27 patentes, modelos y diseños de HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

  1. 1.-

    Método de corte de un sustrato con una formación a lo largo de una línea de puntos modificados por superposición en el interior del sustrato

    (02/2015)

    Un método de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar el sustrato con una luz (L) láser, caracterizado por que la luz (L) láser tiene una luz láser pulsada que tiene un ancho de pulso no mayor que 1 μs en un punto (P) de convergencia dentro del sustrato , de manera que el punto (P) de convergencia de la luz láser pulsada se coloca dentro del sustrato y una potencia pico de la luz (L) láser en el punto (P) de convergencia no es menor que 1 X 108 (W/cm2); y además caracterizado por las etapas siguientes: mover relativamente el punto (P) de convergencia de la luz...

  2. 2.-

    Procedimiento de corte de un sustrato con localización de región modificada con láser cerca de una de las superficies del sustrato

    (01/2015)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio , que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser por impulsos (L), caracterizado por que la luz láser por impulsos (L) tiene una anchura de impulsos no más grande que 1 μs en un punto de convergencia (P) en el interior del sustrato , de tal modo que el punto de convergencia (P) de la luz láser por impulsos (L) se encuentra en el interior del sustrato...

  3. 3.-

    Un método de corte de un objeto a lo largo de dos direcciones diferentes usando adicionalmente una hoja elástica para dividir el objeto

    (12/2014)

    Un método de procesamiento del objeto hecho de un material transmisor de luz cuya superficie reposa en un plano X-Y, y está formado con una pluralidad de secciones de circuito , estando el método caracterizado por las siguientes etapas de: irradiación del objeto con luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto para formar una primera zona modificada solamente dentro del objeto por debajo de una superficie de incidencia del láser del objeto , en el que, la primera zona modificada está separada de la superficie...

  4. 4.-

    Procedimiento de procesamiento de un objeto con formación de tres regiones modificadas como punto de partida para cortar el objeto

    (11/2014)

    Un procedimiento de procesamiento láser de un objeto que va a cortarse, comprendiendo el procedimiento: irradiar el objeto con una luz láser (L) con un punto de convergencia de luz (P) ubicado en el interior del objeto para formar una región modificada en el interior del objeto a lo largo de una línea a lo largo de la cual se pretende que se corte el objeto ; caracterizado adicionalmente por las etapas de: cambiar la posición del punto de convergencia de luz (P) del láser (L) en una dirección de incidencia de la luz láser (L) que irradia el objeto con respecto al objeto , para formar una pluralidad de las regiones modificadas que se alinean entre sí...

  5. 5.-

    Chip semiconductor cortado

    (10/2014)

    Un chip semiconductor obtenido a partir de una plaqueta semiconductora, en el que el sustrato semiconductor tiene una estructura mono-cristalina de silicio, en el que el chip semiconductor tiene una superficie de corte formada haciendo que se produzca una fractura cuando se corta la plaqueta semiconductora, caracterizado porque la superficie de corte comprende al menos una región procesada fundida y al menos una pequeña cavidad formadas por un haz láser a lo largo de una dirección del grosor del chip semiconductor en una parte de la superficie de corte, en el que la al menos una región procesada fundida comprende una pluralidad de regiones...

  6. 6.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (06/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor , que tiene una lamina pegada al mismo mediante una capa de resina de pegado de plaquetas , con luz laser (L) mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada ; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada , a fin de cortar el sustrato semiconductor y la capa de resina de pegado de plaquetas a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada , caracterizado...

  7. 7.-

    Dispositivo para medir una probeta de inmunocromatografía

    (04/2014)

    Dispositivo de medición para una probeta de inmunocromatografía, que comprende un sistema óptico de irradiación para irradiar luz de medición sobre una probeta de inmunocromatografía , y un sistema óptico de detección para detectar luz reflejada desde la probeta de inmunocromatografía bajo irradiación con la luz de medición, en el que dicho sistema óptico de irradiación comprende: un elemento emisor de luz de semiconductores ; un elemento de conformación del haz para conformar la luz del elemento emisor de luz de semiconductores en un haz de una sección de haz que se extiende en una dirección sustancialmente...

  8. 8.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al mismo con luz laser mientras se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , a fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor , y se causa que la region modificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; y expandir la lamina despues de la etapa de formar la parte que esta destinada a ser cortada, a fin de cortar...

