26 patentes, modelos y diseños de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG

  1. 1.-

    Disposición de circuito rectificador de corriente para generadores con potencia variable dinámicamente

    (11/2015)

    Disposición de circuito rectificador de corriente para la transformación de una tensión de generador polifásica en una tensión continua de alto voltaje, que está constituida por un transformador con al menos un arrollamiento en el lado primario por fase así como por una pluralidad de arrollamientos en el lado segundario por fase, en la que, respectivamente, uno de los arrollamientos en el lado secundario de diferente fase presenta una toma media y está conectado con una célula rectificadora y estas células rectificadoras están conectadas entre sí con sus entradas de tensión continua y sus salidas de tensión continua , en la que las células rectificadoras están constituidas, respectivamente, por un rectificador...

  2. 2.-

    Disposición de convertidor de corriente de construcción modular

    (03/2015)

    Disposición de convertidor de corriente de construcción modular con un dispositivo de alojamiento de una pluralidad de grupos constructivos de convertidor de corriente que forman unos respectivos módulos principales , cada uno de ellos constituido por submódulos, configurados a su vez como un respectivo módulo de conmutación y un respectivo módulo de condensadores , en la que el dispositivo de alojamiento presenta al menos un dispositivo de unión para establecer la debida unión eléctrica de los grupos constructivos de convertidor de corriente,...

  3. 3.-

    Circuito excitador para activar un interruptor de semiconductor de potencia

    (12/2014)

    Circuito excitador con una primera salida (12a) y una segunda salida (12b) para activar un interruptor de semiconductor de potencia conectable con una señal de una primera tensión (UVP) con respecto a un potencial de referencia (GND) y desconectable con una señal de una segunda tensión (UVN) con respecto al potencial de referencia (GND), y con una primera entrada (18a) y una segunda entrada (18b) para activar por una señal (UIN) un circuito lógico alimentado con una tercera tensión (UL) y el potencial de referencia (GND), con un trayecto de conexión (10a) alimentado entre la primera tensión (UVP) y el potencial de referencia (GND) y dotado de la primera entrada (18a)...

  4. 4.-

    Disposición con al menos un objeto a envasar y con un envase de transporte y procedimiento para su fabricación

    (11/2014)

    Disposición con un objeto a envasar y con un envase de transporte , en la que el objeto presenta una carcasa , en la que el envase de transporte presenta una capa de cubierta , una capa intermedia con una escotadura asociada al objeto y una lámina de cubierta , en la que la capa intermedia y la capa de cubierta están constituidas de papel grueso o de cartón y en la que la capa de cubierta está configurada plana, con una primera superficie principal asociada al objeto , estando dispuesta sobre esta primera superficie principal de la capa de cubierta una capa de plástico y la capa de cubierta presenta...

  5. 5.-

    Procedimiento y dispositivo para determinar la temperatura de un interruptor semiconductor

    (04/2014)

    Procedimiento para determinar la temperatura (T) de un interruptor semiconductor , que tiene una resistencia eléctrica de puerta integrada (RGint), procedimiento que consta de las siguientes etapas: - activación del interruptor de semiconductor aumentando la tensión de puerta-emisor (UGE) del interruptor semiconductor mediante una resistencia eléctrica externa (Rext) conectada a la conexión de resistencia de puerta (GA) del interruptor semiconductor , caracterizado por que el procedimiento además comprende las siguientes etapas: - determinación del tiempo (dt) que la tensión de puerta-emisor (UGE) requiere durante el aumento de la tensión de puerta-emisor (UGE) del interruptor semiconductor , para aumentar de una primera tensión (U1)...

  6. 6.-

    Circuito convertidor de potencia para generadores con salida de potencia que varía dinámicamente

    (10/2013)

    Un circuito convertidor de potencia con una instalación de circuito rectificador para convertir la corriente alterna generada en el generador de tensión decorriente alterna en una corriente continua, un convertidor de potencia, una conexión de corriente continua de la instalación del circuito rectificador a un convertidor de potencia,un transformador de tensión media para suministrar a una red de alta tensión, y también, un control superior, en el que la potencia es generada por medio de un generador de corriente alterna de tensión...

