18 patentes, modelos y diseños de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG

  1. 1.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE ALTO RENDIMIENTO CON UN PORTADOR DEL SUSTRATO CONECTADO Y EL CORRESPONDIENTE PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    (09/2010)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , por lo menos un portador del sustrato con una disposición del circuito diseñada sobre el mismo y elementos de conexión eléctricos que emanan de la disposición del circuito, en el que el portador del sustrato forma la parte de un lado exterior del módulo de semiconductor de potencia y en el que el portador del sustrato se une junto con el alojamiento del módulo de semiconductor de potencia por medio de una conexión, en el que el portador del sustrato tiene por lo menos un orificio que se extiende continuamente desde su superficie principal interior encarada hacia el interior...

  2. 2.-

    UN CIRCUITO CONVERTIDOR CON UN GENERADOR ASINCRONICO DE DOBLE ALIMENTACION CON SALIDA DE POTENCIA VARIABLE Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU FUNCIONAMIENTO

    (09/2010)

    Circuito convertidor con un generador asincrónico de doble alimentación con una salida de potencia variable, el cual puede ser conectado a través de su estator con una red de distribución de tensión , en particular para un generador de energía eólica, con un rectificador del rotor con dos salidas de tensión de corriente continua (26a,b), las cuales se pueden conectar al rotor del generador asincrónico , con un inversor de la red de distribución con dos entradas de tensión de corriente continua (42a,b) y con un circuito intermedio que conecta en cada caso una de las salidas de tensión de corriente continua (26a,b) con una...

  3. 3.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON RESORTES DE CONTACTO

    (05/2010)

    Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento y un sustrato dispuesto en el interior del alojamiento con por lo menos una pista conductora metálica y por lo menos un elemento de conexión que conduce hacia fuera desde la pista conductora o una superficie de contacto de un componente de semiconductor de potencia dispuesto en una pista conductora, en el que por lo menos un elemento de conexión está construido como un resorte de contacto con un primer dispositivo de contacto para el contacto con una pista conductora del sustrato o una superficie de contacto del componente...

  4. 4.-

    DISPOSICION DE CIRCUITO CON DISPOSITIVO DE CONEXION Y EL CORRESPONDIENTE PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    (11/2009)
    Ver ilustración. Inventor/es: HEILBRONNER,HEINRICH,DR, GOBL,CHRISTIAN, BECKEDAHL,PETER, BRAML,HEIKO. Clasificación: H01L21/60.

    Disposición de circuito con un sustrato , pistas conductoras (22 a/b) dispuestas sobre una superficie principal de este sustrato , por lo menos un módulo de semiconductor dispuesto con su primera superficie principal sobre una primera pista conductora (22a), un dispositivo de conexión eléctricamente conductora conectado a por lo menos una superficie de contacto de la segunda superficie principal del módulo de semiconductor , en el que la conexión del módulo de semiconductor al dispositivo de conexión está construida como una conexión sinterizada a presión y en el que un material aislante está dispuesto entre el dispositivo de conexión y un borde asignado del módulo de semiconductor , en el proceso, el dispositivo de conexión está construido como una lámina metálica o como un compuesto de láminas fabricado a partir de por lo menos una lámina metálica y una aislante.

  5. 5.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (11/2009)

    Un módulo de semiconductor de potencia en un diseño de contacto por presión, para disponerlo en un disipador de calor , que comprende por lo menos un sustrato , por lo menos dos componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga dirigidos hacia fuera y elementos de conexión de control y que comprende un dispositivo de presión para introducir presión sobre los elementos de conexión de la carga para el contacto eléctrico de los mismos con trayectorias conductoras del sustrato, en el que el...

  6. 6.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (10/2009)

    Módulo semiconductor de potencia, dotado de un cuerpo envolvente en el que están dispuestos elementos de conexión de carga que tienen dispositivos de contacto dispuestos en cavidades del cuerpo envolvente , cuyas cavidades están constituidas en una pared lateral asociada del cuerpo envolvente , poseyendo además un tapa que cierra el cuerpo envolvente , caracterizado porque el cuerpo envolvente está realizado de forma integral por su parte superior con un marco de estanqueidad periférico y la tapa...

