MÉTODO Y APARATO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Método de fabricación de un dispositivo semiconductor mediante la formación de una película delgada de un sustrato

(10), que comprende las etapas de: (a-i) lavar el sustrato (10) con un líquido de lavado, mediante la utilización de un cepillo; (a-ii) enjuagar el sustrato (10) lavado con cepillo; y (a-iii) lavar el sustrato enjuagado utilizando ondas ultrasónicas; (b) extraer del sustrato (10) el líquido lavado, en una sección (2) de extracción de solución, soplando aire comprimido al sustrato lavado; y (c) transferir inmediatamente el sustrato (10) desde la sección (2) de extracción de la solución, a una sección (3) de formación de película, sin llevar a cabo otra etapa, en la que se forma una película delgada sobre el sustrato

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E00105316.

Solicitante: KANEKA CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-4, NAKANOSHIMA 3-CHOME KITA-KU OSAKA-SHI, OSAKA 530-8288 JAPON.

Inventor/es: HAYASHI, KATSUHIKO, KONDO, MASATAKA, KURIBE,EIJI.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 16 de Marzo de 2000.

Fecha Concesión Europea: 4 de Agosto de 2010.

Clasificación PCT:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L21/00 (Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)

Clasificación antigua:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > H01L21/00 (Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación... > H01L31/18 (Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.

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MÉTODO Y APARATO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

Descripción:

La presente invención se refiere a un método y un aparato para fabricar un dispositivo semiconductor realizado formando una película delgada sobre un sustrato, tal como un módulo fotovoltaico de película delgada.

Para fabricar un módulo fotovoltaico de película delgada, por ejemplo, se forma una película delgada tal como una película de semiconductor o una película metálica sobre un sustrato fabricado de vidrio, y con un electrodo transparente formado en el mismo.

Cuando la película delgada es formada sobre el sustrato, pueden unirse partículas al sustrato. Si esto ocurre, se desarrollarán defectos. Por lo tanto, usualmente se lava el sustrato antes de que se forme la película sobre el sustrato, para eliminar las partículas.

Cuando se deja reposar el sustrato y por tanto éste se seca, el líquido de lavado unido al sustrato puede formar una marca de agua (mancha). Por lo tanto, el sustrato se seca de manera forzada después del lavado.

Para secar el sustrato lavado, se utiliza un horno de limpieza con un método convencional. El horno de limpieza está diseñado de manera que se introduce aire limpio al interior. En el horno de limpieza, el aire es calentado mediante un calentador y puesto en circulación.

Por lo tanto, si el sustrato lavado se coloca en el horno de limpieza, puede secarse con aire calentado que circula en el horno de limpieza.

Tal como se ha indicado anteriormente, el horno de limpieza está diseñado para secar el sustrato mientras se hace circular el aire calentado, estando limpio el horno y, por lo tanto, el aire contiene gradualmente partículas que permanecen en el horno de limpieza, incluso si el aire estaba limpio cuando fue introducido en el horno de limpieza.

El documento EP 0 408 216 se refiere a un proceso para fabricar dispositivos de circuitos integrados semiconductores, en el que el proceso seco y el proceso húmedo se llevan a cabo de forma continua para la fabricación de las obleas, y las obleas son transferidas entre los procesos en condiciones de vacío o en un gas de purga, sin permitir que entren en contacto con el aire libre, para evitar efectos adversos que serían provocados por el aire libre. Una unidad de lavado lleva a cabo un lavado por centrifugadora, y una unidad de secado lleva a cabo un secado por centrifugado.

El documento US 5 762 749 se refiere a un aparato para eliminar un líquido de tratamiento de las superficies principales de un sustrato que ha sido sometido a un tratamiento húmedo de superficie, e incluye un dispositivo de transporte para transportar el sustrato, un primer dispositivo de chorro de gases que tiene una primera abertura de chorro para lanzar un chorro de gas a una primera superficie superior, principal, del sustrato transportado por el dispositivo de transporte, y una cámara de extracción de líquido para impedir que el líquido de tratamiento extraído de las superficies principales de sustrato se disperse al medio ambiente, teniendo la cámara de extracción de líquido una entrada de sustrato y una salida de sustrato.

Por lo tanto, es fácil que las partículas se acoplen al sustrato secado en el horno de limpieza. Por consiguiente, es probable que se desarrollen defectos en la película delgada formada en el sustrato.

Un objetivo de la presente invención es proporcionar un método y un aparato para fabricar un dispositivo semiconductor, caracterizado porque el sustrato lavado está sin contaminación mientras está siendo secado.

El objetivo de la invención se describe en las reivindicaciones 1 y 7.

En el método, el sustrato es secado con aire limpio, soplando aire comprimido al sustrato. Puede impedirse la contaminación del sustrato en el proceso de secado.

Este resumen de la invención, no necesariamente describe todas las características necesarias, de manera que la invención puede ser asimismo una combinación secundaria de estas características descritas.

La invención puede comprenderse mejor a partir de la siguiente descripción detallada, tomada junto con los dibujos anexos, en los cuales:

la figura 1 es una vista que muestra un aparato para fabricar un dispositivo

semiconductor, de acuerdo con una primera realización de la presente

invención;

la figura 2 es una vista esquemática que muestra la sección de lavado del

aparato; la figura 3 es una vista en planta, esquemática, de la sección de extracción de líquido el aparato; la figura 4 es una vista lateral de la sección de extracción de líquido; la figura 5 es una vista esquemática de la sección de formación de película, del aparato; la figura 6 es una vista en sección transversal del sustrato, con una película delgada sometida a grabado; la figura 7 es una vista lateral esquemática, de una unidad de lavado acorde con una segunda realización de la invención; la figura 8 es una vista aumentada de la parte A de la figura 7; la figura 9 es una vista esquemática en perspectiva, del mecanismo soplador de aire de la unidad de lavado; la figura 10 es una vista esquemática, en perspectiva, de un mecanismo soplador de aire acorde con una tercera realización de la invención, la figura 11 es una vista en planta de una sección de extracción de líquido, de acuerdo con una cuarta realización de la presente invención; y la figura 12 es una vista lateral de la sección de extracción de líquido. Las realizaciones de la presente invención se describirán haciendo referencia

a los dibujos anexos.

La figura 1 muestra un aparato de fabricación de un dispositivo semiconductor, que es la primera realización de la invención. El aparato tiene una sección de lavado 1, una sección de extracción de líquido 2, y una sección 3 de formación de películas.

