18 inventos, patentes y modelos de FUKUMITSU,KENSHI

  1. 1.-

    Método de corte de un sustrato con una formación a lo largo de una línea de puntos modificados por superposición en el interior del sustrato

    (02/2015)

    Un método de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar el sustrato con una luz (L) láser, caracterizado por que la luz (L) láser tiene una luz láser pulsada que tiene un ancho de pulso no mayor que 1 μs en un punto (P) de convergencia dentro del sustrato , de manera que el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada se coloca dentro del sustrato y una potencia pico de la luz (L) láser en el punto (P) de convergencia no es menor que 1 X 108 (W/cm2); y además caracterizado por las etapas siguientes: mover relativamente el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada con respecto al sustrato a lo largo de una línea a lo largo de la que el sustrato está destinado a cortarse de manera secuencial para formar, en los puntos (P) convergentes respectivos de la luz láser pulsada, una pluralidad de puntos modificados, donde al menos una de la magnitud de la velocidad de movimiento del punto (P) de convergencia de la luz (L) láser pulsada con respecto al sustrato y de la magnitud de la frecuencia de repetición de la luz (L) láser pulsada se controla de manera que cada punto modificado se superpone a los dos puntos modificados adyacentes formados a lo largo de la línea a lo largo de la que el sustrato está destinado a cortarse, con el fin de hacer que una región continua modificada funcione como un punto de partida para cortar el sustrato por la pluralidad de los puntos modificados solo dentro del sustrato sin fundir una superficie incidente de luz láser pulsada del sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la que el sustrato está destinado a cortarse; donde además el punto modificado es un punto de fractura y la región modificada es una región de fractura cuando el sustrato es un sustrato de vidrio o un sustrato de material piezoeléctrico, o el punto modificado es un punto procesado fundido y la región modificada es una región procesada fundida cuando el sustrato es un sustrato de material semiconductor, o el punto modificado es un punto de cambio de índice de refracción y la región modificada es una región de cambio de índice de refracción provocada por un cambio estructural permanente, tal como el cambio de valencia iónica, la cristalización o la orientación de polarización cuando el sustrato es un sustrato de vidrio y el ancho de pulso de la luz (L) láser es 1 ns o menos, donde además el punto de partida formado en el sustrato se forma solo por la irradiación láser que converge dentro del sustrato , y se genera una fractura a partir de la región modificada que funciona como el punto de partida para cortar y aumentar desde el punto de partida y la fractura alcanza a una superficie anterior y posterior del sustrato de manera que el sustrato puede cortarse, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la que el sustrato está destinado a cortarse.

  2. 2.-

    Procedimiento de corte de un sustrato con localización de región modificada con láser cerca de una de las superficies del sustrato

    (01/2015)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato , de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato y una potencia de pico de la luz láser (L) en el punto de convergencia (P) no es más pequeña que 1 X 10 108 (w / cm2) para formar una pluralidad de puntos modificados en el interior del sustrato para formar una región modificada que funciona como un punto de partida para cortar el sustrato , formándose los puntos modificados a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el sustrato haciendo que converja la luz láser por impulsos (L) en unas posiciones más cerca de una superficie de incidencia de luz láser del sustrato que una posición central en un espesor del sustrato ; donde el punto modificado es un punto de fisura y la región modificada es una región de fisura cuando el sustrato es un sustrato de vidrio o un sustrato de material piezoeléctrico, o el punto modificado es un punto procesado fundido y la región modificada es una región procesada fundida cuando el sustrato es un sustrato de material semiconductor, o el punto modificado es un punto de cambio de índice de refracción y la región modificada es una región de cambio de índice de refracción que está causada por un cambio estructural permanente tal como un cambio de valencia iónica, cristalización u orientación de polarización cuando el sustrato es un sustrato de vidrio y la anchura de impulsos de la luz láser (L) es de 1 ns o menos, causar una fisura que se desarrolla de forma natural a partir de la región modificada sobre la superficie de incidencia de luz láser del sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el sustrato ; y después de que se cause, aplicar una fuerza al sustrato para hacer que la fisura se desarrolle adicionalmente para cortar el sustrato .

