22 patentes, modelos y diseños de THIN FILM ELECTRONICS ASA

  1. 1.-

    DISPOSITIVO DE MEMORIA NO VOLATIL.

    (06/2007)

    Un dispositivo de memoria no volátil que comprende un material de memoria dieléctrico polarizable eléctricamente con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de presentar una histéresis y una remanencia, en el que el material de memoria comprende uno o más polímeros, en el que el material de memoria está previsto en contacto con una primera serie y una segunda serie de respectivos electrodos (WL;BL) para operaciones de escritura, lectura y borrado, en el que una célula de memoria con una estructura a modo de condensador está definida en el material de memoria y puede ser accedida directa o indirectamente...

  2. 2.-

    METODO PARA LA LECTURA DE UN DISPOSITIVO DIRECCIONABLE POR MATRIZ PASIVA Y DISPOSITIVO PARA LLEVAR A CABO EL MISMO.

    (04/2007)

    Método para la lectura de un dispositivo direccionable por matriz pasiva, particularmente un dispositivo de memoria o un dispositivo sensor con celdas direccionables individualmente para almacenar un valor lógico proporcionado por un valor de carga dispuesto en una celda, de manera que el dispositivo comprende material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, particularmente un material ferroeléctrico, de manera que el dispositivo comprende un primer y segundo juegos de electrodos con electrodos paralelos que forman, respectivamente, líneas de palabras y líneas de bits en el dispositivo, de manera...

  3. 3.-

    LECTURA NO DESTRUCTIVA.

    (03/2007)

    Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en...

  4. 4.-

    PROCEDIMIENTOS PARA MODELAR PELICULAS DE POLIMERO Y USO DE LOS PROCEDIMIENTOS.

    (03/2007)
    Ver ilustración. Inventor/es: INGANIS, OLLE, NYBERG, TOBIAS, GRANLUND, TOMAS. Clasificación: G03F7/00, B41M1/06, B81C1/00.

    Un procedimiento para modelar una película de polímero que forma un revestimiento sobre una superficie de material, en la que el modelado tiene lugar por medio de un sello que tiene una superficie con al menos una hendidura formada en ella, caracterizado por depositar sobre la superficie del material una película fina de polímero, aplicando a la superficie del material el sello hecho de un material elastómero en contacto conforme con la superficie de la película delgada, de manera que las porciones de las misma que están en contacto con uno o más elementos sobresalientes del sello de elastómero formado por al menos una hendidura del mismo se unan al elemento o elemento sobresalientes y se retiran de la superficie del material con el sello.

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTOS PARA ALMACENAR DATOS EN MEMORIAS NO VOLATILES.

    (03/2007)

    Un procedimiento para almacenar datos en una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FRAM) no volátil, particularmente una memoria en la cual un material ferroeléctrico de la memoria es un polímero ferroeléctrico, en el cual las localizaciones de memoria son suministradas como elementos de una matriz y se accede a ellas a través de unos electrodos que forman líneas de palabra y de bit de la matriz y en el cual las operaciones de lectura destructiva de las localizaciones de memoria son seguidas por operaciones de reescritura, estando caracterizado el procedimiento por las sucesivas etapas de: (a)...

  6. 6.-

    DISPOSITIVO SENSOR PARA MEMORIA DE MATRIZ PASIVA Y METODO DE LECTURA CORRESPONDIENTE.

    (05/2006)
    Ver ilustración. Inventor/es: THOMPSON, MICHAEL CORNELL UNIVERSITY, WOMACK, RICHARD HIGH DENSITY CIRCUITS INC. Clasificación: G11C11/22, G11C7/06.

    Un dispositivo sensor para leer datos almacenados en una memoria de matriz pasiva consistente en celdas de memoria en forma de condensadores ferroeléctricos, en el que el referido dispositivo sensor detecte una respuesta de corriente correspondiente a los datos, típicamente un uno binario o un cero binario, y realice una integración de dos valores de lectura, caracterizado porque el dispositivo sensor incorpore un circuito integrador para detectar la respuesta de corriente y medios para almacenar y comparar dos valores de lectura consecutivos obtenidos en una salida del circuito integrador.