La sección de lavado 1 está diseñada para lavar un sustrato de vidrio 10 que tiene una película conductora transparente formada sobre el mismo y utilizada como una película de electrodo, tal como se muestra en las figuras 2, 3 y 4. El sustrato 10 es un componente de un dispositivo semiconductor, más en concreto un módulo fotovoltaico de tipo película delgada. El sustrato es lavado en la sección 1 de lavado, y secado en la sección 2 de extracción de líquido. A continuación, se forma una película delgada, como es una película de semiconductor o una película metálica, sobre aquella superficie del sustrato sobre la que se proporciona una película de electrodo (en lo que sigue, denominada "superficie superior"), en la sección 3 de formación de la película.

Tal como se muestra en las figuras 2 y 3, se proporciona un mecanismo de transferencia 5 en la sección de lavado y en la sección 2 de extracción de líquido. El mecanismo de transferencia 5 comprende una serie de rodillos de transferencia 4. El mecanismo de transferencia 5 transfiere el sustrato desde la sección de lavado 1, a la sección 2 de extracción de líquido.

Tal como se muestra en la figura 2, la sección de lavado 1 comprende una sección 6 de lavado a cepillo, una sección de enjuague 7 y una sección de lavado ultrasónico 8. Las secciones 6, 7 y 8 están dispuestas en la dirección de transferencia del sustrato 10.

La sección 6 de lavado a cepillo tiene un par de cepillos 9 de lavado y un cuerpo inyector 11. Los cepillos 9 están en contacto respectivamente con las superficies superior e inferior del sustrato 10, que va a ser transferido por el rodillo 4 de transferencia. El cuerpo inyector 11 suministra líquido de lavado tal como detergente o agua pura, a una posición donde los cepillos de lavado 9 contactan con el sustrato 10. La superficie superior del sustrato 10 es lavada a cepillo con el líquido de lavado.

El cuerpo inyector 11 es un tubo 11a de longitud mayor que la anchura del sustrato 10. El tubo 11a tiene una serie de agujeros de inyección 11b dispuestos a intervalos predeterminados.

En esta realización, el líquido de lavado es suministrado por el cuerpo inyector 11 solamente a ambas superficies superior e inferior del sustrato 10 sobre las que va a formarse la película delgada. Sin embargo, el cuerpo de inyector 11 podría estar situado solamente por encima del sustrato 10, para lavar sólo la superficie superior.

La sección de enjuague 7 tiene un recipiente de enjuague 12. El recipiente de enjuague 12 tiene un orificio de carga 13 y un orificio de descarga 14, estando el orificio de carga 13 realizado en la pared lateral situada corriente arriba respecto del trayecto de transferencia del sustrato 10. El orificio de descarga 14 está realizado en la pared lateral opuesta, situada corriente abajo del trayecto de transferencia. El orificio de carga 13 y el orificio de descarga 14 están formados casi al mismo nivel

que el sustrato 10 a transferir por el rodillo de transferencia 4.

En el interior del recipiente de enjuague 12, el rodillo de transferencia 4 que constituye el mecanismo de transferencia 5 está dispuesto al mismo nivel de rodillo de transferencia 4 dispuesto en el exterior. El mecanismo 5 puede transferir el sustrato 10 a través del orificio de carga 13 al recipiente de enjuague 12, y desde el recipiente 12 a través del orificio descarga 11, tal como se muestra mediante flechas en las figuras 1 y 2.

Mediante el inyector de suministro (no mostrado), se suministra líquido de enjuague tal como agua pura, al recipiente de enjuague 12. El líquido de enjuague fluye fuera del recipiente de enjuague 12, a través del orificio de carga 13 y el orificio de descarga 14. El líquido de enjuague es suministrado al recipiente de enjuague 12, a una velocidad igual o ligeramente mayor que la velocidad a la que el líquido sale a través del orificio de carga 13 y el orificio de descarga 14.

Con este mecanismo, la superficie del líquido de enjuague en el recipiente de enjuague 12 puede mantenerse a un nivel superior al sustrato 10. De este modo, el sustrato 10 es transferido en el líquido de enjuague. Por lo tanto, la superficie superior del sustrato 10 que pasa a través del recipiente de enjuague 12 es enjuagada sin fallos con el líquido de enjuague. Además, las partículas extraídas del sustrato 10 mediante el tratamiento de enjuague, rara vez se quedan en el recipiente de enjuague

12. Esto se debe a que se permite siempre al líquido de enjuague fluir saliendo del orificio de carga 13 y el orificio de descarga 14.

En esta realización, se utiliza un solo recipiente de enjuague. Sin embargo, pueden disponerse una serie de recipientes de enjuague en la dirección de transferencia del sustrato 10, para enjuagar de forma más fiable el sustrato 10 lavado con el líquido de lavado.

El sustrato 10 enjuagado en el recipiente 12 es lavado en la sección de lavado ultrasónico 8, que tiene un recipiente de lavado 15. El recipiente de lavado 15 tiene un orificio de carga 16 realizado en la pared lateral situada corriente arriba, en el trayecto de transferencia del sustrato 10. El recipiente 15 tiene un orificio de descarga 17 realizado en la pared lateral opuesta, situada corriente abajo del trayecto de transferencia. Ambos orificios 16 y 17 están sustancialmente al mismo nivel que el sustrato 10 a transferir.

En el interior del recipiente de lavado 15, los rodillos de transferencia 14 están dispuestos del mismo modo que en el recipiente de enjuague 12. En la parte inferior se proporciona un generador ultrasónico 18, para generar una vibración ultrasónica de aproximadamente 20 a 40 kHz. Como líquido de lavado, se suministra agua pura al recipiente de lavado 15. La vibración ultrasónica generada por el generador 18 de ondas sónicas es aplicada al líquido de lavado.

La velocidad de suministro del líquido de lavado es casi igual a, o ligeramente mayor que la velocidad a la que fluye el líquido saliendo a través del orificio de carga 16 y el orificio de descarga 17. Tal como se mencionó anteriormente, la superficie del líquido de lavado en el recipiente de lavado 15 está ligeramente más alta que la superficie superior del sustrato 10 a transferir mediante los rodillos de transferencia 4. Por lo tanto, ambas superficies superior e inferior del sustrato 10 pueden lavarse mediante el líquido de lavado sometido a vibración por la onda ultrasónica.