  7. 7.-

    Procedimiento y conmutador excitador para controlar un semiconductor de tensión

    (06/2013)

    Procedimiento para la activación de un semiconductor de potencia en el cual, en el momento de la emisión de un mandato de conexión o de desconexión (46, 46') para ser recibido a través de varias entradas de señal para el semiconductor de potencia , un contador (16, 16') el cual tiene un número (18, 18') de un valor de arranque inferior o superior empieza a aumentar o disminuir el número (18, 18') en pasos de cálculo , en el que para cada paso de cálculo el número (18, 18') es transmitido como...

  8. 8.-

    Montaje de convertidor de frecuencia

    (06/2013)

    Montaje de convertidor de potencia provista de una pluralidad de conjuntos de convertidor de potencia cada uno provisto de un dispositivo de refrigeración , por lo menos un módulo de semiconductor de potencia instalado en el mismo y provisto de un dispositivo de condensadores por conjunto de convertidor depotencia conectado al mismo según los circuitos, en el que por lo menos un módulo de semiconductor depotencia está instalado próximamente adyacente al dispositivo de condensadores y elementos terminalesde carga de corriente continua del módulo de semiconductor de potencia están conectados aldispositivo de condensadores por medio de barras colectoras planas , en el que las barras colectorasplanas están compuestas de un...

  9. 9.-

    Circuito convertidor de alimentación y procedimiento para controlarlo

    (02/2013)

    Una instalación de circuito convertidor de alimentación, que consiste en una entrada de tensión de corrientealterna , una instalación de circuito rectificador de múltiples fases para convertir la tensión de corrientealterna en una tensión de corriente continúa y un circuito en serie de condensadores entre los dos potencialesde la salida de la tensión de corriente continúa, en la que la instalación de circuito rectificador consiste en unaprimera instalación en serie de componentes del rectificador y una segunda instalación en serie decomponentes del rectificador por fase y en la que los cátodos de primeros diodos fijadores de...

  10. 10.-

    Módulo de semiconductor de potencia con contacto de presión con un acumulador de presión híbrido

    (07/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con contacto por presión con por lo menos un sustrato que tiene componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga que conducen al exterior y con un dispositivo de presión que comprende un elemento de presión , en el que el sustrato en su primera superficie principal encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, comprende pistas conductoras con un potencial de carga, en el que un primer y por lo menos un elemento de conexión de la carga adicional...

  11. 11.-

    Instalación de un circuito para controlar transistores de potencia

    (05/2012)

    Una instalación de un circuito regulado por corriente para controlar por lo menos un transistor desemiconductor de potencia que consiste en un transistor de semiconductor de potencia con una puerta, emisory colector o con una puerta, fuente y drenaje y dos fuentes de corriente regulada , las salidas de las cualesestán conectadas una a la otra y a la puerta y las entradas de las cuales están conectadas a una salida de uncircuito de entrada y una regulación de la tensión de salida , en el que la primera fuente de corrienteregulada es suministrada desde una primera fuente de tensión no regulada (Vcc) y controla la puerta deltransistor de potencia de tal manera que el transistor de potencia es conductor,...

  12. 12.-

    Montaje de circuito excitador para un módulo de semiconductor de potencia

    (05/2012)

    Una instalación de circuito excitador para módulos de semiconductor de potencia compactos en una topología de puente de 3 fases que constan de lo menos una tarjeta de circuito impreso con componentes activos y también pasivos, tres transformadores de impulsos , , para cada una de las dos señales de control y también para cada una de las dos alimentaciones de tensión de los componentes del lado secundario , , , , , , caracterizada porque las líneas del lado primario no cruzan , , , las líneas del lado secundario , porque...

  13. 13.-

    Dispositivo para la transmisión de datos dentro de un sistema electrónico

    (05/2012)

    Un dispositivo para la transferencia de datos para un sistema de electrónica de potencia , - con un transmisor que emite de salida en sus puertos de salida diferenciales (20a-p) una señal diferencial (38a, b) que corresponde a los datos , - con un transformador , cuyos puertos de entrada (24a, b) están conectados con los puertos de salida diferenciales (20a-p) del transmisor en forma de un puente completo, en el que cada puerto de salida diferencial (20a-p) está conectado con uno de los puertos de entrada (24a, b) del transformador a través de una resistencia óhmica protectora (22a-p), - con cada divisor de tensión óhmico conectado entre los puertos de salida...

