6 patentes, modelos y diseños de PIHER SEMICONDUCTORES, S.A.

  1. 1.-

    DIODO RECTIFICADOR PERFECCIONADO.

    (11/1980)
    Clasificación: H01L29/91.

    Diodo rectificador perfeccionado, del tipo formado por un dado de material semiconductor cuyas caras presentan zonas modificadas con uniones de signos eléctricos diferentes, caracterizado esencialmente porque la fijación de los extremos internos, de forma aplanada, de los terminales de conexión eléctrica, se halla realizada directamente, sin el empleo de preformas, mediante soldadura constituida por un material de aportación de adecuado punto de fusión.

  2. 2.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE RECTIFICADORES DE CORRIENTE CONSTITUIDOS POR SEMICONDUCTORES.

    (12/1979)

    Perfeccionamientos en la fabricación, de rectificadores de corriente constituidor por semiconductores, del tipo formado a base de una pastilla de un elemento semiconductor cuyas caras opuestas reciben convencionalmente la aplicación de sendos elementos formantes de uniones P y N, respectivamente, caracterizados esencialmente por efectuarse la deposición por métodos fotolitográficos, sobre una de las caras de la pastilla de semiconductor previamente preparada y adicionada para la constitución de una unión tipo N-P, de una máscara de un material resistente a la...

  3. 3.-

    PROCEDIMIENTO PARA LA PASIVACION DE MATERIALES SEMICONDUCTORES.

    (01/1978)
    Clasificación: H01L21/469.

    Procedimiento para la pasivación de materiales semiconductores, caracterizado por la deposición de una capa pasivadora constituida por una asociación homogénea de óxido de silicio y pentóxido de fósforo, en un espesor del orden de los 3.000 amperios, obtenida en el interior de un reactor de características apropiadas, practicándose seguidamente sobre las dos deposiciones anteriores unas aberturas destinadas al establecimiento de los contactos de conexión con las zonas de difusión negativa y positiva, respectivamente.

  4. 4.-

    REACTOR PARA PASIVACION.

    (08/1977)
    Clasificación: H01L.

    Reactor para pasivación, destinado a la modificación físico-química de obleas de materiales semiconductores, caracterizado esencialmente por consistir en un cuerpo tubular de un material altamente resistente a la acción del calor y de los elementos químicos, tal como el cuarzo, que presenta en uno de sus extremos entradas para la introducción independiente de nitrógeno, oxígeno, monosilano y fosfamina y, eventualmente, otros cuerpos en estado gaseoso, realizándose su mezcla íntima en el interior del reactor mediante un difusor asociado a la entrada de los mismos, figurando en la parte correspondiente al fondo del cuerpo tubular un soporte para la colocación de las obleas del material a pasivar, calentado mediante una resistencia eléctrica dispuesta en el interior del soporte y que tiene sus terminales conectados mediante conductores externos a una fuente de alimentación, derivándose del otro extremo del cuerpo tubular una conducción para la salida de gases tras la realización del proceso.

  5. 5.-

    PERFECCIONAMIENTOS EN LA FABRICACION DE CIRCUITOS ELECTRONICOS INTEGRADOS.

    (02/1977)
    Clasificación: H01L23/48.

    Resumen no disponible.

  6. 6.-

    CIRCUITO MODULAR INTEGRADO PARA MONTAJES ELECTRONICOS.

    (02/1977)
    Clasificación: H02B.

    Circuito modular integrado para montajes electrónicos, caracterizado esencialmente por consistir en un primer transistor del tipo PNP lateral con su emisor actuante como inyector de corriente y su colector en funciones de base de un segundo transistor, siendo éste del tipo NPN y actuando en forma inversa a la convencional, de manera que su emisor y su colector aparecen permutados, poseyendo una pluralidad de colectores que forman las diversas salidas del elemento lógico.