Además, puesto que parte del líquido de lavado fluye desde el orificio de carga 16 y el orificio descarga 17, las partículas extraídas del sustrato 10 mediante el lavado ultrasónico pueden también fluir fuera.

El sustrato 10 lavado en la sección de lavado ultrasónico 8, es secado en la sección 2 de extracción de líquido, mostrada en las figuras 3 y 4. La sección 2 de extracción de la solución está constituida por un par de cuchillas de aire 21 orientadas hacia las superficies superior e inferior del sustrato a transferir. A través de un tubo 19, se aplica aire comprimido limpiado por un filtro, a la cuchilla de aire

21.

Sobre el tubo 19, están dispuestos un calentador 20 para calentar el aire comprimido y una parte ionizante 23 para ionizar al aire comprimido. Obsérvese que el aire comprimido es ajustado a una presión de unos 5 kg/cm2, mediante una válvula 24 de control de la presión, acoplada al tubo 19. Las cuchillas de aire 21 son más largas que la anchura del sustrato 10. Tal como se muestra en las figuras 3 y 4, cada cuchilla de aire 21 tiene una ranura 22 que se extiende a lo largo de casi toda la longitud de la cuchilla, y se abre en un borde de la misma. Las ranuras 22 de las cuchillas de aire 21 están orientadas hacia la superficie superior o inferior del sustrato 10, respectivamente.

Cada cuchilla de aire 21 está inclinada en un ángulo determinado α, respecto de la dirección de transferencia X del sustrato. El aire comprimido es aplicado a través de la ranura 22 en una dirección Z, inclinada en un ángulo β respecto de la dirección V perpendicular a la dirección de transferencia X, tal como se muestra en la figura 3

El aire comprimido aplicado a cada cuchilla de aire 21 es soplado hacia la superficie superior o inferior del sustrato 10, desde el agujero 22 de la ranura. De ese modo, el líquido de lavado sobre la superficie superior e inferior del sustrato 10 es empujado hacia el borde posterior del sustrato 10, en la dirección de transferencia del sustrato, tal como se indica mediante una flecha Y en la figura 3. Como resultado, el líquido de lavado cae gota a gota y suavemente desde el extremo del sustrato. Por lo tanto, el líquido de lavado es extraído del sustrato 10.

El aire comprimido a aplicar a la cuchilla de aire es calentado por el calentador 20 a una temperatura mayor que la temperatura ambiente, por ejemplo hasta unos 40 a 50 °C. Por consiguiente, el líquido de lavado se extrae del sustrato 10 mediante la fuerza del aire comprimido, y el sustrato 10 se seca con el calor del aire comprimido. Por lo tanto, el sustrato 10 puede secarse sin fallos, eficientemente.

Incluso si el aire comprimido no se calienta, el sustrato puede ser secado hasta un grado predeterminado. Por otra parte, si el aire comprimido es ionizado y aplicado sustrato 10, puede impedirse que el sustrato 10 se cargue eléctricamente durante el proceso de secado. Como resultado, no se generará electricidad estática, ni se unirán partículas al sustrato 10. Por consiguiente, el sustrato 10 no se contamina durante el proceso de secado.

El sustrato 10 secado en la sección 2 de extracción de la solución, es transferido inmediatamente a la sección 3 de formación de la película. Más en concreto, el sustrato 10 es descargado por los rodillos de transferencia 4 y transferido a la sección 3 de formación de la película, mediante un robot (no mostrado). En otras palabras, el sustrato 10, desde el que ha sido extraído el líquido de lavado, es transferido directamente a la sección 3 de formación de la película, sin ser sometido a ningún otro proceso.

El sustrato 10 secado en la sección 2 de extracción de líquido y descargado de ésta, es cargado continuamente en la sección 3 de formación de la película. Por lo tanto, las posibilidades de que las partículas en la atmósfera se unan al sustrato seco 10 son reducidas. El sustrato 10 es transferido al proceso 3 de formación de la película, manteniéndose limpio.

Además, el sustrato 10 se seca con el aire comprimido, no en un horno de limpieza como en el método convencional. Por lo tanto, el proceso de secado puede realizarse inmediatamente después del proceso de lavado.

Por lo tanto, frente al caso en que los sustratos lavados 10 se secan por lotes en un horno de limpieza, puede reducirse el tiempo que transcurre entre el proceso de lavado y el proceso de secado. Por lo tanto, es posible impedir que el líquido de lavado aplicado al sustrato 10 durante el proceso de lavado, se seque parcialmente antes del proceso de secado realizando una marca de agua (mancha) sobre el sustrato

10.

La sección 3 de formación de la película tiene una cámara 25 de formación de la película, tal como se muestra en la figura 5. La cámara 25 de formación de la película se utiliza para formar una película delgada en la superficie superior del sustrato 10, mediante un proceso de plasma (CVD). La cámara 25 de formación de la película tiene un orificio de carga 26 en un lado, y un orificio descarga 27 en el lado opuesto. Dispuestos en la cámara 25 de formación de la película, están una mesa 28 y un electrodo 29 de alta frecuencia. La mesa 28 incorpora un calentador 28a. El electrodo 29 está dispuesto frente a la superficie superior de la mesa 28.

Además, dos tubos de suministro 31 y 32 están conectados a la parte superior de la cámara 25 de formación de la película. El primer tubo de suministro 31 se utiliza para suministrar materia gaseosa. El segundo tubo de suministro 32 está dispuesto para suministrar un gas inerte a la cámara 25 de formación de la película. Un tubo de escape 34 que tiene una bomba de vacío 33 está conectado a la parte inferior de la cámara 25.

En el orificio de carga 26 de la cámara 25 de formación de la película, está dispuesta una cámara 35 de bloqueo de carga. En el orificio descarga 27 de la cámara 25, está dispuesta una cámara 36 de bloqueo de descarga. Las cámaras 35 y 36 tienen orificios de carga 35a y 36a y orificios de descarga 35b y 36b, respectivamente.

Un precalentador 37 y una mesa soporte 38 están dispuestos en la cámara 35 de bloqueo de carga. Un conducto de escape 40 que tiene una bomba de vacío 39 está

conectado al fondo de la cámara 35 de bloqueo de carga.

