15 inventos, patentes y modelos de GUDESEN, HANS, GUDE

  1. 1.-

    DISPOSITIVO DE MEMORIA NO VOLATIL.

    (06/2007)

    Un dispositivo de memoria no volátil que comprende un material de memoria dieléctrico polarizable eléctricamente con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de presentar una histéresis y una remanencia, en el que el material de memoria comprende uno o más polímeros, en el que el material de memoria está previsto en contacto con una primera serie y una segunda serie de respectivos electrodos (WL;BL) para operaciones de escritura, lectura y borrado, en el que una célula de memoria con una estructura a modo de condensador está definida en el material de memoria y puede ser accedida directa o indirectamente...

  2. 2.-

    LECTURA NO DESTRUCTIVA.

    (03/2007)

    Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en...

  3. 3.-

    CAPAS DE MEMORIA PLEGADAS.

    (04/2006)

    Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret, en el cual se proporciona en sándwich un material de memoria ferroeléctrica o electret entre capas de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas de palabras y las líneas de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en...

  4. 4.-

    APARATO PARA EL ALMACENAMIENTO VOLUMETRICO DE DATOS QUE COMPRENDE UNA SERIE DE DISPOSITIVO DE MEMORIA APILADOS DIRECCIONABLES EN FORMA DE MATRIZ.

    (03/2006)
    Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L23/48, G11C5/02, H01L27/01.

    Aparato para el almacenamiento volumétrico de datos que comprende una serie de dispositivos de memoria apilados (M) direccionables, por matriz, en el que cada.

  5. 5.-

    CELDA DE MEMORIA.

    (02/2006)
    Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L51/20, H01L23/532, H01L51/30.

    Una celda de memoria que comprende un material polimérico de memoria con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de ser polarizado y de mostrar histéresis, en la que el material polimérico de memoria se proporciona en contacto con los electrodos primero y segundo , caracterizada porque el. material polimérico de memoria es una mezcla de al menos un primer y un segundo material polimérico (2a; 2b), siendo dicho primer material polimérico un material polimérico ferroeléctrico o de electreto, y porque cada electrodo es un electrodo multicapa compuesto que comprende una primera capa (3a; 4a) de material altamente conductor y una segunda capa (3b; 4b) de polímero conductor, formando el polímero conductor una capa de contacto entre el material altamente conductor (3a; 4a) y el material de memoria.

  6. 6.-

    ELECTRODOS, PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA.

    (11/2005)
    Solicitante/s: THIN FILM ELCTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L21/8239.

    Un medio (EM) de electrodos que comprende una primera y una segunda capas (L1, L2) de electrodos de película delgada con electrodos (s) en la forma de conductores eléctricos en forma de banda en cada capa, en el que los electrodos (s) de la segunda capa (L2) de electrodos están orientados longitudinalmente básicamente de forma ortogonal con respecto a los electrodos (e) de la primera capa (L1), en el que al menos una de las capas (L1, L2) de electrodos se dispone sobre una superficie aislante de un substrato o plano de apoyo (7, 7’) y en el que las capas (L1, L2) de electrodos están dispuestas en planos separados paralelos que están en contacto con una capa globalmente dispuesta de un medio funcional.

  7. 7.-

    CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA O ELECTRET.

    (09/2005)

    Un circuito de memoria ferroeléctrica o electret (C), en concreto, un circuito de memoria ferroeléctrica o electret con una resistencia a la fatiga mejorada, que comprende una celda de memoria con un material de memoria ferroeléctrica o electret , que presenta histéresis y es capaz de ser polarizado a un estado de polarización positivo o negativo con un determinado valor de polarización, en el que el material de memoria ferroeléctrica o electret es un material polimérico u oligomérico, o mezclas o materiales compuestos que comprenden materiales de este tipo, y con el primer y segundo electrodo (1a...

  8. 8.-

    APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.

    (08/2005)

    Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material...

  9. 9.-

    PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR OPERACIONES DE ESCRITURA Y LECTURA EN UNA MEMORIA MATRICIAL PASIVA Y APARATO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.

    (08/2005)

    Un procedimiento para efectuar operaciones de escritura y lectura en un conjunto de celdas de memoria de direccionamiento matricial que comprenden un material eléctricamente polarizable que presenta remanencia de polarización, en particular un material electreto o ferroeléctrico, en el cual un valor lógico almacenado en una celda de memoria está representado por un estado real de polarización de la celda de memoria y se determina detectando un flujo de carga hacia o desde dicha celda de memoria en respuesta a la aplicación de unas tensiones sobre las líneas de palabras y las líneas...

  10. 10.-

    DIRECCIONAMIENTO DE UNA MATRIZ DE MEMORIA.

    (06/2005)

    Método para el control de una pantalla o dispositivo de memoria direccionable por matriz pasiva, de células que comprenden un material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, en particular un material ferroeléctrico, en el que el estado de polarización de células individuales, seleccionables separadamente, se puede cambiar al estado deseado por aplicación de potenciales eléctricos o voltajes eléctricos a líneas de palabras y de bits que forman una matriz de direccionado, y en el que el método comprende...

  11. 11.-

    DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.

    (02/2005)

    En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico se forma en la intersección entre un electrodo x y un electrodo y de la matriz de electrodos. El elemento lógico se direcciona aplicando a los electrodos un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del...

  12. 12.-

    DISPOSITIVO PASIVO DIRECCIONABLE ELECTRICAMENTE, METODO PARA EL DIRECCIONAMIENTO ELECTRICO DEL MISMO, UTILIZACION DEL DISPOSITIVO Y DEL METODO.

    (12/2003)

    La invención se refiere a un dispositivo pasivo eléctricamente direccionable que permite registrar, almacenar y/o tratar datos. Este dispositivo está constituido por un soporte funcional que presenta una forma continua o con motivos (S) que puede experimentar un cambio de estado físico o químico. El soporte funcional comprende células individualmente direccionables que representan un valor registrado o detectado o a las que se afecta un valor lógico predeterminado para la célula. La célula se coloca entre el ánodo y el cátodo en un órgano de electrodos (E) que está en contacto con e soporte funcional en la célula y conlleva un acoplamiento eléctrico, presentando el...

  13. 13.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.

  14. 14.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.

  15. 15.-

    SISTEMA PARA EL PROCESO LOCAL/ACCESO Y REPRESENTACION DE GRANDES VOLUMENES DE DATOS.

    (09/1998)

    UN SISTEMA PARA PROCESAMIENTO/ACCESO Y REPRESENTACION DE GRANDES VOLUMENES DE DATOS COMPRENDE UNA O MAS INTERFASES DE ENTRADA QUE BAJO EL CONTROL DE UN CENTRO DE CONTROL DE TRAFICO INTERNO PUEDE CONECTARSE A UN CENTRO DE CONTROL EXTERNO PARA EL TRASPASO DE AQUELLOS DATOS QUE TIENEN QUE PROCESARSE/ACCEDERSE. EL TRASPASO DE DATOS PUEDE REALIZARSE EN UNA RED DE TELECOMUNICACIONES CON ALTA CAPACIDAD DE TRASPASO O POR MEDIO DE UN MEDIO DE ALMACENAMIENTO SUSTITUIBLE. LOS DATOS QUE TIENEN QUE SER PROCESADOS/ACCEDIDOS PUEDEN EXISTIR EN FORMA CODIFICADA O COMPRIMIDA. EN EL ULTIMO CASO UN DECODIFICADOR PROVISTO EN EL SISTEMA DECODIFICARA LOS DATOS Y LOS PASARA POR PANTALLA O REPRODUCIRA EN UNA PANTALLA ADECUADA...