  14. 14.-

    Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora

    (05/2012)

    Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona , encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona , con un segundo dopado y una cuarta zona subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración...

  15. 15.-

    Módulo de semiconductor de potencia con resorte de contacto auxiliar previamente cargado

    (04/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , un elemento de presión , un sustrato con por lo menos una superficie de contacto y por lo menos un elemento de conexión dirigido hacia fuera en el que el elemento de conexión está diseñado como un resorte de contacto , con un primer dispositivo de contacto , una sección elástica y un segundo dispositivo de contacto , en el que el elemento de presión tiene por lo menos dos elementos de tope por elemento de conexión , en el que el primer dispositivo de contacto del resorte de contacto está conectado con las superficies de contacto del sustrato de una manera eléctricamente conductora, en el que el segundo dispositivo de contacto del resorte de contacto está...

  16. 16.-

    Módulo de semiconductor de potencia

    (04/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un sustrato , cuya cara superior está poblada con por lo menos un componente del semiconductor de potencia y un alojamiento en forma de bandeja , en el que el borde de la bandeja del alojamiento está diseñado para que sea escalonado con un borde exterior elevado periférico y un borde interior bajo con respecto al borde exterior , bordes los cuales están conectados uno con el otro por medio de una superficie escalonada , en el que el sustrato con su zona del borde de su cara superior adyacente a su borde exterior se asienta contra el alojamiento...

  17. 17.-

    Desviador de nivel para un conmutador de accionamiento para componentes semiconductores de potencia

    (04/2012)

    Desviador de nivel para la transmisión unidireccional de una señal desde una primera sección del circuito a un primer potencial hasta una segunda sección del circuito a un segundo potencial, provisto de un circuito en serie de una pluralidad de transistores en el que la entrada (IN) del desviador de nivel (LS) está conectada a la entrada de control del primer transistor del circuito en serie, este primer transistor es un transistor de conmutación (M1) o un transistor de alta tensión (HV1') y todos los otros transistores son transistores de alta tensión, y estando provisto de un circuito divisor...

  18. 18.-

    Procedimiento para la fabricación de un convertidor de frecuencia con dispositivo de refrigeración

    (03/2012)

    Un procedimiento para la fabricación de una instalación de convertidor de potencia con un aparato de refrigeración con un cuerpo conformado metálico , el cual tiene por lo menos una sección plana de una superficie principal y una pluralidad de aletas de refrigeración como medios de refrigeración y con por lo menos un sustrato (30 a/b), en el cual pueden estar instalados los componentes adicionales de un circuito convertidor de potencia , caracterizado por la secuencia de las siguientes etapas del procedimiento esenciales: - Provisión...

  19. 19.-

    Sistema de conexión entre baterías de condensadores

    (03/2012)

    Sistema de conexión entre baterías o bancos de condensadores asociados a un circuito por ejemplo deltipo de ondulador y en el cual los condensadores están unidos por un bus formado por dos barras delgadasconductoras de polaridades diferentes superpuestas y separadas por una capa aislante, caracterizado porque: - cada bus presenta por lo menos una protuberancia (6, 6') prevista para cooperar con un órgano deenlace (C, C') entre dos protuberancias (6, 6') que salen de dos baterías o bancos de condensadores adyacentes; - el órgano de enlace comprende dos regletas conductoras (9, 10; 9', 10') previstas para ser puestas encontacto cada una con las barras de igual polaridad de dos protuberancias (6, 6') en frente, estas regletas (9, 10; 9',10')...

  20. 20.-

    MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN

    (01/2012)

    Un módulo de semiconductor de potencia con por lo menos un sustrato , pistas conductoras dispuestas sobre el mismo a la manera de un circuito base, elementos del semiconductor de potencia dispuestos en las pistas conductoras , por lo menos un laminado de hojas que consta de por lo menos dos capas de hojas metálicas con una capa de hoja eléctricamente aislante emparedada entre cada dos capas, en el que el laminado de hojas comprende botones de contacto y taladros pasantes metalizados , por lo menos una de las capas de hoja metálica está estructurada a la manera de un circuito base y este laminado de hojas se conecta permanentemente a los elementos del semiconductor de potencia por medio de soldadura por ultrasonidos,...