El orificio descarga 35a de la cámara 35 de bloqueo de carga, y el orificio de carga 26 de la cámara 25 de formación de la película, están conectados de forma estanca al aire mediante un primer cuerpo 41 de conexión. El orificio descarga 27 de la cámara 25 de formación de la película, y el orificio de carga 26 de la cámara 36 de bloqueo de descarga, están conectados de forma estanca al aire por medio de un segundo cuerpo de conexión 42.

Los orificios de carga y los orificios de descarga de las cámaras 25, 35 y 36 están cerrados de forma estanca al aire mediante válvulas 43. Los cuerpos de conexión primero y segundo 41 y 42 incorporan robots de transferencia (no mostrados). Además, se dispone una mesa de montaje 44 en la cámara 36 de bloqueo de descarga. Un conducto de escape 46 que tiene una bomba de vacío 45, está conectado a la parte inferior de la cámara 36.

Cuando el sustrato 10 secado en la sección 2 de extracción de líquido, es situado sobre la mesa soporte 38 en la cámara 35 de bloqueo de carga, el orificio de carga 35a se cierra y la cámara 35 de bloqueo de carga es despresurizada. Simultáneamente, el sustrato 10 es precalentado por el precalentador 37. Durante el precalentamiento, la cámara 38 de bloqueo de carga es despresurizada mediante la bomba de vacío 39.

Cuando el sustrato 10 es precalentado, se cierra el orificio de carga 35a de la cámara 38 de bloqueo de carga, y se abre el orificio descarga 35b. A continuación, el robot dispuesto en el primer cuerpo de conexión 41 entra en la cámara 35 de bloqueo de carga y recibe el sustrato 10 desde la mesa de soporte 38.

Al mismo tiempo, el orificio de descarga 35b de la cámara de bloqueo de carga 35 se cierra forma estanca al aire, mediante la válvula 43. Simultáneamente, se abre el orificio de carga 26 de la cámara 25 de formación de la película. El sustrato 10 es precalentado y situado sobre la mesa 28, en la cámara 25 de formación de la película, mediante el robot dispuesto en el primer cuerpo de conexión 41. A continuación, el robot retrocede. Después, el orificio de carga 26 se cierra, y la cámara de formación de la película es despresurizada mediante la bomba de vacío 33

Cuando la cámara 25 de formación de la película es despresurizada hasta una presión predeterminada, se suministra un gas inerte desde el segundo tubo de suministro 32 a la cámara 25. Simultáneamente, se suministra potencia de alta frecuencia a un electrodo de alta frecuencia 29, activando el gas inerte. El gas activado tiene una función limpiadora. Por lo tanto, el sustrato 10 lavado en la sección de lavado 1 se sigue limpiando con el gas inerte.

Cuando el sustrato 10 ha sido limpiado con el gas inerte durante un periodo predeterminado, se suministra materia gaseosa, en lugar del gas inerte, desde el primer tubo de suministro 31 a la cámara 25 de formación de la película. Se hace reaccionar la materia gaseosa en un plasma generado suministrando potencia de alta frecuencia al electrodo de alta frecuencia 29.

Como resultado, una sustancia sólida generada en la reacción es depositada en la superficie superior del sustrato 10, formando una película delgada sobre la superficie superior del sustrato 10.

El sustrato 10 es lavado en la sección de lavado 1, y a continuación es transferido a la sección 2 de extracción de la solución, en la que el sustrato 10 es secado sin contaminación. A continuación, el sustrato 10 es transferido a la cámara 25 de formación de la película.

Puesto que no se contienen partículas en la película delgada depositada sobre el sustrato 10, es posible impedir que se desarrollen defectos en la película delgada. Como resultado, el dispositivo semiconductor puede fabricarse con un rendimiento elevado.

En el caso de un módulo fotovoltaico con 50 células conectadas en serie, fabricado utilizando un horno de limpieza en un proceso de secado convencional del sustrato 10, son defectuosas 40 células tal como muestran los experimentos. En el caso del módulo fotovoltaico acorde con la presente invención, en el que se ha secado el sustrato con aire comprimido, se desarrollan defectos en solamente 10 células o menos.

Para detectar si una célula tiene defectos o no, se aplica una tensión inversa a la célula. Si las partículas se incorporan a la película durante el proceso de fabricación de la película, provocan un cortocircuito. Si se han desarrollado defectos

o no, puede determinarse en función de si la tensión aplicada cambia o no.

Cuando se ha completado la formación de la película sobre el sustrato 10, se abre el orificio de descarga 27, de la cámara 25 de formación de la película, y se mueve un robot desde el segundo cuerpo de conexión 42 y entra en la cámara 25 de formación de la película, y recibe el sustrato 10. Simultáneamente, se abre el orificio de carga 36a de la cámara de bloqueo de descarga 36.

El robot carga el sustrato 10, sobre el cual se forma la película en la cámara 25 de formación de la película, en la cámara 36 de bloqueo de descarga, y la monta sobre una mesa de montaje 44. A continuación, el robot se retira al segundo cuerpo de conexión 42. Simultáneamente, se cierran el orificio de descarga 27 de la cámara 25 de formación de la película, y el orificio de carga 36a de la cámara 36 de formación de la película.

En esta realización, la cámara 35 de bloqueo de carga y la cámara 36 de bloqueo de descarga están conectadas de forma estanca al aire, por el orificio de carga 26 y en el orificio de descarga 27 de la cámara 25 de formación de la película, respectivamente. En virtud de esta característica estructural, el sustrato 10 puede ser transferido sin degradar significativamente el estado despresurizado de la cámara 25 de formación de la película.

El sustrato 10 montado en la mesa de montaje 44 de la cámara 36 de bloqueo de descarga, es retirado por un robot (no mostrado) situado en el exterior del orificio descarga 43 de la cámara 36. A continuación, el sustrato 10 es sometido al siguiente proceso.

La presente invención no está limitada a la realización mencionada. Por ejemplo, una sola unidad de lavado a cepillo, una sola unidad de enjuague o una sola unidad de lavado ultrasónico, todas utilizadas en la sección de lavado de la realización mencionada pueden, no obstante, ser sustituidas cada una por una serie de unidades.

Una unidad de lavado por inyector para aplicar el líquido de lavado al cual se hace vibrar ultrasónicamente, desde el inyector al sustrato, puede combinarse con las unidades de lavado mencionadas.