  9. 9.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de irradiar un sustrato semiconductor con luz láser mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, y se causa que la región modificada forme una parte destinada a ser cortada; y expandir una lámina después de la etapa de formar la parte destinada a ser cortada, con el fin de cortar el sustrato semiconductor...

  10. 10.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (04/2014)

    Un procedimiento de procesamiento por láser para cortar un objeto a procesar que incluye un sustrato semiconductor y unos dispositivos funcionales dispuestos en el sustrato, comprendiendo el procedimiento las etapas de pegar una película protectora a una cara delantera del objeto en el lado de los dispositivos funcionales, irradiar el objeto con luz láser mientras se usa una cara trasera del objeto como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor con el fin de formar una región modificada dentro del sustrato semiconductor, causando que la región modificada forme una región de inicio de corte a lo largo...

  11. 11.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (01/2014)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar con luz laser un sustrato semiconductor que tiene una lamina pegada al nnismo por medio de una capa deresina de pegado de plaquetas mientras se ubica un punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una region modificada dentro del sustrato semiconductor , y causando que la regiónmodificada forme una parte que esta destinada a ser cortada; generar una tensi6n en el sustrato semiconductor a lo largo de la parte que esta destinada a ser cortada despuesde la etapa de formar la parte...

  12. 12.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor por medio de una capa de resina depegado de plaquetas ; después del pegado de la lámina a la cara trasera del sustrato semiconductor , formar una regiónprocesada fundida dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor...

  13. 13.-

    Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

    (11/2013)

    Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor que tiene una cara delantera formada con un dispositivo funcional a lo largo de una línea de corte , comprendiendo el procedimiento las etapas de: irradiar el sustrato semiconductor con luz láser mientras se usa una cara trasera del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y se ubica un punto de convergencia de la luz dentro del sustrato semiconductor , con el fin de formar una región modificada, y hacer que la región modificada forme una región de...

  14. 14.-

    Procedimiento de procesamiento por láser y chip

    (09/2013)

    Un procedimiento de procesamiento por láser de irradiar con luz láser un objeto plano a procesar, en el que elobjeto plano comprende una cara delantera (11a) y una superficie trasera opuesta a la cara delantera, a la vezque se ubica un punto de convergencia dentro del objeto, a fin de formar una región modificada para que sea unpunto de inicio de corte dentro del objeto a lo largo de una línea de corte en el objeto, comprendiendo elprocedimiento las etapas de: formar una primera y segunda regiones modificadas (M1, M2), dispuestas...

  15. 15.-

    Procedimiento de mecanizado por haz de láser

    (04/2012)

    Un procedimiento de corte de un sustrato de material semiconductor, un sustrato de material piezoeléctrico o un sustrato de vidrio que va a cortarse por procesamiento láser que comprende: irradiar el sustrato que va a cortarse con un haz de láser, y; cortar el sustrato a lo largo de la línea a lo largo de la cual se pretende cortar el sustrato , caracterizado por que la etapa de irradiación comprende irradiar el sustrato que va a cortarse con un láser pulsado (L) con un punto de convergencia de luz (P) que se encuentra en el interior del sustrato en una condición con una densidad de potencia máxima de al menos 1 x 108 W/cm2 en el punto de convergencia de luz (P) y una anchura...

  16. 16.-

    Método para dividir un sustrato

    (03/2012)

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región modificada debido a la absorción multi-fotón dentro del sustrato , y causa que la región modificada forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual se cortará el sustrato , en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; esmerilar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte, de modo...

  17. 17.-

    Dispositivos de procesamiento con láser

    (03/2012)

    Aparato de procesamiento con láser para irradiar un objeto a procesar en forma de oblea con luz láser (L1) mientras se sitúa un punto de convergencia de la luz (P) en el interior del objeto para así formar una zona modificada , comprendiendo el aparato: un expansor de haz para aumentar el tamaño de haz de la luz láser emitida desde una fuente de luz láser ; una lente condensadora para converger la luz láser que incide sobre la misma por medio del expansor de haz hacia el objeto; y caracterizado por: un elemento de sujeción de la lente que sujeta la lente condensadora y que incluye un primer orificio de transmisión de luz para hacer que la luz láser incida sobre la lente condensadora; en el cual un elemento...