  7. 7.-

    CAPAS DE MEMORIA PLEGADAS.

    (04/2006)

    Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret, en el cual se proporciona en sándwich un material de memoria ferroeléctrica o electret entre capas de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas de palabras y las líneas de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en...

  8. 8.-

    APARATO PARA EL ALMACENAMIENTO VOLUMETRICO DE DATOS QUE COMPRENDE UNA SERIE DE DISPOSITIVO DE MEMORIA APILADOS DIRECCIONABLES EN FORMA DE MATRIZ.

    (03/2006)
    Ver ilustración. Inventor/es: GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I.. Clasificación: G11C11/22, H01L23/48, G11C5/02, H01L27/01.

    Aparato para el almacenamiento volumétrico de datos que comprende una serie de dispositivos de memoria apilados (M) direccionables, por matriz, en el que cada.

  9. 9.-

    CELDA DE MEMORIA.

    (02/2006)
    Ver ilustración. Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE. Clasificación: G11C11/22, H01L51/20, H01L23/532, H01L51/30.

    Una celda de memoria que comprende un material polimérico de memoria con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de ser polarizado y de mostrar histéresis, en la que el material polimérico de memoria se proporciona en contacto con los electrodos primero y segundo , caracterizada porque el. material polimérico de memoria es una mezcla de al menos un primer y un segundo material polimérico (2a; 2b), siendo dicho primer material polimérico un material polimérico ferroeléctrico o de electreto, y porque cada electrodo es un electrodo multicapa compuesto que comprende una primera capa (3a; 4a) de material altamente conductor y una segunda capa (3b; 4b) de polímero conductor, formando el polímero conductor una capa de contacto entre el material altamente conductor (3a; 4a) y el material de memoria.

  10. 10.-

    PROCEDIMIENTO DE LECTURA NO DESTRUCTIVA Y APARATO PARA UTILIZAR CON EL PROCEDIMIENTO.

    (09/2005)

    Un procedimiento para determinar un estado lógico de un elemento de memoria en un dispositivo de almacenamiento de datos, en el cual dicho elemento almacena datos en forma de un estado de polarización eléctrica de un condensador que contiene un material polarizable, en el cual dicho material polarizable es capaz de mantener una polarización eléctrica que no se pierde en ausencia de una tensión aplicada externamente sobre dicho condensador, y de generar una corriente de respuesta a una tensión aplicada, comprendiendo dicha corriente de respuesta unos componentes lineales y no lineales, y cuyo procedimiento consiste en: aplicar sobre dicho condensador una primera tensión de señal débil cronodependiente, teniendo dicha...

  11. 11.-

    CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA O ELECTRET.

    (09/2005)

    Un circuito de memoria ferroeléctrica o electret (C), en concreto, un circuito de memoria ferroeléctrica o electret con una resistencia a la fatiga mejorada, que comprende una celda de memoria con un material de memoria ferroeléctrica o electret , que presenta histéresis y es capaz de ser polarizado a un estado de polarización positivo o negativo con un determinado valor de polarización, en el que el material de memoria ferroeléctrica o electret es un material polimérico u oligomérico, o mezclas o materiales compuestos que comprenden materiales de este tipo, y con el primer y segundo electrodo (1a...

  12. 12.-

    MATRIZ PASIVA NO VOLATIL Y METODO PARA LA LECTURA DE LA MISMA.

    (08/2005)

    Dispositivo que constituye una memoria de matriz pasiva no volátil y comprende un material de memoria dieléctrico eléctricamente polarizable que presenta histéresis, y en particular un material ferroeléctrico, estando dicho material de memoria previsto de forma tal que está intercalado en una capa entre un primer conjunto y un segundo conjunto de respectivos electrodos de direccionamiento paralelos, constituyendo los electrodos del primer conjunto líneas de palabra (WL1, ...m) del dispositivo que constituye una memoria y estando dichos electrodos del primer conjunto previstos de forma tal que guardan una relación prácticamente de ortogonalidad con los electrodos del segundo conjunto , constituyendo éstos últimos las líneas de bit...