En el lado corriente arriba de la cámara de formación de la película, en la sección de formación de la película, está situada una sola cámara de bloqueo de carga, para precalentar el sustrato y mantener el estado de presión reducida de la cámara de formación de la película. Sin embargo, pueden utilizarse una serie de cámaras de bloqueo de carga para llevar a cabo de manera continua una serie de procesos sobre el sustrato, sin periodo de espera, si se mejora la eficiencia en el precalentamiento del sustrato, y si cada uno de los períodos requeridos para la sección de lavado y la sección de extracción de líquido es igual al periodo requerido para la formación de la película, en la sección de formación de la película.

El dispositivo semiconductor de la presente invención, no se limita a un módulo fotovoltaico. Por el contrario, puede ser un panel de visualización de cristal líquido y una oblea de semiconductor. En resumen, la presente invención puede aplicarse a cualquier caso en el que se forme una película delgada sobre el sustrato.

En la sección 3 de formación de la película, mostrada en la figura 1, una película conductora transparente 51, una película semiconductora 52 para su utilización en conversión fotovoltaica, y una película 53 de electrodo de la superficie posterior, están apiladas una sobre otra sobre el sustrato 10, tal como se muestra en la figura 6. Cuando estas películas son apiladas, cada una de las películas es grabada tal como se indica mediante una línea de grabado 54 en la figura. Las líneas de grabado se forman mediante un rayo láser.

Cuando la película delgada es grabada con el rayo láser, se generan partículas de desecho. Las partículas se unen al sustrato 10 y permanecen en éste. Las partículas que permanecen en el sustrato 10, provocan en ocasiones defectos en la película delgada formada sobre éste.

Es necesario lavar el sustrato 10 después de que sea formada y grabada la película conductora transparente 51, después de que sea formada la película semiconductora 52 sobre la película conductora transparente 51 y grabada, y después de que sea formado y grabado el electrodo de la superficie trasera 53.

Las figuras 7 a 9 muestran una segunda realización de la presente invención. Esta realización es una unidad de lavado, para lavar el sustrato 10 después de que la película conductora transparente 51 sea formada sobre el sustrato 10 y grabada, después de que sea formada y grabada la película semiconductora 52 para la conversión fotovoltaica, y sea formada y grabada la película de electrodo 53 de la superficie trasera.

A continuación se explicará la unidad de lavado. La figura 7 es una vista en sección longitudinal vertical, esquemática, de la unidad de lavado para el sustrato 10 para un módulo fotovoltaico. La figura 8 es una vista en sección aumentada, de la parte A de la figura 7. La figura 9 es una vista en perspectiva de un mecanismo soplador de aire.

La unidad de lavado para lavar el sustrato 10 tiene una base 111. Se dispone un recipiente de lavado 112 sobre la base 111. Un orificio de carga 113 para el sustrato 10 está realizado en la pared lateral, en el recipiente de lavado 112. La pared en el otro extremo tiene un orificio de descarga 114. Se dispone un transportador de rodillos 115 como mecanismo de transferencia, tanto dentro como fuera del recipiente de lavado 112, sustancialmente al mismo nivel que el orificio de carga 113 y el orificio de descarga 114. El transportador de rodillos 115 transporta el sustrato 10 horizontalmente. Mientras el sustrato 10 está siendo transportado de este modo, su superficie, sobre la que está formado el electrodo transparente 51, permanece girada hacia arriba.

Los rodillos 115a que constituyen el transportador de rodillos 115, se giran mediante un mecanismo de accionamiento de rotación (no mostrado). Con esta rotación, el sustrato 10 se carga en el recipiente de lavado 112 a través del orificio de carga 113, y se descarga a través del orificio de descarga 114.

Una sección de carga 116 está dispuesta en el orificio de carga 113 del recipiente de lavado 112, para cargar el sustrato 10 sin lavar. Una sección de descarga 117 está dispuesta en el orificio descarga 114, para descargar el sustrato 10 lavado. El transportador de rodillos 115 se extiende desde la sección de carga 116 hasta la sección de descarga 117.

La parte inferior del recipiente de lavado 112 tiene un orificio de suministro 118 de agua pura para suministrar, por ejemplo, agua pura W. El orificio 118 de agua pura está conectado a una fuente de agua pura (no mostrada). Además, un oscilador ultrasónico 119 (salida de 0,2 a 1,0 W/cm2) está dispuesto en la parte interior del fondo del recipiente de lavado 112.

Una serie de cepillos giratorios 120 con inyectores 121 de aire a alta presión, están dispuestos por encima del transportador de rodillos 115. El cepillo de rotación 120 consta de un eje de rotación 120a, al que se hace rotar mediante el mecanismo de accionamiento de rotación (no mostrado), y de cerdas de nailon 120b colocadas en torno al eje de rotación 120a y configuradas en forma de rodillo.

El cepillo giratorio 120 está dispuesto para eliminar partículas como son desechos y rebabas que quedan en el interior de la línea de grabado 54, frotando el sustrato 10 y la línea de grabado 54 con la punta de las cerdas 120b sobre estos. Se aplica aire a presión a la parte frotada y grabada mediante el cepillo de rotación 120, desde el inyector 121 de aire a alta presión, eliminando de ese modo las partículas.

Además, se proporciona una cuchilla de aire 122 en el orificio de descarga 114 del recipiente de lavado 112, para evacuar agua pura W y partículas de la superficie superior e inferior del sustrato 10

Nótese que la pureza del agua presente en la fuente de suministro de agua pura, o en un orificio de salida de una unidad de producción de agua pura, es la siguiente:

Resistividad: 16 a 18 M·cm (25°C)

Número de partículas finas de 0,2 µm o más: 100 a 150/ml.

Número de bacterias viables: 0 a 10/ml.

Material orgánica: 0,5 a 1,0 ppm.

Tal como se muestra en las figuras 8 y 9, se proporciona un mecanismo soplador de aire 123 en la sección de descarga 117 del recipiente de lavado 112, para soplar aire a alta presión a una parte periférica exterior 10a del sustrato 10 a transferir mediante el transportador de rodillos 115.

El mecanismo 123 soplador de aire tiene un cuerpo principal 125 de inyectores. El cuerpo 125 tiene la misma forma de estructura rectangular que la parte periférica exterior 10a del sustrato 10, y tiene un conducto de aire 124 en su interior. La superficie inferior del cuerpo principal 125 de inyectores tiene una serie de agujeros inyectores 126, para rociar aire a alta presión a la parte periférica exterior 10a del sustrato 10.

