6 patentes, modelos y diseños de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG PATENTABTEILUNG

  1. 1.-

    MODULO DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (09/2010)

    Módulo de semiconductor de potencia con condensadores conectados entre sí en paralelo, los primeros elementos de conexión de los cuales están en contacto con un primer carril conductor y los segundos elementos de conexión de los cuales están en contacto con un segundo carril conductor , en el que un elemento aislante está provisto entre los dos carriles conductores y el cual tiene un dispositivo de compresión , en el que el dispositivo de compresión tiene por lo menos un cuerpo de compresión y un cuerpo de compresión de contrapartida...

  2. 2.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTOS DE CONEXION AISLADOS ELECTRICAMENTE ENTRE SI

    (05/2009)

    Módulo semiconductor de potencia , para su colocación sobre un componente refrigerante , con al menos un sustrato , al menos dos componentes semiconductores de potencia , una carcasa y elementos de conexión de carga y de control que conducen hacia el exterior, presentando el sustrato un cuerpo de material aislante y con vías conductoras con potencial de carga dispuestas sobre la primera superficie principal de aquél orientada hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, estando los elementos de conexión de carga realizados en cada caso como cuerpos moldeados de metal con dispositivos de contacto externos , una sección en banda y unos dispositivos de contacto internos que parten de dicha sección, extendiéndose los dispositivos...

  3. 3.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA

    (03/2009)

    Módulo semiconductor de potencia para su colocación en un componente de refrigeración , con por lo menos un sustrato , por lo menos dos elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b), una carcasa y elementos de conexión de carga y de control que conducen al exterior, presentando el sustrato un cuerpo aislante y presentando, en su primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia, por lo menos una única pista de conexión de carga con potencial de tensión alterna y por lo menos una pista conductora (56 a/b) con potencial de control, presentando los elementos semiconductores de potencia controlables (70 a/b) una primera superficie principal con una primera superficie...

  4. 4.-

    MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON CAPA INTERMEDIA AISLANTE Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION

    (03/2009)

    Módulo semiconductor de potencia con una caja con elementos de conexión dirigidos hacia fuera, con por lo menos un material de base aislado eléctricamente y dispuesto dentro de la caja , que consta por lo menos de un cuerpo de material aislante y sobre la primera superficie principal dirigida hacia el interior del módulo semiconductor de potencia se encuentran varias pistas de unión metálicas aisladas eléctricamente entre sí y con por lo menos un elemento semiconductor de potencia dispuesto sobre una de dichas pistas de unión, con por lo menos un elemento de unión y por lo menos un cuerpo moldeado...

  5. 5.-

    DISPOSITIVO DE CONTACTO PARA MODULOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Y CELDAS DISCOIDALES SEMICONDUCTORAS

    (12/2008)

    Dispositivo de contacto para establecer el contacto con la terminal de control de un componente semiconductor de potencia en un módulo semiconductor de potencia o en una celda discoidal, estando dispuesto sobre el componente semiconductor de potencia un cuerpo moldeado que en la zona de la terminal de control presenta una cavidad pasante y esta cavidad presenta a su vez un estribo , constando el dispositivo de contacto de un muelle de contacto con una prolongación en forma de clavija situada en el extremo del muelle que proporciona el contacto con la terminal de control , y con una conexión directa o a través de una pieza metálica...

  6. 6.-

    PROCEDIMIENTO PARA EL AISLAMIENTO ELECTRICO DE UN SUSTRATO PARA UN MODULO DE POTENCIA

    (12/2008)

    Procedimiento para el aislamiento eléctrico interior de un sustrato para un módulo semiconductor de potencia con una envolvente aislante a modo de bastidor con tapa y con un sustrato aislante que comprende, como mínimo, un circuito impreso y, como mínimo, un componente semiconductor de potencia dispuesto sobre el mismo que está conectado de forma adaptada al circuito, preferentemente, mediante conexiones de unión a elementos de conexión , otros circuitos impresos y/o elementos semiconductores de potencia , caracterizado por los siguientes pasos substanciales: - Formación del sustrato con, como mínimo, un elemento semiconductor de potencia y las conexiones...