DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPUESTO.

Solicitante: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Fecha de Solicitud: 15 de Junio de 1964.

Fecha de Publicación: .

Fecha de Concesión: 20 de Octubre de 1964.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/8229 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Estructuras de memorias.
  • H01L23/29C
  • H01L23/522 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.
  • H01L23/535 H01L 23/00 […] › que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
  • H01L27/102T5

Clasificación PCT:

  • H01L21/8229 H01L 21/00 […] › Estructuras de memorias.
  • H01L23/29 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material.
  • H01L23/522 H01L 23/00 […] › que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.
  • H01L23/535 H01L 23/00 […] › que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
  • H01L27/06 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
  • H01L27/102 H01L 27/00 […] › comprendiendo componentes bipolares.

Clasificación antigua:

  • H01L21/8229 H01L 21/00 […] › Estructuras de memorias.
  • H01L23/29 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material.
  • H01L23/522 H01L 23/00 […] › que comprenden interconexiones externas formadas por una estructura multicapa de capas conductoras y aislantes inseparables del cuerpo semiconductor sobre el cual han sido depositadas.
  • H01L23/535 H01L 23/00 […] › que comprenden interconexiones internas, p. ej. estructuras de interconexión enterradas.
  • H01L27/06 H01L 27/00 […] › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
  • H01L27/102 H01L 27/00 […] › comprendiendo componentes bipolares.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPUESTO.

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