El mecanismo 123 soplador de aire está dispuesto por encima del sustrato 10 situado en el transportador de rodillos 115. El conducto de aire 124 está conectado a una fuente de aire a alta presión (no mostrada), mediante el tubo 127 de suministro de aire.

Se describirá cómo se lava el sustrato 10 mediante el aparato de lavado mencionado anteriormente. Se suministra agua pura W a través del orificio 118 de suministro de agua pura, al recipiente de lavado 112. Cuando el agua pura W alcanza el nivel del orificio de carga 113 y el orificio de descarga 114, el agua W comienza a fluir saliendo a través del orificio de carga 113 y del orificio de descarga 112. Por lo tanto, el nivel del agua pura W en el recipiente de lavado 112 permanece constante. Cuando se suministra potencia al oscilador ultrasónico 119, se transmite vibración ultrasónica al agua pura W.

Cuando el sustrato 10 se monta sobre el transportador de rodillos 115 de la sección de descarga 116, el sustrato 10 es transferido hacia el orificio de carga 113. Cuando el sustrato 10 es desplazado en el agua pura W del recipiente de lavado 112 mediante el transportador de rodillos 115, partículas como desechos y rebabas son extraídas de la línea de grabado 54 del sustrato 10. Esto se debe a que se hace vibrar de forma ultrasónica el agua pura W. Las partículas eliminadas son descargadas junto con el agua que emana, o precipitadas en el agua pura W. Por lo tanto, no vuelven a unirse partículas al sustrato 10. Por lo tanto, es posible reducir eficazmente la contaminación del recipiente de lavado 111 con partículas.

El sustrato 10 es lavado mientras es transferido. Por lo tanto, se lavan de forma continua una serie de sustratos 10. Además, se puede hacer vibrar de forma uniforme y ultrasónica toda la superficie del sustrato, puesto que el sustrato 10 se mueve sobre el oscilador ultrasónico 119.

El sustrato lavado 10 es descargado desde el orificio de descarga 114 del recipiente de lavado 111, a la sección de descarga 117. El agua pura W y las partículas son extraídos de la superficie superior e inferior del sustrato 10 descargado del orificio de descarga 114, cuando es soplado el aire a alta presión procedente de la cuchilla de aire 122. El sustrato 10 puede ser lavado y secado de forma continua.

Cuando el sustrato 10 lavado es transportado a la sección de descarga 117 mediante el transportador de rodillos 115, se sopla aire a alta presión al sustrato 10 desde los agujeros inyectores de soplado 116, del mecanismo de soplado de aire. El cuerpo principal 125 de inyectores tiene la misma forma de estructura rectangular que la parte periférica exterior del sustrato 10.

Puesto que se sopla fuertemente al aire a alta presión a la periferia 10a del sustrato 10, las gotas de agua pueden ser extraídas de la superficie exterior 10a del sustrato 10, es decir desde los cuatro lados del mismo.

El aire a alta presión puede ser soplado hacia la periferia 10a del sustrato 10, mientras el sustrato 10 está siendo transferido por el transportador de rodillos 115.

Cuando el sustrato 10 está frente al mecanismo 123 soplador de aire, el transportador de rodillos 115 se detiene en una zona B de parada, mostrada en la figura 8. Por lo tanto, puede soplarse intensivamente el aire a alta presión, a la periferia 10a del sustrato 10.

Nótese que el mecanismo soplador de aire 123 (no mostrado) puede ser desplazado durante un tiempo predeterminado, sincronizado con el movimiento del sustrato 10 transferido por el transportador de rodillos 115.

La figura 10 muestra un ejemplo modificado del mecanismo soplador de aire 108, de acuerdo con una tercera realización.

En la sección de descarga 117 del recipiente de lavado 112, están dispuestas poleas 130a, 130b, 130c de la plataforma superior para una primera parte de esquina 129a, una segunda parte de esquina 129b y una tercera parte de esquina 129c, respectivamente. Una correa sin fin 131 de la plataforma superior, está enrollada en torno a estas poleas de la plataforma superior 130a, 130b, 130c.

Las poleas 132a, 132b, 132c de la plataforma inferior están dispuestas respectivamente en las partes orientadas hacia la primera parte de esquina 129a, una cuarta parte de esquina 129d y la tercera parte de esquina 129c. Una cinta sin fin 133 de la plataforma inferior, está enrollada en torno a las poleas 132a, 132b, 132c de la plataforma inferior.

La polea 130a de la plataforma superior y la polea 132a de la plataforma inferior, que están dispuestas en la primera parte de esquina 129a, están soportadas coaxiales con la polea 130c de la plataforma superior y la polea 132c de la plataforma inferior, que están dispuestas en la tercera parte de esquina 129c. Un motor 134 está conectado al eje de la polea 130a de la plataforma superior y la polea 132a de la plataforma inferior, dispuestas ambas en la primera parte de esquina 129.

Los inyectores 135a 135b de aplicación de aire, están acoplados respectivamente a partes de la cinta sin fin 131 de la plataforma superior y de la cinta sin fin 133 de la plataforma inferior. Los inyectores 135a y 135b de aire, están conectados a una fuente de suministro de aire a alta presión.

Puesto que el mecanismo 128 soplador de aire está construido de este modo, la cinta sin fin 131 de la plataforma superior y la cinta sin fin 133 de la plataforma inferior son desplazadas en las direcciones indicadas por flechas, respectivamente, cuando la polea superior 130a y la polea inferior 132a se rotan mediante la rotación del motor 134.

Por lo tanto, el inyector 135a de rociado de aire se mueve a lo largo sustrato 10 que define la segunda parte de esquina 129b del sustrato 10. El inyector 135b de aplicación de aire se mueve a lo largo de los dos lados del sustrato 10 que definen la cuarta parte de esquina 129d del sustrato 10. Cuando se sopla aire a alta presión desde los inyectores 135a y 135b de aplicación, el aire a alta presión es soplado intensivamente hacia la periferia 10a del sustrato 10, es decir, a las cuatro superficies laterales del mismo. Por lo tanto, es posible evacuar gotas de agua de la periferia 10a del sustrato 10.