  18. 18.-

    MÉTODO DE PROCESAMIENTO POR LÁSER

    (08/2011)

    Un método de procesamiento por láser que comprende la etapa irradiar un objeto que tiene que procesarse que comprende un sustrato y una parte laminada dispuesta en una cara delantera del sustrato con luz de láser (L), mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato , para formar una región modificada sólo dentro del sustrato , y hacer que la región modificada forme una región del punto de partida, ubicada dentro del sustrato a una distancia predeterminada desde la cara incidente de luz de láser del objeto , para cortar el objeto; cortar el sustrato y la parte laminada...

  19. 19.-

    APARATO DE CAPTURA DE IMÁGENES, MÉTODO DE CAPTURA DE IMÁGENES Y PROGRAMA DE CAPTURA DE IMÁGENES

    (06/2011)

    Un aparato de captura de imagen que comprende: medio de captura de imagen macro para la captura de imagen macro de una muestra (S); medio de captura de imagen micro para la captura de la imagen micro de la muestra (S) mediante el escaneado de la muestra (S) a una resolución predeterminada; y una unidad y control que incluye (i) medio de ajuste de la condición de captación de la imagen para el ajuste, para la muestra (S), de un campo de captura de imagen (R) que incluye un objeto (S0) cuya imagen se ha de capturar, junto con información de enfoque en relación a la captura de la imagen del objeto (S0), comprendiendo la información de enfoque un plano...

  20. 20.-

    APARATO DE ADQUISICIÓN DE IMAGENES, MÉTODO DE ADQUISICIÓN DE IMÁGENES Y PROGRAMA DE ADQUISICIÓN DE IMÁGENES

    (06/2011)

    Aparato de adquisición de imágenes que comprende: medios de almacenamiento de muestras para almacenar una pluralidad de muestras (S); medios de reserva de muestras en los que pueden colocarse muestras, en una posición de espera; medios de adquisición de macroimágenes para adquirir una macroimagen de la muestra (S); medios de adquisición de microimágenes para adquirir una microimagen mientras que se explora la muestra con resolución superior que la de la macroimagen; medios de movimiento de muestras para...

  21. 21.-

    PROCEDIMIENTO DE CORTE DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR

    (06/2011)

    Procedimiento de corte de un substrato semiconductor para cortar un substrato semiconductor que presenta una cara anterior formada por una pluralidad de dispositivos funcionales a lo largo de líneas dispuestas a modo de malla que discurren entre los dispositivos funcionales adyacentes , para fabricar un dispositivo semiconductor que presenta uno de los dispositivos funcionales , comprendiendo el procedimiento las etapas de: unir una película protectora a la cara anterior del substrato semiconductor , de manera que los dispositivos funcionales queden cubiertos, caracterizado por el hecho de irradiar el substrato semiconductor con luz láser mientras se posiciona un...

  22. 22.-

    MÉTODO DE CORTE DE UN OBJETO PROCESADO

    (04/2011)

    Un método de corte de un objeto a procesar, comprendiendo el método: una etapa de formación de la región de punto de partida de corte de irradiación de un objeto con forma de oblea a procesar con luz láser (L) mientras se sitúa un punto de convergencia de luz (P) en su interior, a fin de formar una región modificada debido a absorción multifotónica únicamente dentro del objeto , de manera que la luz láser apenas se absorba por una cara terminal del objeto y la otra cara terminal en el lado opuesto del mismo para evitar que la una cara terminal del objeto y la otra cara terminal del objeto se fundan tras la irradiación con luz láser (L) y provoquen que la región modificada forme una región de...

  23. 23.-

    METODO DE TRATAMIENTO POR LASER

    (09/2010)

    Un método de procesamiento por láser que incluye: una primera etapa de irradiar un objeto plano que se tiene que procesar con luz de láser (L) mientras que emplaza un punto de convergencia de luz (P) dentro del objeto, a fin de formar una primera región modificada que se convierte en una región del punto de inicio para el corte dentro del objeto a lo largo de una primera línea de corte (5a) en el objeto, y formar una segunda región modificada que se convierte en una región del punto de inicio para el corte dentro del objeto a lo largo de una segunda línea de corte (5b) caracterizado por que la segunda línea de corte (5b) intersecta la primera línea de...

  24. 24.-

    METODO PARA DIVIDIR UN SUSTRATO

    (11/2007)
    Ver ilustración. Inventor/es: UCHIYAMA, NAOKI, FUJII,YOSHIMARO, FUKUYO,FUMITSUGU, FUKUMITSU,KENSHI. Clasificación: B23K26/00, B23K26/40, B23K26/06, H01L21/324, H01L21/78, H01L21/26, H01L21/30, H01L21/301, H01L21/42, H01L21/46, H01L21/477.