  21. 21.-

    MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA DE DISEÑO DE CONTACTO A PRESIÓN Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO

    (11/2011)

    Módulo de semiconductor de potencia de diseño de contacto a presión, para la disposición en un disipador térmico, provisto de dos sustratos , los cuales comprenden pistas conductoras y componentes del semiconductor en su cara alta encarada alejada del disipador térmico, provisto de una placa base , en el lado inferior de la cual están colocados los dos sustratos y el cual está diseñado con ranuras , a través de las cuales pasan patas de contacto en contacto a presión con las pistas conductoras delos sustratos , las cuales sobresalen de secciones de banda aisladas unas de otras, con los cuales...

  22. 22.-

    APARATO CONVERTIDOR DE POTENCIA Y PROCEDIMIENTO DE ACCIONAMIENTO RELACIONADO PARA GENERADORES CON UNA POTENCIA DE SALIDA QUE VARÍA DINÁMICAMENTE

    (11/2011)

    Un sistema convertidor de potencia que comprende: una disposición de circuito convertidor de potencia para la conexión de un generador de tres fases a una rejilla de potencia ; y un control en el que la disposición de circuito convertidor de potencia consta de una primera conexión directa del generador a la rejilla de potencia , en el que esta conexión, en cada fase , comprende un conmutador y una segunda conexión del generador a la rejilla de potencia , en el que aquí un inversor de cuatro cuadrantes con, como máximo, la mitad de la potencia nominal del...

  23. 23.-

    DISPOSITIVO DE SEPARACIÓN PARA UN SEMICONDUCTOR DE TENSIÓN Y PROCEDIMIENTO DE FUNCIONAMIENTO DEL MISMO, MÓDULO DE POTENCIA Y MONTAJE DEL SISTEMA

    (06/2011)

    Dispositivo de desconexión para un semiconductor de potencia con n conexiones de potencia (8a-c) para una red de potencia , con - n conexiones del módulo (14a-c) las cuales pueden estar conectadas a las conexiones de potencia (8a-c) - n conexiones de red (16a-c) las cuales pueden estar conectadas a la red de potencia - n líneas de conexión (18a-c) que conectan cada módulo de conexión (14a-c) con cada conexión de red (16a-c) y que contiene un interruptor de sobre corriente (20a-c) - un control de disparo (22a-c) conectado a...

  24. 24.-

    INSTALACIÓN EN CONTACTO CON PRESIÓN CON UN MÓDULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (06/2011)

    Una instalación en contacto de presión con un módulo de semiconductor de potencia con una placa base, o para el montaje directo sobre un cuerpo de refrigeración, que consiste en un alojamiento , por lo menos un sustrato eléctricamente aislante , que por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una multiplicidad de vías de conexión metálicas aisladas entre sí colocadas en su primera superficie principal, componentes del semiconductor de potencia colocados sobre la misma y conectados con estas vías de conexión de una manera apropiada para el circuito, así como terminales de conexión configurados por lo menos parcialmente de una...

  25. 25.-

    DISPOSIÓN DE CIRCUITOS CON CONEXIÓN BONDEADA

    (11/2010)

    Disposición de circuitos con un sustrato que presenta circuitos impresos , por lo menos un primer componente semiconductor de potencia y una conexión bondeada asignada, presentando el primer componente semiconductor de potencia una primera superficie de contacto de carga y una segunda superficie de contacto de carga de la misma polaridad, caracterizada porque la conexión bondeada presenta un número impar N de hilos de bondeo , porque la primera mitad de los N-1 hilos de bondeo alcanza desde un primer circuito impreso del sustrato la primera superficie de contacto de carga , porque la segunda mitad de los N-1 hilos...

  26. 26.-

    CONVERTIDOR CON CONDENSADOR DE BAJA INDUCTANCIA EN EL CIRCUITO INTERMEDIO.

    (12/2005)

    Convertidor de la clase de potencia para elevados requerimientos, con un sistema electrónico de potencia en forma de varios interruptores de potencia, tales como transistores y diodos, en construcción híbrida, en por lo menos una cerámica aislante, un sistema de sensores, un embarrado plano intermedio con condensadores , un circuito de mando y un microcontrolador, caracterizado porque los condensadores y la electrónica de potencia están unidos por debajo del embarrado intermedio , de baja inducción, de forma eléctricamente conductora y, por otra parte,...