El aire a alta presión es soplado a la periferia 10a del sustrato (es decir, a las cuatro superficies laterales del mismo), mientras el sustrato 10 es transferido por el transportador de rodillos 115. Alternativamente, el aire puede ser soplado intensivamente a la periferia 10a del sustrato 10, deteniendo el transportador de rodillos 115 en la zona de parada B, cuando el sustrato 10 está frente al mecanismo 123 soplador de aire.

En la tercera realización, los inyectores 135a y 135b de aplicación de aire son desplazados a lo largo de la periferia 10a del sustrato 10 (es decir, las cuatro superficies laterales) mediante las poleas y las cintas sin fin. Como mecanismo para impulsar los inyectores 135a y 135b, puede utilizarse un mecanismo de tornillo esférico y un motor lineal. No obstante, el mecanismo de accionamiento no se limita a este tipo.

En las realizaciones segunda y tercera, el transportador de rodillos 115 se utiliza para transportar el sustrato 10. El sustrato puede ser transferido mediante una cinta sin fin permeable al agua, fabricada en forma de malla o de escala.

El líquido de lavado no se limita a agua pura W. Puede utilizarse agua del grifo o un líquido de lavado químico. El líquido de lavado químico utilizado puede ser agua que contenga un detergente o un solvente orgánico tal como acetona, metanol, etanol, tricloroetileno o freón.

En las realizaciones segunda y tercera mostradas en las figuras 7 a 10, se lava un sustrato que tiene, sobre una superficie, una película conductora transparente con una línea de grabado formada por un rayo láser. El sustrato a lavar no se limita a esto. Los aparatos de lavado acordes con las realizaciones segunda y tercera, pueden lavar un sustrato que tiene una película de semiconductor y un electrodo en la superficie posterior, formado sucesivamente sobre una película conductora transparente y grabado por un rayo láser.

Los mecanismos de soplador de aire de las realizaciones segunda y tercera pueden disponerse corriente abajo respecto de la sección 2 de extracción de líquido, de la primera realización. Con esta disposición, el líquido de lavado puede ser extraído sin fallos, incluso si queda líquido de lavado en la periferia del sustrato después de que el sustrato ha sido secado en la sección 2 de extracción de líquido.

Las figuras 11 y 12 muestran una sección 210 de extracción de líquido de acuerdo con una cuarta realización, que puede utilizarse en lugar de la sección 2 de extracción de líquido de la primera realización y de la cuchilla de aire 122 de extracción de agua, de la segunda realización.

Tal como se muestra en la figura 11, el sustrato 10 es lavado, después de que la película conductora transparente 51, la película semiconductora 52, o la película de electrodo 53 de la superficie trasera, son grabadas con láser. El sustrato 10 es transferido a la sección 210 de extracción de líquido mediante el rodillo de transferencia 206, con las líneas de grabado 55 (se muestran solamente algunas líneas de grabado, en la figura 11) en disposición perpendicular a la dirección de transferencia indicada por la fecha X.

En la sección 210 de extracción de líquido, están dispuestas 3 cuchillas de aire 207a, 207b y 207c en el orden mencionado, desde la parte superior a la parte inferior. Las cuchillas de aire se inclinan en la dirección perpendicular a la dirección X de transferencia del sustrato. En otras palabras, cubren el sustrato 10 sobre toda la anchura del mismo.

Tal como se muestra la figura 11, la distancia D desde un extremo de la cuchilla de aire 207a hasta el otro extremo de la cuchilla de aire 207c, a lo largo de la dirección de transferencia del sustrato, excede el intervalo R de los rodillos de transferencia adyacentes 206. Además, las cuchillas de aire se inclinan más hacia la dirección perpendicular a la transferencia del sustrato, que en el caso en que se utiliza una sola cuchilla.

Las cuchillas de aire adyacentes (207a y 207b, o 207b y 207c en la figura 11) están dispuestas con sus partes extremas más próximas separadas espacialmente entre sí, en la dirección de transferencia del sustrato, y solapando en la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato. Más concretamente, tal como se muestra en la figura 11, el extremo inferior de la cuchilla de aire 207a está separado espacialmente del extremo superior de la cuchilla de aire 207b, en un intervalo S en la dirección de transferencia del sustrato. Además, el extremo inferior de la cuchilla de aire 207a y el extremo superior de la cuchilla de aire 207b solapan, tal como se muestra mediante la letra L en la figura 11. El líquido es extraído soplando aire comprimido al sustrato 10 desde los inyectores de ranura 208, cada uno de los cuales se extiende sobre toda la longitud de las cuchillas de aire 207a, 207b y 207c, en la dirección indicada por una fecha P en la figura 11.

En esta realización, se disponen 3 cuchillas de aire 207a, 207b y 207c por encima del intervalo R entre los rodillos de transferencia adyacentes 206, y muy inclinadas con respecto a la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato. Además, la parte de solapamiento L se extiende en la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato. Con esta disposición, puede soplarse aire comprimido de forma fiable a la zona correspondiente al intervalo R del rodillo de transferencia 206. Por lo tanto, puede de extraerse suficientemente el líquido del sustrato 10.

Puesto que la cuchilla de aire está muy inclinada, se genera una fuerza suficiente para evacuar el líquido de lavado del sustrato 10, en la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato.

En primer lugar, el líquido de lavado es separado a través de ranuras de las líneas de grabado 55, mediante el aire comprimido aplicado desde el inyector 208 de la cuchilla de aire 207a. Cuando el sustrato 10 alcanza la parte intermedia (intervalo S) entre la cuchilla de aire 207a y la cuchilla de aire 207b, a lo largo de la dirección de transferencia del sustrato, deja de aplicarse el aire comprimido al líquido de lavado. El aire comprimido no se aplica al líquido de lavado durante un corto periodo de tiempo, y durante este periodo no se aplica fuerza al líquido de lavado.

Sin embargo, justo antes de que el líquido de lavado comience a fluir en sentido inverso, el aire comprimido aplicado desde el inyector 208 de la cuchilla de aire 207b, evacua el líquido de lavado a través de las ranuras de las líneas de grabado 55. El líquido es evacuado de manera similar mediante las cuchillas de aire 207b y 207c.

Cuando se aplica el aire comprimido, el líquido de lavado forma ondas en las ranuras de las líneas de grabado 55. Las ondas no son demasiado altas. Por lo tanto, cuando las ondas se reducen en la zona intermedia (intervalo S) entre las cuchillas de aire, sin ruptura ni dispersión, se provoca que el líquido de lavado fluya de nuevo, mediante el aire comprimido que sopla desde la siguiente cuchilla de aire. Con este mecanismo, el líquido de lavado es extraído satisfactoriamente del sustrato 10.

