6 inventos, patentes y modelos de GODIGNON, PHILIPPE

  1. 1.-

    MICRO-SONDA NEURONAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE LA MISMA

    (07/2015)

    Procedimiento de fabricación de al menos una micro-sonda neuronal flexible, biocompatible e implantable, que comprende las etapas de: proporcionar una capa de un sustrato rígido; proporcionar una capa de un polímero soluble sobre dicha capa de sustrato rígido; proporcionar una capa de un primer polímero; grabar en dicha capa de primer polímero al menos una abertura; proporcionar una capa de un material conductor bidimensional sobre dicha capa de primer polímero; grabar en dicha capa de material conductor bidimensional al menos un microelectrodo provisto de al menos un área de contacto; proporcionar un ensamblaje de acabado sobre dicho ensamblaje de microelectrodo; y disolver dicho polímero soluble en una solución....

  2. 2.-

    MICRO-SONDA NEURONAL Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE LA MISMA

    (06/2015)
    Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC). Clasificación: B81C1/00, A61N1/05, B81C3/00, A61B5/0478, B81B7/02.

    Procedimiento de fabricación de al menos una micro-sonda neuronal flexible, biocompatible e implantable, que comprender las etapas de: proporcionar una capa de un sustrato rígido ; proporcionar una capa de un polímero soluble sobre dicha capa de sustrato rígido; proporcionar una capa de un primer polímero ; grabar en dicha capa de primer polímero al menos una abertura ; proporcionar una capa de un material conductor bidimensional sobre dicha capa de primer polímero; grabar en dicha capa de material conductor bidimensional al menos un microelectrodo provisto de al menos un área de contacto; proporcionar un ensamblaje de acabado sobre microelectrodo; y disolver dicho polímero soluble en una solución . El microelectrodo resultante queda intercalado entre dos capas de material polimérico , una de las cuales comprende una abertura para acceder a dicha área de contacto.

  3. 3.-

    MÉTODO DE FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS RB-IGBT

    (01/2013)

    Método de fabricación de dispositivos RB-IGBT. Se presenta un método de fabricación de dispositivos IGBT, con capacidad de bloqueo en inversa. Para ello, se ha utilizado la técnica de aislamiento por trinchera donde el proceso de impurificación de la misma se ha realizado utilizando una fuente sólida con obleas de boro, resultando en un abaratamiento tanto en material de partida como en una reducción del tiempo de proceso.

  4. 4.-

    INTERRUPTOR DE POTENCIA BIDIRECCIONAL, INTELIGENTE Y MODULAR. METODO Y REALIZACION

    (02/2010)

    Interruptor de potencia bidireccional, inteligente y modular. Método y realización. La presente invención constituye un método de fabricación de un interruptor modular e inteligente, bidireccional en corriente y tensión eléctrica con aplicación principal en las fuentes de potencia. Las características más destacables de este nuevo dispositivo es que integra las distintas etapas de potencia, control y protección de los circuitos para garantizar la bidireccionalidad en tensión y en corriente, junto con los circuitos y algoritmos de control necesarios para...

  5. 5.-

    SISTEMA SENSOR EN CARBURO DE SILICIO (SIC) SEMIAISLANTE, PROCEDIMIENTO DE ELABORACION Y SUS APLICACIONES

    (06/2008)
    Ver ilustración. Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIG. CIENTIFICAS. Clasificación: G01N33/487B, G06F19/00M, G06F19/00A2, G01N33/50, G01N33/48, G01N33/483, A61B5/00.

    Sistema sensor en carburo de silicio (SIC) semiaislante, procedimiento de elaboración y sus aplicaciones.#La presente invención se refiere a dispositivos realizados con tecnologías microelectrónicas sobre un sustrato de carburo de Si semi-aislante para la monitorización del comportamiento biológico de órganos, tejidos, células o moléculas orgánicas. Igualmente se refiere a su proceso de fabricación.

  6. 6.-

    COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE Y PROCEDIMIENTO DE REALIZACION.

    (02/2000)
    Solicitante/s: FERRAZ SOCIETE ANONYME CENTRO NACIONAL DE MICROELECTRONICA - CSIC. Clasificación: H01L29/87.

    COMPONENTE LIMITADOR DE CORRIENTE CONSTITUIDO POR UNA BARRE DE SILICIO DOPADO EN CUATRO CAPAS . LAS CARACTERISTICAS DE DOPAJE Y LAS CARACTERISTICAS DIMENSIONALES DE ESTE COMPONENTE ESTAN AJUSTADAS PARA OBTENER UNA CARACTERISTICA I (V) QUE PRESENTA UNA PARTE (C1) EN FORMA DE CARACTERISTICA DE DIODO EN DIRECTO, SEGUIDO POR UNA PARTE (C2) QUE CONSTITUYE UN COJINETE DE LIMITACION DE CORRIENTE.