  3. 3.-

    Un método de corte de un objeto a lo largo de dos direcciones diferentes usando adicionalmente una hoja elástica para dividir el objeto

    (12/2014)

    Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie de incidencia del láser del objeto por una distancia predeterminada, y adicionalmente en el que la primera zona modificada se forma mediante el movimiento del punto de convergencia de luz a lo largo de cada una de las primeras líneas a lo largo de las que se pretende sea cortado el objeto en el eje X, extendiéndose las primeras líneas en una primera dirección de modo que pase a través de los espacios entre las secciones del circuito ; irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una segunda zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de la superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la segunda zona modificada está separada de la superficie de incidencia del láser del objeto en una distancia predeterminada, y adicionalmente en el que la segunda zona modificada se forma mediante el movimiento del punto de convergencia de luz a lo largo de cada una de las segundas líneas a lo largo de las que el objeto similar a oblea se pretende sea cortado en el eje Y, extendiéndose las segundas líneas en una segunda dirección que cruza con la primera dirección y pasa a través de los espacios entre las secciones del circuito ; y la división del objeto a lo largo de la primera y segunda líneas que usan la primera y segunda zonas modificadas como puntos de inicio para el corte del objeto en una pluralidad de chips mediante la aplicación de tensiones al objeto a través de una lámina que tenga características elásticas fijada a la superficie posterior del objeto .

  4. 4.-

    Procedimiento de procesamiento de un objeto con formación de tres regiones modificadas como punto de partida para cortar el objeto

    (11/2014)

    Un procedimiento de procesamiento láser de un objeto que va a cortarse, comprendiendo el procedimiento: irradiar el objeto con una luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) ubicado en el interior del objeto para formar una región modificada en el interior del objeto a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto ; caracterizado adicionalmente por las etapas de: cambiar la posición del punto de convergencia de luz (P) del láser (L) en una dirección de incidencia de la luz láser (L) que irradia el objeto con respecto al objeto , para formar una pluralidad de las regiones modificadas que se alinean entre sí a lo largo de la dirección de incidencia de la luz láser (L) con el fin de formar de manera sucesiva, o aleatoria, la pluralidad de las regiones modificadas a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto , y con el fin de aumentar el número de ubicaciones que van a volverse puntos de partida cuando se corta el objeto , donde las regiones modificadas se encuentran en una posición deseable en el interior del objeto con referencia a la superficie de entrada de láser del objeto ; y después de la formación de la pluralidad de regiones modificadas , cortar el objeto a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto .

  5. 5.-

    Chip semiconductor cortado

    (10/2014)

    Un chip semiconductor obtenido a partir de una plaqueta semiconductora, en el que el sustrato semiconductor tiene una estructura mono-cristalina de silicio, en el que el chip semiconductor tiene una superficie de corte formada haciendo que se produzca una fractura cuando se corta la plaqueta semiconductora, caracterizado porque la superficie de corte comprende al menos una región procesada fundida y al menos una pequeña cavidad formadas por un haz láser a lo largo de una dirección del grosor del chip semiconductor en una parte de la superficie de corte, en el que la al menos una región procesada fundida comprende una pluralidad de regiones procesadas fundidas formadas a lo largo de una dirección perpendicular a la dirección del grosor, y la al menos una pequeña cavidad comprende una pluralidad de pequeñas cavidades formadas a lo largo de la dirección perpendicular a la dirección del grosor, en el que cada una de las pequeñas cavidades están separadas por una distancia predeterminada a lo largo de la superficie de corte, en el que la región procesada fundida y la pequeña cavidad están separadas entre sí por una distancia predeterminada, en el que la región procesada fundida tiene una estructura poli-cristalina de silicio y la pequeña cavidad tiene una estructura mono-cristalina de silicio.

  6. 6.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (06/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de una porcion periferica de la lamina hacia fuera de modo que el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas son cortados a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada .

  7. 7.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada caracterizado por el hecho de que la lamina es expandida tirando de porciones perifericas de la lamina hacia fuera; y la expansi6n de la lamina inicia unas fracturas en una direccion del espesor desde la parte quo esta destinada a ser cortada y las fracturas alcanzan una cara delantera y cara trasera del sustrato semiconductor .

  8. 8.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende cortar el objeto, en el que una película expansible es pegada a la cara trasera del objeto por medio de una capa de resina curable por radiación UV dispuesta sobre una película expansible, caracterizado por expandir la película expandible con el fin de cortar el objeto en una pluralidad de partes desde la región de inicio de corte que actúa como un punto de inicio y separar la pluralidad de partes del objeto entre sí tirando de unas partes periféricas de la película expansible hacia fuera.

  9. 9.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (01/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor a lolargo de la parte que esta destinada a ser cortada, caracterizado por expandir la lamina despues de la etapa de cortar el sustrato semiconductor , con el fin de cortar la capa de resinade pegado de plaquetas a lo largo de una secciOn de corte del sustrato semiconductor .