  7. 7.-

    CIRCUITO CON SEÑALIZACION DE ERRORES Y PROCEDIMIENTO ASOCIADO PARA CONTROLAR CONMUTADORES SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

    (09/2009)

    Dispositivo de circuito para controlar conmutadores semiconductores de potencia , dispuesto en topología de puente, que comprende un lado primario y un lado secundario para el conmutador TOP y uno para el conmutador BOT-5 del montaje en puente, como mínimo, un transmisor por cada conmutador semiconductor de potencia controlable para la transmisión, libre de potencial, de la señal de control entre el lado primario y, como mínimo, un lado secundario y, como mínimo, un convertidor CC/CC para la alimentación de tensión del lado secundario desde el lado primario , estando dispuestos en el lado secundario elementos de circuito para almacenar los errores...

  8. 8.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CUERPO DE PRESION

    (08/2009)

    Un módulo de semiconductor de potencia en un diseño de contacto por presión que comprende por lo menos un sustrato , componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga dirigidos hacia fuera y que comprenden un dispositivo de presión con por lo menos un cuerpo de presión , en el que el sustrato comprende trayectorias conductoras al potencial de la carga dispuestas sobre una primera superficie principal del mismo, encaradas al interior del módulo de semiconductor de potencia,...

  9. 9.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (08/2009)
    Ver ilustración. Inventor/es: STEGER,JURGEN, EBERSBERGER,FRANK, LEDERER,MARCO, POPP,RAINER, BOGEN,INGO. Clasificación: H01L23/48, H01L25/07.

    Un módulo de semiconductor de potencia que comprende un alojamiento y por lo menos un elemento de la tarjeta del módulo equipado con componentes del semiconductor , el cual está en contacto con presión con elementos de conexión de la carga , en el que los elementos de conexión de la carga comprenden secciones de tira dispuestas una encima de la otra y aisladas eléctricamente unas con respecto a las otras y patas de contacto las cuales se prolongan desde estas secciones en la misma dirección, dichas patas de contacto extendiéndose a través de ranuras formadas en un cuerpo conformado de material aislante y estando en contacto con presión con el por lo menos un elemento de la tarjeta del módulo y en el que la sección de la tira del elemento de conexión de la carga adyacente al cuerpo conformado de material aislante está separada del cuerpo conformado de material aislante por medio de elementos separadores.

  10. 10.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON RESORTES DE CONTACTO

    (08/2009)

    Un módulo de semiconductor de potencia que comprende un sustrato , trayectorias conductoras dispuestas en una superficie principal de este sustrato , por lo menos un componente del semiconductor dispuesto con su primera superficie principal sobre una primera trayectoria conductora, elementos de conexión configurados como resortes de contacto que sobresalen de la trayectoria conductora o un área de contacto en la segunda superficie principal del componente del semiconductor , en el que estos resortes de contacto comprenden una primera y una segunda sección de contacto y en el que el respectivo resorte de contacto está configurado como...

  11. 11.-

    ELEMENTO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CAPA SECUNDARIA DE PASIVADO Y CORRESPONDIENTE PROCEDIMIENTO DE FABRICACION

    (05/2009)
    Ver ilustración. Inventor/es: KONIG, BERNHARD, SIMIC,DEJAN. Clasificación: H01L23/31.

    Elemento semiconductor de potencia , con un cuerpo semiconductor que tiene, como mínimo, una transición pn y, como mínimo, una capa de pasivado primaria dispuestas sobre una superficie parcial de una superficie principal, en el que, como mínimo, una de dichas capas de pasivado primarias está recubierta por medio de una poliimida aplicable por serigrafía como capa de pasivado secundaria y en el que la poliimida se solapa, como mínimo, con una zona de borde de una capa de pasivado primaria lateralmente.

  12. 12.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON MECANISMO DE CONTACTO

    (03/2009)

    Módulo semiconductor de potencia con por lo menos un material de base , dispuesto sobre éste por lo menos un componente semiconductor de potencia , una caja y un elemento de conexión de carga que conduce hacia afuera , de modo que el material de base presenta un cuerpo de material aislante y sobre su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia hay dispuestos circuitos impresos con potencial de carga, de forma que los elementos de conexión de carga están formados como un primer cuerpo moldeado de metal con por lo menos un mecanismo de contacto con la superficie de contacto para la unión eléctrica externa con un dispositivo de conexión de una entrada de...

  13. 13.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (02/2009)

    Módulo semiconductor de potencia, dotado de un sustrato en forma de plaquita , que sobre una primera superficie principal tiene una capa para la disipación de calor y que en la segunda superficie principal opuesta está dotada de una estructura de pistas conductoras sobre las que están dispuestos los componentes semiconductores de potencia y elementos de conexión para contactos de carga y auxiliares y con un cuerpo envolvente que recubre la segunda superficie principal de los sustratos en forma de plaquita, de manera que el sustrato en forma de plaquita está diseñado con un primer orificio central y el cuerpo envolvente está diseñado con un segundo orificio central , cuyos orificios están alineados axialmente entre sí...