Es posible mejorar la eficiencia de la conversión fotovoltaica del módulo fotovoltaico, gracias a que las ondas de líquido de lavado que contienen partículas, no se rompen humedeciendo la zona desde la que el agua ha sido extraída por completo.

En los módulos fotovoltaicos fabricados utilizando el sustrato 10 lavado con el método acorde con esta realización, se verificaron las características de corriente/tensión utilizando un simulador solar 1,5 (AM = 1,5, 100 mM/cm2). Como resultado, el factor de carga (FF, fill factor) fue del 67%. Por otra parte, el módulo fotovoltaico fabricado utilizando el sustrato 10 lavado mediante un método convencional, tuvo un factor de carga (FF) del 65%. Por lo tanto, el método de lavado de esta realización es eficaz mejorando la eficiencia de conversión fotovoltaica del módulo fotovoltaico.

“AM” tal como se utiliza en el presente documento, significa "masa de aire" ("Air Mass"), lo que indica un espectro solar, y más en concreto, el grosor de la capa atmosférica a través de la cual pasa la luz solar. Por ejemplo, AM es 0 en el espacio y 1 exactamente en el ecuador.

“FF” tal como se utiliza en el presente documento, significa "factor de carga" ("Fill Factor"). El valor máximo de V x I en la curva VI de un módulo fotovoltaico, se denota mediante “Pmax”. FF es un valor obtenido dividiendo Pmax por el producto de multiplicar la tensión en circuito abierto (Voc) por la corriente en cortocircuito (Ise).

REFERENCIAS CITADAS EN LA DESCRIPCIÓN

La lista de referencias citadas por el solicitante es solo para comodidad del lector. No forma parte del documento de Patente Europea. Aunque se ha tomado especial cuidado en recopilar las referencias, no puede descartarse errores u omisiones y la EPO rechaza toda responsabilidad a este respecto.

Documentos de patentes citados en la descripción:

• EP 0 408 216 A [0008]

• US 5 762 749 A [0009]

 


Reivindicaciones:

1. Método de fabricación de un dispositivo semiconductor mediante la formación de una película delgada de un sustrato (10), que comprende las etapas de:

(a-i) lavar el sustrato (10) con un líquido de lavado, mediante la utilización de

un cepillo;

(a-ii) enjuagar el sustrato (10) lavado con cepillo;

y

(a-iii) lavar el sustrato enjuagado utilizando ondas ultrasónicas;

(b) extraer del sustrato (10) el líquido lavado, en una sección (2) de extracción de solución, soplando aire comprimido al sustrato lavado; y

(c) transferir inmediatamente el sustrato (10) desde la sección (2) de extracción de la solución, a una sección (3) de formación de película, sin llevar a cabo otra etapa, en la que se forma una película delgada sobre el sustrato. 2. El método acorde con la reivindicación 1, en el que en la etapa (b), el aire

comprimido a soplar sobre el sustrato es calentado hasta una temperatura predeterminada.

3. El método acorde con la reivindicación 1 o 2, en el que en la etapa (b), el aire comprimido a soplar sobre el sustrato es ionizado.

4. El método acorde con la reivindicación 1, 2 o 3, en el que la etapa (c) comprende además la etapa de calentar el sustrato hasta una temperatura predeterminada, antes de que se forme la película delgada sobre el sustrato.

5. El método acorde con la reivindicación 1, 2 o 3, en el que el sustrato desde el que ha sido extraído el líquido de lavado en la etapa (b), es sometido directamente a la etapa (c) para formar una película delgada.

6. El método acorde con cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, en el que en la etapa (c), el sustrato es lavado con un gas inerte en forma de plasma, antes de que se forme la película delgada.

7. Aparato para fabricar un dispositivo semiconductor con una película

delgada sobre un sustrato (10), que comprende: una sección de lavado (1) para lavar el sustrato con un líquido de lavado; una sección (2) de extracción de líquido, para extraer del sustrato el líquido de lavado soplando aire comprimido al sustrato lavado; y

una sección (3) de formación de película, para formar una película delgada

sobre el sustrato desde el que ha sido extraído el líquido de lavado, en donde

la sección de lavado (12) comprende una sección (6) de lavado con cepillo,

una sección de enjuague (7), y una sección de lavado ultrasónico (8), en las

que se lava el sustrato.

8. El aparato acorde con la reivindicación 7, en el que

la sección (2) de extracción de aire tiene una cuchilla de aire (21) que está inclinada respecto a la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato (10) y la dirección vertical, para soplar aire comprimido al dorso de la sección de transferencia del sustrato.

9. El aparato acorde con la reivindicación 8, caracterizado porque comprende además un calentador (20) para calentar aire comprimido a suministrar a la cuchilla de aire.

10. El aparato acorde con la reivindicación 8 o 9, caracterizado porque comprende además una sección de ionización (23) para ionizar el aire comprimido a suministrar a la cuchilla de aire (21).

11. El aparato acorde con la reivindicación 7, 8, 9 o 10, en el que

la sección de extracción de líquido tiene por lo menos dos cuchillas de aire (207a, 207b, 207c) situadas por encima y por debajo del sustrato a transferir, inclinadas respecto de la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato, y dispuestas de manera que los extremos más próximos de las cuchillas de aire adyacentes están separados espacialmente a un intervalo predeterminado en la dirección de transferencia del sustrato, y solapan sobre una distancia predeterminada en la dirección perpendicular a la dirección de transferencia del sustrato.

12. El aparato acorde con cualquiera de las reivindicaciones 7 a 11, en el que

la sección (3) de formación de película comprende una cámara (25) de formación de película, para formar una película sobre el sustrato, y una cámara (35) de bloqueo de carga, pera calentar el sustrato (10) hasta una temperatura predeterminada, antes de que sea formada la película en la cámara (25) de formación de película.

13. El aparato acorde con cualquiera de las reivindicaciones 7 a 12, en el que

están conectados a la cámara de formación de película un primer tubo (31) de suministro, para suministrar un material gaseoso para formar una película, y un segundo tubo (32) de suministro, para suministrar un gas inerte que está ionizado, a un plasma antes de que se forme la película.

Siguen seis hojas de dibujos.