    Un método para dividir un sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato hecho de un material semiconductor con una luz láser (L) mientras se posiciona un punto de convergencia de luz (P) en el interior del sustrato , de modo que forma una región procesada por fusión dentro del sustrato , y causa que la región procesada por fusión forme una región de punto de arranque para el corte a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato, en el interior del sustrato a una distancia predeterminada de la cara incidente de la luz láser del sustrato ; adelgazar el sustrato después de la etapa de formar la región del punto de arranque para el corte de modo que el sustrato alcanza un grosor predeterminado; y separar una pluralidad de chips entre sí, en los que se divide el sustrato a lo largo de cada una de las líneas a lo largo de las cuales se cortará el sustrato.

  25. 25.-

    DISIPADOR DE CALOR Y DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR Y PILA DE LASER DE SEMICONDUCTOR QUE USA UN DISIPADOR DE CALOR.

    (03/2007)

    Un aparato de láser de semiconductor que comprende: un disipador de calor (10a, 10b, 10c) que comprende: un primer miembro plano que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una primera parte de ranura en la primera cara del mismo; un segundo miembro plano que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una segunda parte de ranura en la segunda superficie de la misma; una partición que tiene una primera superficie y una segunda superficie y dispuestas entre la primera superficie del primer miembro plano y la segunda superficie del segundo miembro plano , en la que la primera parte de ranura y la segunda cara de la partición definen un primer espacio , la segunda parte de...

  26. 26.-

    TUBO ELECTRONICO.

    (10/2004)
    Ver ilustración. Inventor/es: NIIGAKI, MINORU, HIROHATA, TORU, KAN, HIROFUMI, YAMADA, MASAMI. Clasificación: H01J29/94.

    LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN TUBO DE ELECTRONES QUE TIENE UNA CONFIGURACION QUE PUEDE MANTENER SU ESTABILIDAD OPERATIVA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO. EL TUBO DE ELECTRONES COMPRENDE, AL MENOS, UN EMISOR DE CAMPO QUE ESTA FABRICADO DE DIAMANTE O DE UN MATERIAL COMPUESTO PRINCIPALMENTE DE DIAMANTE Y QUE TIENE UNA SUPERFICIE TERMINADA EN HIDROGENO, Y UNA ENVOLVENTE SELLADA PARA ACOMODAR EL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE. DEBIDO A LA TERMINACION DE HIDROGENO, SE ESTABLECE LA AFINIDAD ELECTRONICA DEL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE A UN ESTADO NEGATIVO. ADEMAS, EL HIDROGENO ESTA ENCERRADO DENTRO DE LA ENVOLVENTE SELLADA. DEBIDO A DICHA CONFIGURACION, EL ESTADO TERMINADO DE HIDROGENO DE LA SUPERFICIE DEL EMISOR DE CAMPO DE DIAMANTE QUEDA ESTABILIZADO Y SE EVITA QUE LA AFINIDAD ELECTRONICA DEL EMISOR DE DIAMANTE CAMBIE DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.

  27. 27.-

    LAMPARA DE DESCARGA GASEOSA.

    (08/1996)

    UNA LAMPARA DE DESCARGA GASEOSA TIENE UN TUBO QUE DEFINE UN ENVOLTORIO DE LA LAMPARA EN EL CUAL ESTA CONFINADO UN GAS INERTE TIPO XENON. UN REFLECTOR EN FORMA DE TAZA ESTA DISPUESTO EN EL INTERIOR DE LA LAMPARA, CUYA SECCION TRANSVERSAL DE LA CARA INTERNA ES UNA HIPERBOLE O UNA ELIPSE TAL QUE UN SPOT DE LUZ ALINEADA O UN RAYO DE LUZ PARALELO SE PROYECTA FUERA DE LA LAMPARA. EL REFLECTOR TIENE UN EXTENSO DIAMETRO QUE SE ABRE MOSTRANDO UNA VENTANA DE PROYECCION DE LUZ FORMADA SOBRE UNA CARA DEL TUBO Y UNA PORCION INFERIOR FORMADA CON UN ORIFICIO . UN ANODO Y UN CATODO ESTAN DISPUESTOS UNO FRENTE AL OTRO EN UN ESPACIO CIRCUNDADO POR EL REFLECTOR . UN DISPARADOR PRUEBA ELECTRODO ESTA LOCALIZADO...