MEJORAS INTRODUCIDAS EN UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR AMORFO

Resumen: Mejoras introducidas en un elemento conductor amorfo constituido por un material semiconductor amorgo caracterizadas porque incluyen una composición de una pluralidad de elementos, de los cuales uno por lo menos es un elemento de peso atómico constituido por boro, carbono, nitrógeno y oxígeno, que tiene la forma de una matriz de recepción amorfa sólida teniendo configuraciones estructurales de orden localizada en lugar de largo alcance y configuraciones electrónicas que proporcionan un intervalo de energía y una energía eléctrica de activación, y un material modificador añadido a dicha matriz de recepción amorfa y que tiene órbitas que reaccionan con la matriz de recepción amorfa y forman en el intervalo de energía estados electrónicos que modifican sustancialmente las configuraciones electrónicas de la matriz de recepción amorfa a la temperatura ambiente y a temperaturas superiores.

Solicitante: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.

Nacionalidad: US

Fecha de Solicitud: 11/10/1978

Fecha de Publicación de la Concesión: 16/10/1979

Fecha de Concesión: 16/10/1979

Clasificación Principal: H01L29/04