SISTEMA PARA CARBURIZACION DE SILICIO.

Resumen: Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas de Si, de SOI, de Si delgado, de Si sobre cuarzo (SIQ), de Si sobre vidrio (SIG) y otros productos de Si crecido epitaxialmente en superficies.
El sistema queda integrado por tres partes principales, el reactor de carburización, el sistema de bombeo y el de distribución de gases. El diseño del sistema permite su construcción a un coste notablemente inferior al de los construidos hasta ahora para el mismo fin. El proceso de carburización se lleva a cabo a temperaturas máximas comprendidas entre 1100ºC y 1300ºC haciendo pasar un flujo de una mezcla gaseosa de un hidrocarburo e hidrógeno sobre el sustrato de Si a carburizar, calentado por un horno. El sistema utiliza argón, nitrógeno y vacío, para los ciclos de purga o limpieza.

Solicitante: UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET

Nacionalidad: ES

Provincia: CÁDIZ

Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL. MORALES SANCHEZ,FRANCISCO M.. MOLINA RUBIO,SERGIO IGNACIO

Fecha de Solicitud: 15/06/2000

Fecha de Publicación de la Concesión: 01/11/2005

Fecha de Concesión: 10/10/2005

Clasificación Principal: H01L21/205, C23C16/36, H01L21/20, C30B25/02