende: un cuerpo ; una pluralidad de tubos elásticos de control de flujo dispuestos en el interior del cuerpo; un miembro de deslizamiento que puede deslizar respecto al cuerpo; y un mecanismo de válvula para apretar selectivamente y cerrar los tubos de control de flujo según una posición de deslizamiento del miembro de deslizamiento, caracterizado porque: el mecanismo de válvula incluye un saliente lateral estacionario dispuesto en el cuerpo para alojar los tubos de control de flujo respectivos, una pluralidad de piezas de presión dispuestas en el cuerpo de manera correspondiente al tubo de...

  3. 3.-

    APARATO DE SUMINISTRO DE FLUIDO.

    (03/2004)

    Se proporciona un dispositivo de administración de fluido con una película elástica de caucho con fluido contenido en la misma, un tubo aguas arriba , una estación intermedia dispuesta en el extremo distal del tubo aguas arriba y un tubo aguas abajo conectado con la estación intermedia . El tubo aguas arriba tiene dos líneas de flujo (31A y 32A) formadas con una longitud predeterminada que se extienden en dirección longitudinal. La estación intermedia tiene una cubierta , teniendo la cubierta una salida...

  4. 4.-

    APARATO PARA SUMINISTRAR FLUIDO.

    (02/2000)

    SE PRESENTA UN APARATO PARA SUMINISTRAR FLUIDOS QUE ES ADECUADO PARA MANTENER Y LLEVAR, Y QUE PUEDE INTRODUCIR UN FLUIDO ADICIONAL, MIENTRAS QUE CONTINUA SUMINISTRANDO FLUIDO, Y ESTA DISEÑADO DE FORMA MAS BARATA CON UN PEQUEÑO NUMERO DE PIEZAS, MEJORANDO LA DURABILIDAD Y EL MANEJO. UNA PELICULA ELASTICA EN ESTADO DE GOMA SE DISPONE DENTRO DE UNA CARCASA DE PROTECCION . UN ORIFICIO DE FLUIDO PARA EL FLUJO DE ENTRADA QUE INTRODUCE FLUIDO EN EL INTERIOR DE LA PELICULA ELASTICA EN ESTADO DE GOMA , UN ORIFICIO DE FLUIDO DE FLUJO DE SALIDA A TRAVES DEL CUAL EL FLUIDO DESDE EL INTERIOR DE LA PELICULA ELASTICA...

  5. 5.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO CON UNA CAPA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE MATERIAL CRISTALINO NO SIMPLE, QUE TIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN CANTIDAD DE 1-40 % EN ATOMOS.

    (07/1996)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/363, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.

  6. 6.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.

    (05/1996)

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO...

  7. 7.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN SE, TE H EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I QUE TIENE MATERIAL DE SI (H, F) DE CRISTAL NO SIMPLE.

    (08/1995)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).

  8. 8.-

    ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE CON CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P O N, QUE TIENE MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE, QUE CONTIENE ZN, SE, H EN CANTIDAD DE 1 A 4 % EN ATOMOS Y UN DOPANTE, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, QUE TIENE UN MATERIAL DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F).

    (08/1995)
    Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Clasificación: H01L31/18, H01L31/02, H01L31/06, H01L21/365.

    UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).

  9. 9.-

    PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL QUE CONTIENE ATOMOS DE LOS GRUPOS 3 Y 5 COMO ATOMOS PRINCIPALES CONSTITUYENTES MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSITACION QUIMICO DE VAPOR DE PLASMA MEDIANTE MICROONDAS.

    (11/1993)

    SE PRESENTA UN PROCESO PARA LA FORMACION DE UNA PELICULA DEPOSITADA FUNCIONAL CONTENIENDO ATOMOS QUE PERTENECEN A LOS GRUPOS TERCERO Y QUINTO DE LA TABLA PERIODICA COMO ATOMOS PRINCIPALES DE CONSTITUCION MEDIANTE LA INTRODUCCION, DENTRO DE UN ESPACIO DE FORMACION DE LA PELICULA DISPUESTO PARA FORMAR UNA PELICULA DEPOSITADA SOBRE UN SUBSTRATO DISPUESTO EN EL, UN COMPUESTO Y UN COMPUESTO REPRESENTADOS RESPECTIVAMENTE POR LAS FORMULAS GENERALES Y COMO MATERIAL EN BRUTO PARA LA FORMACION DE LA PELICULA Y, SI SE NECESITA, UN COMPUESTO QUE CONTIENE UN ELEMENTO CAPAZ DE CONTROLAR LOS ELECTRONES DE VALENCIA PARA LA PELICULA DEPOSITADA COMO ELEMENTO CONSTITUYENTE...