CAPAS DE MEMORIA PLEGADAS.

Resumen: Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret, en el cual se proporciona en sándwich un material (1) de memoria ferroeléctrica o electret entre capas (2; 4) de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas (2) de palabras y las líneas (4) de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en volúmenes de material (1) de memoria dispuestos a modo de sándwich entre líneas (2) de palabras y líneas (4) de bit cruzadas correspondientes, y en el cual una pluralidad de conjuntos ordenados de memoria están dispuestos en al menos una pila (S) tal que, la al menos una pila de conjuntos ordenados de memoria realiza el dispositivo de memoria con una configuración volumétrica, caracterizado porque una pila (S) de conjuntos (M) ordenados de memoria está formada con dos o más estructuras (R) a modo de cinta estando plegadas y/o trenzadas entre sí, comprendiendo cada estructura (R) un sustrato (3) flexible de material no conductor, que las capas (2:4) de electrodo primera y segunda, respectivamente, están proporcionadas en cada superficie del sustrato, tal que las capas (2, 4) de electrodo comprenden, cada una, los electrodos (2a, 4a) proporcionados a modo de banda paralela que se extienden a lo largo de la estructura (R) a modo de cinta y una capa de material (1) de memoria cubre una de las capas de electrodo de la misma y se extiende interrumpida entre los bordes de la estructura a modo de banda; porque cada formación (M) ordenada de memoria de la pila (S) está formada por partes que se solapan de un par de estructuras (R) contiguas a modo de cintas plegadas y/o trenzadas de forma que se cruzan de forma sustancialmente ortogonal; y porque las líneas (2a) de palabras y la capa (1) de memoria de un conjunto (M) ordenado de memoria en una pila (S) están contenidas en la primera estructura (R) a modo de cinta de un par de estructuras contiguas de este tipo y las líneas (4a) de bit contenidas en la segunda estructura (R) a modo de banda de las mismas.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA

Nacionalidad: NO

Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK. GUDESEN, HANS, GUDE

Fecha de Publicación de la Concesión: 16/04/2006

Fecha Solicitud PCT: 29/11/2002

Clasificación Principal: G11C11/22, H01L27/13

Países PCT: AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LI, LU, NL, SE, MC, PT, IE, SI, FI, RO, CY, EPO, LT, LV, MK, AL, AM, AZ, BY, GH, GM, KE, KG, KZ, LS, MD, MW, MZ, RU, SD, SL, TJ, TM, TZ, UG, ZW, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG, ZM, ARIPO, SZ, GW, GQ, OAPI, EAPO