  10. 10.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de inicio de corte dentro del sustrato semiconductor dentro de la superficie de entrada de la luz láser a una distancia predeterminada a lo largo de la línea de corte; pegar un elemento de sujeción expansible a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina de pegado de plaquetas después de formar la región de inicio de corte; expandir el elemento de sujeción después de pegar el miembro de sujeción, con el fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la línea de corte , caracterizado por el hecho de que el elemento de sujeción expansible comprende una película expansible , una capa de resina curable por radiación UV provista sobre la película expansible y una capa de resina de pegado de plaquetas provista sobre la capa de resina curable por radiación UV ; el sustrato semiconductor es pegado a la capa de resina de pegado de plaquetas; y la capa de resina de pegado de plaquetas se divide para ser cortada a lo largo de la región de inicio de corte.

  11. 11.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y ubicarun punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, para dividir el sustrato semiconductor en chipssemiconductores, teniendo cada uno de ellos un dispositivo funcional en el mismo; en el que se forma una parte que está destinada a ser cortada mediante la formación de una región procesadafundida , y en el que en la formación de la parte que está destinada a ser cortada , la luz láser es emitida conel fin de que discurra entre una pluralidad de dispositivos funcionales dispuestos como una matriz en la caradelantera , con lo que la parte que está destinada a ser cortada es formada como una cuadrícula que discurredirectamente por debajo de entre los dispositivos funcionales vecinos; después de la división del sustrato semiconductor, cortar la capa de resina de pegado de plaquetas a lolargo de una superficie de corte del chip semiconductor mediante la expansión de la lámina; y después de cortar la capa de resina de pegado de plaquetas , irradiar la lámina adhesiva con rayos UV desde el lado de la cara trasera, con lo que una capa de resina curablepor radiación UV es curada, reduciendo la fuerza adhesiva entre la capa de resina curable por radiación UV y la capa de resina de pegado de plaquetas , en el que irradiar la lámina adhesiva puede realizarse tambiénantes de iniciar la expansión de la lámina adhesiva ; recoger el chip semiconductor de la lámina mientras el chip semiconductor recogido tiene la capa de resinade pegado de plaquetas en una superficie trasera del chip semiconductor recogido.

  12. 12.-

    Procedimiento de mecanizado por haz de láser

    (04/2012)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio que va a cortarse por procesamiento láser que comprende: irradiar el sustrato que va a cortarse con un haz de láser, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende cortar el sustrato , caracterizado por que la etapa de irradiación comprende irradiar el sustrato que va a cortarse con un láser pulsado (L) con un punto de convergencia de luz (P) que se encuentra en el interior del sustrato en una condición con una densidad de potencia máxima de al menos 1 x 108 W/cm2 en el punto de convergencia de luz (P) y una anchura de impulsos de 1 μs o menos, con el fin de generar una región de fisuración en la que se genera una fisura en el interior del sustrato en la que el sustrato es el sustrato de vidrio o el sustrato de material piezoeléctrico, una región procesada fundida en la que el sustrato es un sustrato de material semiconductor, o una región de cambio de índice de refracción producida por un cambio estructural permanente tal como un cambio de orientación de polarización, cristalización o valencia iónica en el que el sustrato es un sustrato de vidrio y la anchura de impulsos es 1 ns o menos, sin dar lugar a ninguna región fundida sobre la superficie de incidencia de luz láser pulsada del objeto sustrato , y; mover relativamente la luz láser pulsada (L) con respecto al sustrato a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato se pretende cortar , para formar una pluralidad de puntos modificados , cada uno de los cuales se forma en respuesta a un impulso de la luz láser pulsada (L), en una región en el interior del objeto sustrato y separada de la superficie (de incidencia) de entrada de luz láser pulsada del objeto sustrato una distancia predeterminada para formar una región modificada que consiste en la pluralidad de los puntos modificados y que funciona como al menos un punto inicial para cortar el objeto sustrato del mismo, para dar lugar a una fractura generada a partir de la región modificada para crecer en una dirección de la dirección del espesor del sustrato para cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual el sustrato se pretende cortar .

  13. 13.-

    Método para dividir un sustrato

    (03/2012)

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se divide el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato .

  14. 14.-

    Dispositivos de procesamiento con láser

    (03/2012)

    Aparato de procesamiento con láser para irradiar un objeto a procesar en forma de oblea con luz láser (L1) mientras se sitúa un punto de convergencia de la luz (P) en el interior del objeto para así formar una zona modificada , comprendiendo el aparato: un expansor de haz para aumentar el tamaño de haz de la luz láser emitida desde una fuente de luz láser ; una lente condensadora para converger la luz láser que incide sobre la misma por medio del expansor de haz hacia el objeto; y caracterizado por: un elemento de sujeción de la lente que sujeta la lente condensadora y que incluye un primer orificio de transmisión de luz para hacer que la luz láser incida sobre la lente condensadora; en el cual un elemento de diafragma , que tiene un segundo orificio de transmisión de luz para reducir y transmitir la luz láser, se dispone en una trayectoria óptica de la luz láser (L1) que conecta el expansor de haz y el primer orificio de transmisión de luz entre sí y está dispuesto para quedar separado del elemento de sujeción de la lente , de manera que se evita que el calor se transmita del elemento de diafragma al elemento de sujeción de la lente , en el que la luz láser (L1) emitida desde el expansor de haz es luz paralela, el segundo orificio de transmisión de luz tiene un diámetro no mayor que el del primer orificio de transmisión de luz , y en el que el primer orificio de transmisión de luz actúa de pupila de entrada de la luz láser (L1) a la lente condensadora y la zona modificada se forma por absorción multifotónica en el interior del objeto que se produce bajo un estado en el que la densidad de potencia máxima de la luz láser es de 1 x 108 W/cm2 o mayor.

  15. 15.-

    MÉTODO DE PROCESAMIENTO POR LÁSER

    (08/2011)

    Un método de procesamiento por láser que comprende la etapa irradiar un objeto que tiene que procesarse que comprende un sustrato y una parte laminada dispuesta en una cara delantera del sustrato con luz de láser (L), mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato , para formar una región modificada sólo dentro del sustrato , y hacer que la región modificada forme una región del punto de partida, ubicada dentro del sustrato a una distancia predeterminada desde la cara incidente de luz de láser del objeto , para cortar el objeto; cortar el sustrato y la parte laminada a lo largo de la línea a lo largo de la que se tiene que cortar el objeto cuando una fractura generada en una dirección del espesor del sustrato desde la región del punto de partida alcance una cara delantera y una cara trasera del objeto

  16. 16.-

    PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR

    (06/2011)

    Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un punto convergente de luz dentro del substrato semiconductor con una cara posterior del substrato semiconductor actuando como cara incidente de luz láser tras la etapa de unir la película protectora , para formar una zona modificada , y provocar que la zona modificada forme una zona de inicio del corte en la línea a lo largo de la cual ha de cortarse el substrato semiconductor en el interior una distancia predeterminada desde la cara incidente de luz láser; unir un elemento de sujeción expansible a la cara posterior del substrato semiconductor por medio de una capa de resina de fijación del chip después de formar la zona de inicio del corte ; cortar el substrato semiconductor y la capa de resina de fijación del chip desde las zonas de inicio del corte a lo largo de cada una de las líneas de la malla expandiendo el elemento de sujeción después de unir el elemento de sujeción , para obtener una pluralidad de chips semiconductores presentando cada uno una cara anterior formada por el dispositivo funcional y presentando una pieza cortada de la capa de resina de fijación del chip en contacto directo con una cara posterior de la misma; y montar el chip semiconductor sobre un soporte del chip de un marco de conexión por medio de la pieza cortada de la capa de resina de fijación del chip en contacto directo con su cara posterior para obtener el dispositivo semiconductor

  17. 17.-

    MÉTODO DE CORTE DE UN OBJETO PROCESADO

    (04/2011)

    Un método de corte de un objeto a procesar, comprendiendo el método: una etapa de formación de la región de punto de partida de corte de irradiación de un objeto con forma de oblea a procesar con luz láser (L) mientras se sitúa un punto de convergencia de luz (P) en su interior, a fin de formar una región modificada debido a absorción multifotónica únicamente dentro del objeto , de manera que la luz láser apenas se absorba por una cara terminal del objeto y la otra cara terminal en el lado opuesto del mismo para evitar que la una cara terminal del objeto y la otra cara terminal del objeto se fundan tras la irradiación con luz láser (L) y provoquen que la región modificada forme una región de punto de partida de corte, desviada desde una posición central del objeto en una dirección de espesor de la misma hacia una cara terminal del objeto , a lo largo de una línea a lo largo de la que el objeto debería cortarse; y una etapa de presión en la que se presiona el objeto desde el otro lado de la cara terminal del objeto

  18. 18.-

    METODO PARA DIVIDIR UN SUSTRATO

    (11/2007)
    Ver ilustración. Solicitante/s: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Clasificación: B23K26/00, B23K26/40, B23K26/06, H01L21/324, H01L21/78, H01L21/26, H01L21/30, H01L21/301, H01L21/42, H01L21/46, H01L21/477.

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato hecho de un material semiconductor con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región procesada por fusión dentro del sustrato , y causa que la región procesada por fusión forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato, en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; adelgazar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se divide el sustrato a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato.