DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.

Resumen: En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina (1) de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico (4) se forma en la intersección entre un electrodo x (2) y un electrodo y (3) de la matriz de electrodos. El elemento lógico (4) se direcciona aplicando a los electrodos (2, 3) un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del estado de polarización y la forma del bucle de histéresis del material ferroeléctrico se obtiene una detección distinta del estado de polarización en el elemento lógico (4) y también es posible conmutar entre los estados de polarización del elemento lógico que, por tanto, pueden ser usados para la implementación de un conmutador biestable o una celda de memoria. El dispositivo de procesamiento de datos de acuerdo a la invención puede ser apilado en forma de capas si las capas separadas se separan por una capa aislante eléctrica y ser usada, por tanto, para la implementación de dispositivos de procesamiento de datos volumétricos.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA

Nacionalidad: NO

Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK. GUDESEN, HANS, GUDE. LEISTAD, GEIRR, I

Fecha de Publicación de la Concesión: 01/02/2005

Fecha Solicitud PCT: 13/08/1998

Fecha Concesión Europea: 02/06/2004

Clasificación Principal: G11C11/22, H03K19/177

Países PCT: AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, IT, LI, NL, SE, PT, IE, FI, EPO, AM, AZ, BY, GH, GM, KE, KG, KZ, LS, MD, MW, RU, SD, TJ, TM, UG, ZW, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG, ARIPO, SZ, GW, OAPI, EAPO