TRANSISTOR DE ALTA FRECUENCIA BIPOLAR.

LA INVENCION SE REFIERE A UN TRANSISTOR HF CON UN CHIP (1) SEMICONDUCTOR DOTADO Y ESTRUCTURADO DE FORMA ADECUADA QUE MUESTRA LOS CONTACTADOS

(2,3,4) DE BASE, COLECTOR Y EMISOR. ESTANDO DOTADO EL CHIP DE UN SUBSTRATO SI, QUE ESTA RODEADO POR UNA CAJA (8) Y CUYO CONTACTADO ESTA UNIDO CON LAS RESPECTIVAS CONEXIONES (6,7,5) DE BASE, COLECTOR Y EMISOR DE LA CAJA. SE DEBE CONSEGUIR UNA ALTA AMPLIFICACION EN FRECUENCIAS POR ENCIMA DE 1 GHZ. EL CONTACTADO (2,3,4) DE BASE, COLECTOR Y EMISOR ESTA PREVISTO EN LA CARA SUPERIOR DEL CHIP (1) SEMICONDUCTOR. EL CHIP (1) SEMICONDUCTOR ESTA DISPUESTO CON SU CARA INFERIOR SOBRE LA CONEXION (5) EMISORA DE LA CAJA (8), QUE ESTA CONFIGURADA COMO MASA HF. EL CONTACTO (4) EMISOR ESTA UNIDO A DISTANCIA CORTA A LA CONEXION (5) EMISOR DE LA CAJA (8) Y LOS CONTACTOS (2,3) DE BASE Y COLECTOR ESTAN UNIDOS DE FORMA RESPECTIVA A TRAVES AL MENOS DE UN ALAMBRE (9) DE ENLACE CON LAS CORRESPONDIENTES CONEXIONES (6,7) DE BASE Y COLECTOR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.

Inventor/es: BRENNDORFER, KNUT, DIPL.-ING., HUBER, JAKOB, DIPL.-PHYS.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 11 de Marzo de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/66 (Adaptaciones para la alta frecuencia)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/047 (siendo las otras conexiones paralelas a la base)
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