PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SUPERVISAR IN SITU PROCEDIMIETOS DE DEPOSICION Y GRABADO POR PLASMA USANDO UNA FUENTE DE LUZ DE BANDA ANCHA PULSADA.

Resumen: Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea, comprendiendo el monitor de proceso: una lámpara (35) de destellos que emite radiación óptica de banda ancha; un módulo (70) de formación de haces operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos sobre el oblea (74) y para enfocar la radiación óptica reflejada por el oblea; un espectrógrafo (40) que responde a la radiación óptica reflejada por el oblea; y un elemento (50) de procesado de datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación óptica reflejada por el oblea cuando la lámpara de destellos está emitiendo radiación óptica de banda ancha, la segunda señal representativa de radiación óptica reflejada por el oblea durante un período cuando la lámpara de destellos no está emitiendo radiación óptica de banda ancha, y para determinar un parámetro de proceso restando la segunda señal de la primera señal.

Solicitante: LAM RESEARCH CORPORATION

Nacionalidad: US

Inventor/es: PERRY, ANDREW. MUNDT, RANDALL, S

Fecha de Publicación de la Concesión: 16/04/2006

Fecha Solicitud PCT: 27/09/2000

Fecha Concesión Europea: 23/11/2005

Clasificación Principal: G01B11/06, H01L21/66

Países PCT: AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LI, LU, NL, SE, MC, PT, IE, SI, FI, RO, CY, EPO, LT, LV, MK, AL, AM, AZ, BY, GH, GM, KE, KG, KZ, LS, MD, MW, MZ, RU, SD, SL, TJ, TM, TZ, UG, ZW, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG, ARIPO, SZ, GW, OAPI, EAPO