UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

MODIFICACIONES EN SEMICONDUCTORES QUE INCLUYEN REGIONES DE MATERIAL ALTAMENTE DOPADO.

CONSISTENTE EN QUE: EL SUMIDERO Y LA REGION, ESTAN PARCIALMENTE RODEADOS POR UNA ZONA DE UN MATERIAL ALTAMENTE DOPADO, DE CONDUCTIVIDAD PB QUE PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA DEL SUMIDERO A LA ZONA DICHA; EL SUMIDERO COMPRENDE MATERIAL PC; LA REGION COMPRENDE MATERIAL NB; SE INCLUYE UN THYRISTOR QUE COMPRENDE UN TRANSISTOR PNP (T1) Y UN TRANSISTOR NPN (T2) INTERCONECTADOS ENTRE DOS TERMINALES (S1, S2) QUE CONSTITUYEN LOS EMISORES RESPECTIVOS DE LOS TRANSISTORES; LA UNION BASE-EMISOR DEL TRANSISTOR (T2) TIENE COLOCADO EN PARALELO UN DISPOSITIVO DE DESCONEXION (PM). SE UTILIZA PARA DESCONECTAR O DESVIAR UNA CORRIENTE DE VALOR ELEVADO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: STANDARD ELECTRICA, S.A..

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Fecha de Solicitud: 3 de Mayo de 1985.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 1 de Abril de 1986.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L29/743

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