18 patentes, modelos y diseños de LAM RESEARCH CORPORATION

  1. 1.-

    PIEZAS UNIDAS POR ELASTOMERO PARA PROCESOS POR PLASMA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y USO DE LAS MISMAS.

    (12/2006)
    Ver ilustración. Inventor/es: LILLELAND, JOHN, HUBACEK, JEROME, S., KENNEDY, WILLIAM, S., MARASCHIN, ROBERT, A. Clasificación: H01J37/32.

    Un conjunto de junta elastomérica de una cámara de reacción de plasma usada en el proceso de un sustrato semiconductor, que comprende: una primera pieza que tiene una superficie de unión, una segunda pieza que tiene una superficie de unión en contacto con la superficie de unión de la primera pieza ; y una junta elastomérica entre la primera pieza y la segunda pieza , fijando de forma resiliente la junta elastomérica la primera pieza con la segunda pieza para permitir el movimiento entre la primera pieza y la segunda pieza durante el ciclo de temperaturas de las mismas; en el que dicha junta elastomérica está localizada en un rebajo en la primera pieza definido por una pared que protege la junta elastomérica del ataque por el medio de plasma en una cámara de reactor de plasma.

  2. 2.-

    DISPOSITIVOS PARA CONTROLAR LA DIFERENCIA DE FASE EN SISTEMAS DE PROCESAMIENTO DE PLASMA.

    (06/2006)

    LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN METODO PARA UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA, PARA MODIFICAR UNA DIFERENCIA DE FASE ENTRE UNA PRIMERA FRECUENCIA DE RADIO (RF) Y UNA SEGUNDA SEÑAL RF. UNA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA LA PRIMERA SEÑAL RF AL PRIMER ELECTRODO, Y UNA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF PROPORCIONA UNA SEGUNDA SEÑAL RF A UN SEGUNDO ELECTRODO DE UN SISTEMA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA. LA SEGUNDA FUENTE DE ENERGIA RF ESTA ACOPLADA A LA PRIMERA FUENTE DE ENERGIA RF COMO ESCLAVA EN UNA CONFIGURACION AMA-ESCLAVA. EL METODO INCLUYE UN PASO DE DETERMINACION DE UNA DIFERENCIA...

  3. 3.-

    PROCEDIMIENTO Y APARATO PARA SUPERVISAR IN SITU PROCEDIMIETOS DE DEPOSICION Y GRABADO POR PLASMA USANDO UNA FUENTE DE LUZ DE BANDA ANCHA PULSADA.

    (04/2006)

    Un monitor de proceso para determinar parámetros de proceso durante un proceso de grabado por plasma de una oblea, comprendiendo el monitor de proceso: una lámpara de destellos que emite radiación óptica de banda ancha; un módulo de formación de haces operable para colimar la radiación óptica emitida por la lámpara de destellos sobre el oblea y para enfocar la radiación óptica reflejada por el oblea; un espectrógrafo que responde a la radiación óptica reflejada por el oblea; y un elemento de procesado de datos para procesar una primera señal y una segunda señal procedente del espectrógrafo, siendo representativa la primera señal de radiación...

  4. 4.-

    METODO Y APARATO PARA EL CONTROL DE PRESION EN EQUIPOS DE PROCESO EN VACIO.

    (11/2005)

    Un método para controlar la presión en una cámara de procesado que ha sido sometida a evacuación , que comprende los pasos de: recuperar de la memoria electrónica un valor deseado de la presión que refleje un nivel de presión deseado para la cámara de procesado ; recuperar de la memoria electrónica un valor deseado del flujo de gas que represente un caudal de gas deseado a través de la cámara de procesado ; obtener acceso desde la memoria electrónica a una función matemática que tiene un dominio que comprende las presiones en la cámara de procesado y los caudales de flujo de gas al interior de la cámara de procesado , y que abarca un campo que comprende las posiciones...

  5. 5.-

    PROCEDIMIENTOS PARA GRABAR UNA CAPA QUE CONTIENE ALUMINIO.

    (06/2005)

    Un procedimiento para el grabado de porciones seleccionadas de una capa que contiene aluminio de un apilamiento de capas, estando dicho apilamiento de capas dispuesto sobre un substrato, estando dicha capa que contiene aluminio dispuesta debajo de una máscara de fotoresist que tiene un esquema sobre la misma, el cual comprende: proporcionar una cámara de tratamiento con plasma; posicionar dicho substrato que tiene sobre él dicho apilamiento de capas, incluyendo dicha capa que contiene aluminio y dicha máscara de fotoresist, dentro de dicha cámara de tratamiento con plasma; hacer fluir una fuente gaseosa...

  6. 6.-

    ELECTRODO PARA PROCESOS CON PLASMA Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y USO DEL MISMO.

    (04/2005)
    Ver ilustración. Inventor/es: LILLELAND, JOHN, HUBACEK, JEROME, S., KENNEDY, WILLIAM, S. Clasificación: H01J37/32.

    Un conjunto de electrodo útil para una cámara de reacción de plasma utilizada en el proceso de substratos semiconductores, el cual comprende: un elemento soporte; un electrodo activado por radiofrecuencia que tiene en uno de sus lados una superficie energizada con radiofrecuencia; caracterizado porque: el elemento soporte tiene una superficie de unión, dicho electrodo accionado por radiofrecuencia tiene una superficie de unión, en un borde exterior y en un lado opuesto a la superficie energizada por radiofrecuencia, que se pone en contacto con la superficie de unión del elemento soporte, una junta elastomérica entre el borde exterior del electrodo y el elemento soporte, caracterizada porque la junta elastomérica es un material de unión o adhesivo elastomérico polimerizable que sujeta elásticamente el electrodo al elemento soporte de manera que permita un movimiento entre el electrodo y el elemento soporte durante las variaciones cíclicas de temperatura de los mismos.

  7. 7.-

    METODO Y APARATO PARA CONTROLAR IMPEDANCIAS REACTIVAS DE UNA RED DE ADAPTACION CONECTADA ENTRE UNA FUENTE R.F. Y UN PROCESADOR DE PLAMA R.F.

    (04/2004)

    UN CAMPO R.F. ES PROPORCIONADO POR UN ELEMENTO DE IMPEDANCIA REACTIVA A UN PLASMA EN UNA CAMARA DE PROCESAMIENTO DE PLASMA EN VACIO. EL ELEMENTO Y LA FUENTE ESTAN CONECTADOS MEDIANTE UNA RED DE ADAPTACION, QUE INCLUYE UNA PRIMERA Y SEGUNDA REACTANCIAS VARIABLES QUE CONTROLAN LA CARGA DE LA FUENTE Y LA SINTONIZACION DE UNA CARGA, INCLUIDO EL ELEMENTO DE IMPEDANCIA REACTIVA Y EL PLASMA, A LA FUENTE. LOS VALORES DE LA PRIMERA Y SEGUNDA REACTANCIAS VARIABLES SON MODIFICADOS PARA DETERMINAR EN QUE MEDIDA VA A CAMBIAR LA PRIMERA REACTANCIA VARIABLE PARA CADA CAMBIO DE UNIDAD DE LA SEGUNDA REACTANCIA VARIABLE, CON EL FIN DE CONSEGUIR LA MEJOR ADAPTACION ENTRE LAS IMPEDANCIAS QUE SE OBSERVA QUE ESTAN ORIENTADAS...

  8. 8.-

    METODO Y APARATO PARA EL CONTROL DE PRESION EN PROCESADORES A VACIO.

    (01/2004)

    Un método para controlar la presión en una cámara de procesado que ha sido sometida a evacuación , que comprende los pasos de: recuperar de la memoria electrónica un valor deseado de la presión que refleje un nivel de presión deseado para la cámara de procesado; recuperar de la memoria electrónica un valor deseado del flujo de gas que represente un caudal de gas deseado a través de la cámara de procesado; situar en posición una válvula de estrangulación en una posición inicial, la válvula de estrangulación usada para controlar la presión en la cámara de procesado; medir la presión dentro de la cámara de...

  9. 9.-

    SOPORTE DE OBLA ELECTROSTATICO CON REALIMENTACION DINAMICA.

    (11/2003)

    LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN SISTEMA DE SOPORTE ELECTROSTATICO PARA SUJETAR DE FORMA SEGURA UNA OBLEA SOBRE UNA SUPERFICIE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO , SISTEMA QUE CONSTA DE UN SENSOR DE SESGO DE OBLEAS ACOPLADO A UNA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO PARA DETECTAR UNA SEÑAL CORRIENTE ELECTROSTATICA ALTERNANTE EN LA PRIMERA PARTE. EL SENSOR PRODUCE COMO RESULTADO, EN RESPUESTA A LA SEÑAL DE CORRIENTE ALTERNANTE, UN NIVEL DE TENSION DE CORRIENTE DIRECTA QUE REPRESENTA UN NIVEL DE SESGO DE CORRIENTE DIRECTA DE LA OBLEA, Y ESTA ACOPLADO A UNA FUENTE DE ENERGIA VARIABLE QUE PROPORCIONA UN PRIMER NIVEL DE POTENCIAL A LA PRIMERA PARTE DEL SOPORTE ELECTROSTATICO....

  10. 10.-

    VENTANA RESISTENTE AL ATAQUE Y A LA ALTA PULVERIZACION CATODICA PARA CAMARAS DE PROCESO POR PLASMA.

    (04/2003)
    Inventor/es: HOWALD, ARTHUR, M., CHEN, ANTHONY, L., SCHOEPP, ALAN, M. Clasificación: H01J37/32.

    Una ventana para una cámara de proceso por plasma, que comprende: una primera parte dieléctrica que tiene un primer grosor eléctrico y una primera resistividad respecto a un plasma ácido de grabado que está formada dentro de dicha cámara de proceso por plasma; y una segunda parte dieléctrica dispuesta dentro de dicha primera parte dieléctrica, teniendo dicha segunda parte dieléctrica un segundo grosor eléctrico que es menor que dicho primer grosor eléctrico, estando formada dicha segunda parte dieléctrica de un material sustancialmente transparente y que tiene una segunda resistividad respecto a dicho plasma ácido de grabado, siendo dicha segunda resistividad mayor que dicha primera resistividad.

  11. 11.-

    CONJUNTO DE ANILLO DE ENFOQUE PARA ELIMINAR SUSTANCIALMENTE EL PLASMA LIBRE EN UNA CAMARA DE TRATAMIENTO CON PLASMA.

    (03/2003)
    Inventor/es: LENZ, ERIC, H. Clasificación: H01J37/32.

    Un conjunto de anillo de enfoque configurado para rodear substancialmente un plato portapiezas de una cámara de tratamiento con plasma, el cual incluye: un cuerpo dieléctrico anular; y una coraza conductora de la electricidad que rodea a dicho cuerpo dieléctrico anular, estando configurada dicha coraza conductora de la electricidad para que quede eléctricamente puesta a tierra en el interior de dicha cámara de tratamiento con plasma, incluyendo dicha coraza conductora de la electricidad: una parte tubular que está situada fuera de dicho cuerpo dieléctrico anular y rodeando al menos una parte de dicho cuerpo dieléctrico anular, caracterizado por una parte de collarín orientada hacia dentro que está en contacto eléctrico con dicha parte tubular, formando dicha parte de collarín un plano que corta a dicha parte tubular, estando dicha parte de collarín embebida en dicho cuerpo dieléctrico anular.

  12. 12.-

    DISPOSICION BASADA EN LEVAS PARA SITUAR ANILLOS DE CONFINAMIENTO EN UNA CAMARA DE PROCESO POR PLASMA.

    (03/2003)

    Una disposición basada en levas configurada para mover un anillo de confinamiento a lo largo de un primer eje de una cámara de proceso por plasma, estando dispuesto dicho anillo de confinamiento en un plano que es ortogonal a dicho primer eje, que comprende: un anillo de levas que tiene una pluralidad de regiones de levas formadas sobre una primera superficie de dicho anillo de levas; una pluralidad de palpadores de levas en contacto rodante con dicha primera superficie de dicho anillo de levas; una pluralidad de émbolos orientados paralelos a dicho primer eje, estando acoplada dicha pluralidad de émbolos a uno de entre...

  13. 13.-

    APARATO PARA LA IMPRESION DE PLASMA MEDIANTE EL USO DE PLASMA CONFINADO.

    (01/2003)
    Inventor/es: LENZ, ERIC HOWARD, DIBLE, ROBERT DUANE. Clasificación: H01J37/32.

    UN APARATO DE ATAQUE QUIMICO POR PLASMA INCLUYE UN PILA DE ANILLOS DE CUARZO QUE ESTAN SEPARADOS ESPACIOSAMENTE PARA FORMAR RANURAS ENTRE ELLOS Y QUE ESTAN POSICIONADOS PARA RODEAR UN ESPACIO DE INTERACCION ENTRE DOS ELECTRODOS DEL APARATO EN DONDE SE FORMA EL PLASMA DURANTE EL FUNCIONAMIENTO DEL APARATO. LAS DIMENSIONES DE LAS RANURAS ESTAN ESCOGIDAS PARA ASEGURAR QUE LAS PARTICULAS CARGADAS DE LOS GASES GASTADOS EN EL PLASMA QUE ABANDONA EL ESPACIO DE INTERACCION, SON NEUTRALIZADAS POR COLISIONES CON LA PARED CUANDO SALEN DE LAS RANURAS. DOS FUENTES DE TENSION DE DIFERENTES FRECUENCIAS SON UTILIZADAS PARA APLICAR VOLTAJES A LOS ELECTRODOS DE MANERA QUE AISLAN LAS FUENTES ENTRE SI.

  14. 14.-

    PROCESADOR DE PLASMA PARA GRANDES PIEZAS.

    (02/2002)
    Inventor/es: BEER, RICHARD, BARNES, MICHAEL, BENJAMIN, NEIL, HOLLAND, JOHN, VELTROP, ROBERT. Clasificación: H01J37/32.

    UN PROCESADOR DE PLASMA PARA PIEZAS A MAQUINA GRANDES INCLUYE UNA CAMARA DE VACIO QUE TIENE VENTANAS DIELECTRICAS INDIVIDUALMENTE SOPORTADAS PLURALES PARA ACOPLAR UN CAMPO R.F. QUE SE ORIGINA FUERA DE LA CAMARA DENTRO DE LA CAMARA PARA EXCITAR EL PLASMA. UNA BOBINA PLANAR PARA DERIVAR INDUCTIVAMENTE EL CAMPO TIENE SEGMENTOS PLURALES CON LA MISMA LONGITUD ELECTRICA, CADA UNO INCLUYENDO UN ELEMENTO CONECTADO EN PARALELO CON UN ELEMENTO DE OTRO SEGMENTO.

  15. 15.-

    MORDAZA CON PARTE DE SOMBRA.

    (01/2001)
    Inventor/es: LENZ, ERIC HOWARD, BRUMBACH, HENRY. Clasificación: H01L21/00, H01L21/68.

    UN ELEMENTO DE PINZADO DE LAMINA PARA PINZAR UNA LAMINA EN UNA CAMARA DE REACCION DE PLASMA. EL ELEMENTO TIENE UN DISEÑO QUE MINIMIZA LA CONTAMINACION DE PARTICULAS DE LA LAMINA Y QUE PERMITE PROCESAR MAS LAMINAS ANTES QUE SEA NECESARIO LA LIMPIEZA DE DEPOSITOS ACUMULADOS EN EL ELEMENTO DE PINZA . EL ELEMENTO INCLUYE UNA PARTE DE PINZA QUE PINZA UNA PERIFERIA EXTERNA DE LA LAMINA CONTRA UN ELECTRODO INFERIOR , Y UNA PARTE ENCUBIERTA QUE PROPORCIONA UN HUECO ENTRE UN BORDE INTERNO DEL ELEMENTO DE PINZA Y LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA LAMINA . EL HUECO ESTA ABIERTO HACIA EL INTERIOR DE LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA, Y POSEE PREFERIBLEMENTE UNA ALTURA IGUAL A APROXIMADAMENTE EL CURSO LIBRE MEDIO DE UN GAS ACTIVADO PARA FORMAR UN PLASMA EN LA CAMARA DE REACCION DE PLASMA.

  16. 16.-

    INCREMENTO DEL PLASMA INDUCIDO POR LA TOPOLOGIA PARA MEJORAR LA UNIFORMIDAD DEL GRABADO.

    (10/2000)
    Inventor/es: MUNDT, RANDALL, S., LENZ, ERIC HOWARD, KERR, DAVID, R. Clasificación: H01J37/32, B44C1/22, C23C14/00.

    UN ELECTRODO DE DESCARGA DE PLASMA QUE TIENE UNA SUPERFICIE FRONTAL CON UNA PORCION CENTRAL DE LA MISMA QUE INCLUYE SALIDAS PARA DESCARGAR GAS REACTIVO QUE FORMA UN PLASMA Y UNA PORCION PERIFERICA QUE RODEA SUSTANCIALMENTE LAS SALIDAS. LA PORCION PERIFERICA TIENE AL MENOS UN HUECO PARA AUMENTAR LOCALMENTE UNA DENSIDAD DEL PLASMA FORMADO POR EL ELECTRODO . EL HUECO PUEDE ESTAR FORMADO EN UN INSERTO REEMPLAZABLE Y EL ELECTRODO PUEDE ESTAR HECHO DE UN CRISTAL UNICO DE SILICIO.

  17. 17.-

    METODO Y APARATO PARA PRODUCIR PLASMA PLANAR ACOPLADO MAGNETICAMENTE.

    (03/1998)
    Inventor/es: OGLE, JOHN SELDON. Clasificación: H01J37/32, H05H1/46.

    UN APARATO PARA PRODUCIR UN PLASMA PLANAR EN UN GAS DE PROCESO A BAJA PRESION INCLUYE UNA CAMARA Y UNA BOBINA PLANAR EXTERIOR. SE INDUCE CORRIENTE RESONANTE DE RADIOFRECUENCIA EN LA BOBINA PLANAR QUE A SU VEZ PRODUCE UN CAMPO MAGNETICO PLANAR DENTRO DE LA CAJA. EL CAMPO MAGNETICO PRODUCE LA CIRCULACION DEL FLUJO DE ELECTRONES QUE A SU VEZ PRODUCE UNA REGION PLANAR DE ESPECIES IONICAS Y RADICALES. EL SISTEMA PUEDE USARSE PARA TRATAMIENTO DE PLASMA DE UNA VARIEDAD DE ARTICULOS PLANARES, TIPICAMENTE DISCOS SEMICONDUCTORES QUE SE ORIENTAN DE FORMA PARALELA AL PLASMA DENTRO DE LA CAJA.

  18. 18.-

    APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA EL TRATAMIENTO CON PLASMA EN EL CUAL SE INDUCE UN CAMPO ELECTRICO UNIFORME A TRAVES DE UNA VENTANA DIELECTRICA.

    (10/1997)

    UN APARATO PARA GRABAR CON PLASMA O PARA UNA DEPOSICION DE PLASMA QUE INCLUYE UN RECEPTACULO QUE TIENE UNA CAMARA EN LA QUE SE PUEDE TRATAR UNA PLAQUITA (W) CON PLASMA. EL RECEPTACULO INCLUYE AL MENOS UN ORIFICIO DE ENTRADA CONECTADO AL INTERIOR DE LA CAMARA A TRAVES DEL CUAL SE PUEDE SUMINISTRAR EL GAS DE PROCESO A LA CAMARA. HAY UNA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA DISPUESTA PARA HACER PASAR UNA ENERGIA RADIOELECTRICA A LA CAMARA Y PARA INDUCIR EL PLASMA QUE SE ENCUENTRA EN EL INTERIOR DE LA CAMARA A BASE DE ACTIVAR, CON UN CAMPO ELECTRICO INDUCIDO POR LA FUENTE DE ENERGIA RADIOELECTRICA, EL GAS DE PROCESO SUMINISTRADO A LA CAMARA A...