PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
METODO DE FABRICAR DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. COMPRENDE: A) CONFINAR EL PLASMA EN UNA REGION QUE SE EXTIENDE LATERALMENTE DESDE LA PERIFERIA DEL SUSTRATO EN UNA DISTANCIA INFERIOR AL 20% DEL DIAMETRO EFICAZ DEL SUSTRATO,
MEDIANTE SEPARACION CON UN MATERIAL DIELECTRICO EN LA PROXIMIDAD DEL SUSTRATO; B) MORDENTAR EN UN REACTOR UN PRIMER MATERIAL DE SUSTRATO POR CONTACTO CON ENTIDADES DE CLORO DE UN PLASMA DE GAS; Y C) TRATAR UN SEGUNDO MATERIAL DE SUSTRATO CON EL PLASMA DE GAS, PARA FORMAR EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. EL PRIMER MATERIAL ES OXIDO DE SILICIO; EL SEGUNDO MATERIAL ES SILICIO; Y EL REACTOR TIENE UN CATODO HEXAGONAL PARA PRODUCIR PLASMA. TIENE APLICACIONES EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, N.YORK 10022 U.S.A..
Fecha de Solicitud: 17 de Diciembre de 1985.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 12 de Marzo de 1987.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/306 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
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