Inventos patentados en España.

Inventos patentados en España.

Inventos patentados en España en los últimos 80 años. Clasificación Internacional de Patentes CIP 2013.

PROCEDIMIENTO DE ELABORACIÓN POR PROYECCIÓN TÉRMICA DE UNA DIANA A BASE DE SILICIO Y DE CIRCONIO.

Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen:

Composición de un compuesto que comprende los componentes definidos a continuación y expresados en porcentaje en masa

, el cual permite la elaboración de una diana por un procedimiento de elaboración por proyección térmica, especialmente por vía plasma, caracterizada porque está constituida esencialmente por: - Al : 2 a 20% - Si : 25 a 45% - ZrSi2 : 45 a 70%.

Solicitante: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 18, AVENUE D'ALSACE 92400 COURBEVOIE FRANCIA.

Inventor/es: NADAUD, NICOLAS, BILLIERES,DOMINIQUE,1,LOTISSEMENT DU MOULIN.

Fecha de Publicación de la Concesión: 3 de Enero de 2011.

Fecha Solicitud PCT: 3 de Febrero de 2006.

Fecha Concesión Europea: 4 de Agosto de 2010.

Clasificación Internacional de Patentes: H01J37/34 (..que funcionan por pulverización catódica (37/36 tiene prioridad) [3]), C23C14/34B2.

Clasificación PCT: C23C14/34 (..Pulverización catódica [4]), C23C14/06 (.caracterizado por el material de revestimiento (14/04 tiene prioridad) [4]).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia.

Acceder al texto completo de la patente.

PROCEDIMIENTO DE ELABORACIÓN POR PROYECCIÓN TÉRMICA DE UNA DIANA A BASE DE SILICIO Y DE CIRCONIO.
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