Inventos patentados en España.

Inventos patentados en España.

Inventos patentados en España en los últimos 80 años. Clasificación Internacional de Patentes CIP 2013.

MÉTODO Y APARATO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Patente Europea. Resumen:

Método de fabricación de un dispositivo semiconductor mediante la formación de una película delgada de un sustrato

(10), que comprende las etapas de: (a-i) lavar el sustrato (10) con un líquido de lavado, mediante la utilización de un cepillo; (a-ii) enjuagar el sustrato (10) lavado con cepillo; y (a-iii) lavar el sustrato enjuagado utilizando ondas ultrasónicas; (b) extraer del sustrato (10) el líquido lavado, en una sección (2) de extracción de solución, soplando aire comprimido al sustrato lavado; y (c) transferir inmediatamente el sustrato (10) desde la sección (2) de extracción de la solución, a una sección (3) de formación de película, sin llevar a cabo otra etapa, en la que se forma una película delgada sobre el sustrato.

Solicitante: KANEKA CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-4, NAKANOSHIMA 3-CHOME KITA-KU OSAKA-SHI, OSAKA 530-8288 JAPON.

Inventor/es: HAYASHI, KATSUHIKO, KONDO, MASATAKA, KURIBE,EIJI.

Fecha de Publicación de la Concesión: 3 de Enero de 2011.

Fecha Solicitud PCT: 16 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 4 de Agosto de 2010.

Clasificación PCT: H01L21/00 (Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos 31/00 a 49/00, o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C 23 C, C 30 B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G 03 F) [2]), H01L31/18 (.Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (no especiales para estos dispositivos 21/00) [2]).

Clasificación antigua: H01L21/00 (Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas (procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dispositivos cubiertos por los grupos 31/00 a 49/00, o de sus partes constitutivas, ver estos grupos; procedimientos de una sola etapa cubiertos por otras subclases, ver las subclases apropiadas, p. ej. C 23 C, C 30 B; producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparatos especialmente adaptados a este efecto, en general G 03 F) [2]), H01L31/18 (.Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (no especiales para estos dispositivos 21/00) [2]).

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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MÉTODO Y APARATO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.




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