  14. 14.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTO CONDUCTOR

    (05/2008)

    Módulo semiconductor de potencia asistente como mínimo de una caja envolvente , unos elementos de conexión de carga que conducen hacia el exterior, una cantidad de substratos o secciones de substrato configuradas de forma similar eléctricamente aislantes dispuestas dentro de la caja envolvente , para lo cual estas consisten en un elemento de material aislante y sobre la primera superficie principal colindante con la parte interior del módulo semiconductor de potencia encuentran una cantidad de bandas de unión (52 a/b/c/) metálicas aisladas entre si, de distinta polaridad, sobre estas bandas de unión se disponen en cada substrato o sección de substrato como mínimo un componente semiconductor de potencia con elementos de unión...

  15. 15.-

    DISPOSITIVO CON UN MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA Y UN CONECTOR

    (05/2008)

    Dispositivo con un módulo semiconductor de potencia que presenta elementos de contacto de muelle y un conector , presentando el módulo semiconductor de potencia una carcasa y elementos de conexión para conexiones de carga y auxiliares , estando configuradas las conexiones auxiliares como muelles bombeados , cada una extendiéndose a través de una cúpula asignada y sobresaliendo parcialmente de la carcasa , y presentando la carcasa primeros dispositivos de unión para unirse al conector , presentando éste segundos dispositivos...

  16. 16.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (03/2008)

    Módulo semiconductor de potencia con, como mínimo, un primer elemento de conexión eléctrica , como mínimo un sándwich dispuesto encima del mismo y formado por un primer cuerpo de metal laminar , un elemento semiconductor , así como un segundo cuerpo de metal laminar con, como mínimo, un elemento de presión , como mínimo un segundo elemento de conexión eléctrica así como una caja, estando el sándwich dispuesto de forma centrada sobre el primer elemento de conexión eléctrica mediante un dispositivo de centrado a modo de bastidor que consta de dos cuerpos , estando el dispositivo de centrado realizado de tal manera que el primer cuerpo de metal laminar así como el segundo cuerpo de metal laminar quedan...

  17. 17.-

    CONVERTIDOR CON CONTACTO POR PRESION

    (03/2008)
    Ver ilustración. Inventor/es: FRANK,THOMAS. Clasificación: H01L23/48, H01L25/07, H01L23/488.

    Convertidor con contacto por presión que consta de - un substrato con elementos semiconductores dispuestos sobre el mismo y conectados adecuadamente entre sí en función del circuito, - una platina de circuito intermedio de corriente continua , presentando el substrato y/o la platina de circuito intermedio de corriente continua puntos de contacto y presentando dichos puntos de contacto protuberancias deformables , y - elementos de conexión eléctrica para conexiones de corriente continua y alterna, presentando como mínimo uno de los elementos de conexión eléctrica múltiples elevaciones , quedando las superficies de base de las protuberancias sólo parcialmente recubiertas por las elevaciones y quedando las protuberancias deformadas por contacto por presión con las elevaciones de tal manera que la superficie de contacto común de una protuberancia y de una elevación presenta, como mínimo, una quinta parte de la superficie de base de la protuberancia.

  18. 18.-

    CONVERTIDOR CON CONTACTO A PRESION

    (02/2008)
    Ver ilustración. Inventor/es: HARALD, GOBL, CHRISTIAN#EBERHARD. Clasificación: H01L23/32, H01L23/48, H01L25/07, H01R11/01, H01L25/11, H01R33/74.

    Convertidor que comprende un controlador , como mínimo un cuerpo envolvente con una placa de presión fijada a dicho cuerpo o integral con el mismo, para la aplicación de una presión constante, así como un elemento de presión que transmite dicha presión para establecer contacto térmicamente conductor sobre una placa de base eléctricamente aislante , comprendiendo configuraciones de circuitos semiconductores de potencia realizados sobre la misma, dispuestos sobre un cuerpo de refrigeración, y también conexiones de corriente para la conexión eléctricamente conductiva con las superficies de contacto de la placa base , caracterizado porque la placa de presión está realizada en un material combinado que consiste en una pieza metálica postiza con un recubrimiento de material plástico , presentando dicha placa de presión con respecto a la pieza metálica postiza unos pasos aislados , y el controlador está dispuesto directamente sobrela placa de presión.