DISPOSITIVO PARA RECUBRIR UN SUSTRATO CON AYUDA DE LA DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR.

Resumen: EN UN DISPOSITIVO PARA RECUBRIMIENTO DE UN SUBSTRATO (2) CON LA AYUDA DE PLASMA CVD (FIG.1), SE DISPONE DE UNA FUENTE (3) DE CORRIENTE ALTERNA, QUE SE UNE CON DOS CATODOS (4,5) MAGNETRON, DONDE UNO DE LOS POLOS (8) DE LA FUENTE (3) DE CORRIENTE ALTERNA ESTA CONECTADO EN UN CATODO (4) Y EN EL OTRO POLO (9) SE CONECTA EL OTRO CATODO (5) A TRAVES DE UNA CONDUCCION (10,11) DE ABASTECIMIENTO. DISPONIENDOSE CADA UNO DE AMBOS CATODOS (4,5) EN UN COMPARTIMENTO (12,13) PROPIO, DONDE CADA COMPARTIMENTO INCLUYE ENTRE ELLOS UN TERCER COMPARTIMENTO (14) CONECTADO A UNA FUENTE (21) DE VACIO. AMBOS COMPARTIMENTOS (12,13) DISPUESTOS EXTERIORMENTE SE UNEN A TRAVES DE ABERTURAS (15,16) O ESPACIOS EN LAS PAREDES (17,18) UNO CON OTRO, DONDE EL SUBSTRATO (2) DISPUESTO EN EL TERCER COMPARTIMENTO (14) ESTA EQUIPADO CON UNA FUENTE CVD, QUE SE CONFIGURA ESENCIALMENTE A PARTIR DE UNA ENTRADA (19) DE GAS REACTIVO Y UN COLIMADOR (20).

Solicitante: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG

Nacionalidad: DE

Inventor/es: SZCZYRBOWSKI, JOACHIM, DR.. TESCHNER, GOTZ

Fecha de Publicación de la Concesión: 01/04/2007

Fecha Concesión Europea: 16/08/2006

Clasificación Principal: C23C14/35, C23C14/00, H01J37/34, C23C14/40

Clasificación PCT: H01J37/32, C23C14/56, C23C14/35, C23C14/00, H01J37/34, C23C14/40, C23C16/50