UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
MODIFICACIONES EN SEMICONDUCTORES QUE INCLUYEN REGIONES DE MATERIAL ALTAMENTE DOPADO.
CONSISTENTE EN QUE: EL SUMIDERO Y LA REGION, ESTAN PARCIALMENTE RODEADOS POR UNA ZONA DE UN MATERIAL ALTAMENTE DOPADO, DE CONDUCTIVIDAD PB QUE PERMITE QUE LA CORRIENTE FLUYA DEL SUMIDERO A LA ZONA DICHA; EL SUMIDERO COMPRENDE MATERIAL PC; LA REGION COMPRENDE MATERIAL NB; SE INCLUYE UN THYRISTOR QUE COMPRENDE UN TRANSISTOR PNP (T1) Y UN TRANSISTOR NPN (T2) INTERCONECTADOS ENTRE DOS TERMINALES (S1, S2) QUE CONSTITUYEN LOS EMISORES RESPECTIVOS DE LOS TRANSISTORES; LA UNION BASE-EMISOR DEL TRANSISTOR (T2) TIENE COLOCADO EN PARALELO UN DISPOSITIVO DE DESCONEXION (PM). SE UTILIZA PARA DESCONECTAR O DESVIAR UNA CORRIENTE DE VALOR ELEVADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: STANDARD ELECTRICA, S.A..
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: MADRID.
Fecha de Solicitud: 3 de Mayo de 1985.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 1 de Abril de 1986.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/743