8 inventos, patentes y modelos de GOBL,CHRISTIAN

  1. 1.-

    Dispositivo y procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión

    (01/2015)

    Dispositivo para un procedimiento temporizado de unión por sinterización a presión de componentes de forma de pastillas electrónicas con trazas conductoras de un respectivo sustrato , que consta al menos de un dispositivo de prensado , una cinta transportadora y un dispositivo para cubrir el sustrato con una película protectora , en el que el dispositivo de prensado es adecuado para el funcionamiento temporizado y presenta un macho de prensado y una mesa de prensado calentable , y en el que los componentes de forma de pastillas...

  2. 2.-

    Montaje en contacto con presión con un módulo de semiconductor de potencia

    (05/2012)

    Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso , un módulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeración , en la que la tarjeta de circuito impreso tiene un cuerpo de material aislante y vías de conducción instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plástico aislante en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta que tiene orificios , un sustrato que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento con por lo menos una vía de conducción y por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con...

  3. 3.-

    MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN

    (01/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con por lo menos un sustrato , pistas conductoras dispuestas sobre el mismo a la manera de un circuito base, elementos del semiconductor de potencia dispuestos en las pistas conductoras , por lo menos un laminado de hojas que consta de por lo menos dos capas de hojas metálicas con una capa de hoja eléctricamente aislante emparedada entre cada dos capas, en el que el laminado de hojas comprende botones de contacto y taladros pasantes metalizados , por lo menos una de las capas de hoja metálica está estructurada a la manera de un circuito base y este laminado de hojas se conecta permanentemente a los elementos del semiconductor de potencia por medio de soldadura por ultrasonidos,...

  4. 4.-

    INSTALACIÓN EN CONTACTO CON PRESIÓN CON UN MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (06/2011)

    Una instalación en contacto de presión con un módulo de semiconductor de potencia con una placa base, o para el montaje directo sobre un cuerpo de refrigeración, que consiste en un alojamiento , por lo menos un sustrato eléctricamente aislante , que por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una multiplicidad de vías de conexión metálicas aisladas entre sí colocadas en su primera superficie principal, componentes del semiconductor de potencia colocados sobre la misma y conectados con estas vías de conexión de una manera apropiada para el circuito, así como terminales de conexión configurados por lo menos parcialmente de una...

  5. 5.-

    MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (05/2011)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , una película compuesta y por lo menos un elemento de semiconductor de potencia entre el sustrato y la película compuesta , el cual tiene una capa de metal del circuito lógico estructurado y una capa de metal del circuito de potencia estructurado que es gruesa en comparación con la primera y entre éstas una película delgada de plástico eléctricamente aislante , en el que la película compuesta está diseñada con salientes de contacto con el propósito de hacer contacto con el por lo menos un elemento de semiconductor y están...

  6. 6.-

    DISPOSICION DE CIRCUITO CON DISPOSITIVO DE CONEXION Y EL CORRESPONDIENTE PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    (11/2009)
    Ver ilustración. Solicitante/s: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG. Clasificación: H01L21/60.

    Disposición de circuito con un sustrato , pistas conductoras (22 a/b) dispuestas sobre una superficie principal de este sustrato , por lo menos un módulo de semiconductor dispuesto con su primera superficie principal sobre una primera pista conductora (22a), un dispositivo de conexión eléctricamente conductora conectado a por lo menos una superficie de contacto de la segunda superficie principal del módulo de semiconductor , en el que la conexión del módulo de semiconductor al dispositivo de conexión está construida como una conexión sinterizada a presión y en el que un material aislante está dispuesto entre el dispositivo de conexión y un borde asignado del módulo de semiconductor , en el proceso, el dispositivo de conexión está construido como una lámina metálica o como un compuesto de láminas fabricado a partir de por lo menos una lámina metálica y una aislante.

  7. 7.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (03/2009)

    Módulo semiconductor de potencia para su colocación en un componente de refrigeración , con por lo menos un sustrato , por lo menos dos elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b), una carcasa y elementos de conexión de carga y de control que conducen al exterior, presentando el sustrato un cuerpo aislante y presentando, en su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, por lo menos una única pista de conexión de carga con potencial de tensión alterna y por lo menos una pista conductora (56 a/b) con potencial de control, presentando los elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b) una primera superficie principal con una primera superficie...

  8. 8.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO ELECTRICO DE UN SUSTRATO PARA UN MODULO DE POTENCIA

    (12/2008)

    Procedimiento para el aislamiento eléctrico interior de un sustrato para un módulo semiconductor de potencia con una envolvente aislante a modo de bastidor con tapa y con un sustrato aislante que comprende, como mínimo, un circuito impreso y, como mínimo, un componente semiconductor de potencia dispuesto sobre el mismo que está conectado de forma adaptada al circuito, preferentemente, mediante conexiones de unión a elementos de conexión , otros circuitos impresos y/o elementos semiconductores de potencia , caracterizado por los siguientes pasos substanciales: - Formación del sustrato con, como mínimo, un elemento semiconductor de potencia y las conexiones...