  13. 13.-

    APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.

    (08/2005)

    Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material...

  14. 14.-

    PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR OPERACIONES DE ESCRITURA Y LECTURA EN UNA MEMORIA MATRICIAL PASIVA Y APARATO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.

    (08/2005)

    Un procedimiento para efectuar operaciones de escritura y lectura en un conjunto de celdas de memoria de direccionamiento matricial que comprenden un material eléctricamente polarizable que presenta remanencia de polarización, en particular un material electreto o ferroeléctrico, en el cual un valor lógico almacenado en una celda de memoria está representado por un estado real de polarización de la celda de memoria y se determina detectando un flujo de carga hacia o desde dicha celda de memoria en respuesta a la aplicación de unas tensiones sobre las líneas de palabras y las líneas...

  15. 15.-

    CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

    (07/2005)

    Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos (E1;E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque...

  16. 16.-

    DIRECCIONAMIENTO DE UNA MATRIZ DE MEMORIA.

    (06/2005)

    Método para el control de una pantalla o dispositivo de memoria direccionable por matriz pasiva, de células que comprenden un material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, en particular un material ferroeléctrico, en el que el estado de polarización de células individuales, seleccionables separadamente, se puede cambiar al estado deseado por aplicación de potenciales eléctricos o voltajes eléctricos a líneas de palabras y de bits que forman una matriz de direccionado, y en el que el método comprende...

  17. 17.-

    DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.

    (02/2005)

    En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico se forma en la intersección entre un electrodo x y un electrodo y de la matriz de electrodos. El elemento lógico se direcciona aplicando a los electrodos un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del...

  18. 18.-

    METODO PARA EL TRATAMIENTO DE PELICULAS POLIMERICAS ULTRAFINAS.

    (12/2004)

    Método para la preparación de películas ultrafinas de materiales que contienen carbono, en particular películas finas de materiales poliméricos, en donde las películas tienen un espesor de 0, 5 m o menos, en donde las películas se forman mediante la deposición de los materiales a partir de una fase líquida sobre una superficie sólida, en donde la fase líquida está formada por el material en estado fundido o disuelto en un disolvente, en donde la deposición tiene lugar en un recinto, siendo el recinto particularmente una habitación limpia o un cubículo cerrado de una instalación de producción,...

  19. 19.-

    DISPOSITIVO PASIVO DIRECCIONABLE ELECTRICAMENTE, METODO PARA EL DIRECCIONAMIENTO ELECTRICO DEL MISMO, UTILIZACION DEL DISPOSITIVO Y DEL METODO.

    (12/2003)

    La invención se refiere a un dispositivo pasivo eléctricamente direccionable que permite registrar, almacenar y/o tratar datos. Este dispositivo está constituido por un soporte funcional que presenta una forma continua o con motivos (S) que puede experimentar un cambio de estado físico o químico. El soporte funcional comprende células individualmente direccionables que representan un valor registrado o detectado o a las que se afecta un valor lógico predeterminado para la célula. La célula se coloca entre el ánodo y el cátodo en un órgano de electrodos (E) que está en contacto con e soporte funcional en la célula y conlleva un acoplamiento eléctrico, presentando el...

  20. 20.-

    TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.

    (01/2003)

    Transistor con efecto de campo, particularmente un transistor con efecto de campo de unión (JEFT) con geometría sustancialmente vertical, en el que el transistor comprende un substrato planar de material no conductor, una capa de material conductor que comprende un primer electrodo incluido en el substrato , una capa (3a) de material aislante que forma un primer aislante que se encuentra sobre el primer electrodo , una capa de material conductor que forma un segundo electrodo que se encuentra sobre el primer aislante (3a), otra capa (3b) de material aislante que forma un segundo aislante que...

  21. 21.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I.. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.

  22. 22.-

    MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

    (09/2002)
    Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I.. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

    material del sustrato.