68 patentes, modelos y diseños de ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1996). Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, OVSHINSKY, STANFORD, R., YANG, CHI-CHUNG. Clasificación: H01L31/06.

UNA O MAS CELDAS SOLARES DE PELICULA FINA EN LA QUE LA CAPA INTERIOR DE UNA ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA INCLUYE AL MENOS UN PRIMER INTERVALO DE BANDA Y OTRO INTERVALO DE BANDA MAS ESTRECHO. EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ESTA ESPECIALMENTE GRADUADO EN UNA PARTE DEL GROSOR, Y DICHA PARTE GRADUADA INCLUYE UNA REGION ALEJADA DE LAS INTERFACES ENTRE LA CAPA IMPURIFICADORA Y LA CAPA INTERNA . EL INTERVALO DE BANDA DE LA CAPA INTERNA ES SIEMPRE MENOR QUE EL INTERVALO DE BANDA DE LAS CAPAS IMPURIFICADAS. LA GRADACION DE LA CAPA INTERNA SE EFECTUA DE FORMA QUE EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO Y/O EL FACTOR DE RELLENO DE LA ESTRUCTURA DE CELDA O CELDAS SOLARES SE POTENCIA.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1993). Inventor/es: VENKATESAN, SRINI, REICHMAN, BENJAMIN, FETCENKO, MICHAEL A. Clasificación: H01M10/34, H01M10/26, H01M4/38.

UNA ALEACION PARA ALMACENAJE DE HIDROGEO ELECTROQUIMICO, MULTIFASE, MULTICOMPONENTE, REVERSIBLE, DE ALTA CONSERVACION DE CARGA, QUE CONTIENE TITANIO, VANADIO, CIRCONIO, NIQUEL Y CROMO. LA ALEACION PARA ALMACENAJE DE HIDROGENO ES CAPAZ DE CARGAR Y DESCARGAR ELECTROQUIMICAMENTE HIDROGENO EN UN MEDIO ACUOSO ALCALINO. EN UN EJEMPLO PREFERIDO, LA ALEACION PARA ALMACENAJE DE HIDROGENO COMPRENDE (TI2-XZRXV4-YNIY)1-ZCRZ , DONDE X VALE 0,0-1,5, Y VALE 0,6-3,5, Y Z ES UNA CANTIDAD EFECTIVA MENOR QUE 0,20. TAMBIEN SE DESCRIBE UNA CELULA ELECTROQUIMICA RECARGABLE QUE UTILIZA UN ELECTRODO NEGATIVO FORMADO DE LA ALEACION.

Sección de la CIP Electricidad

(01/04/1993). Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG. Clasificación: H01L31/18, H01L21/28.

UN DISPOSITIVO ELECTRONICO , DEL TIPO QUE INCLUYE UN CUERPO DE PELICULA ESTRECHA CON UN ELECTRODO SUPERPUESTO , Y QUE TIENE DEFECTOS DE CORTOCIRCUITO (32A, 32B), PASIVADOS MEDIANTE UN PROCESO DE CONVERSION EN EL QUE LA RESISTIVIDAD ELECTRICA DEL MATERIAL DEL ELECTRODO SE AUMENTA (42A, 42B) PROXIMA A LA DE LAS ZONAS DE DEFECTOS. LA CONVERSION SE ACOMPAÑA DE UNA EXPOSICION DEL MATERIAL DEL ELECTRODO A UN REACTIVO DE CONVERSION , Y DE UNA ACTIVACION DEL REACTIVO PROXIMO A LAS ZONAS DE DEFECTOS. EL PROCESO PUEDE SER UTILIZADO POR UNA GRAN VARIEDAD DE DISPOSITIVOS CONFIGURADOS DIFERENTEMENTE, Y PUEDE SER ADAPTADO RAPIDAMENTE PARA SU UTILIZACION EN EL PROCESO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS CILINDRO A CILINDRO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/01/1993). Inventor/es: HANAK, JOSEPH J. Clasificación: H01L31/18, H01L27/14.

PROCESO DE PRODUCCION DE UNA SUPERFICIE RELATIVAMENTE LARGA DE DELGADAS PELICULAS DE CELULAS FOTOVOLTAICAS, DEPOSITANDO UN SEMICONDUCTOR AISLADO A LA PELICULA, TAL COMO SILICONA AMORFA, PEGANDO UN MATERIAL SOPORTE A LA PELICULA DEPOSITADA Y SEPARANDO ESTA Y EL MATERIAL SOPORTE DEL FONDO SUSTRATO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/08/1987). Clasificación: C23C16/50.

APARATO PARA DEPOSITAR MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO AVANZANDO CONTINUAMENTE. POR UN TUBO CON ORIFICIOS (36A) SE ALIMENTA UNA MEZCLA GASEOSA, PREFERENTEMENTE SILANO E HIDROGENO, A UNA CAMARA , LIMITADA POR UN CATODO SUPERIORMENTE Y UNA PLACA INFERIORMENTE, ENTRE LAS CUALES SE ESTABLECE UN PLASMA DE DESCARGA LUMINISCENTE CUANDO SE ENERGIZA LA PLACA A UN VOLTAJE SUFICIENTE. LA ENVOLTURA SE ENCUENTRA CONECTADA A TIERRA. EN OTRA VARIANTE SE DISPONE UN PRECATODO ENERGIZADO POR MICROONDAS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/07/1987). Clasificación: H01L31/0224.

MODIFICACIONES EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. CONSISTENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE INCLUYE UNA PLURALIDAD DE CELULAS FOTOVOLTAICAS (12A, 12B, 12C), HABIENDOSE PREVISTO BAJO LA CELULA (12A) UN SUSTRATO TAL COMO UNA LAMINA DE ACERO INOXIDABLE ELECTRICAMENTE CONDUCTOR; INCLUYENDO CADA UNA DE LAS CELULAS (12A, 12B, 12C) UN CUERPO SEMICONDUCTOR QUE CONTIENE UNA ALEACION DE SILICIO Y CADA UNO DE LOS CUERPOS DE ALEACION INCLUYE UNA REGION O CAPA (16A, 16B, 16C), UNA REGION O CAPA INTRINSECA (18A, 18B, 18C), Y UNA REGION O CAPA (20A, 20B, 20C) SIENDO LA CELULA (12B) UNA CELULA INTERMEDIA A LA QUE PUEDEN AÑADIRSE CELULAS INTERMEDIAS ADICIONALES. TIENE APLICACIONES EN EL CAMPO DE LA ELECTRICIDAD.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/1987). Clasificación: H01L31/0224.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO. COMPRENDE: UN SUSTRATO CONDUCTOR DE ELECTRICIDAD ; UN CUERPO SEMICONDUCTOR DEPOSITADO SOBRE EL SUSTRATO; UNA CAPA CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD , COLECTORA DE CORRIENTE Y TRANSPARENTE, SITUADA SOBRE EL CUERPO SEMICONDUCTOR ; Y UNA ESTRUCTURA DE REJILLA QUE MANTIENE UN CONTACTO ELECTRICO CON LA CAPA COLECTORA DE CORRIENTE, PARA COLECTAR Y CONDUCIR LA CORRIENTE GENERADA POR EL DISPOSITIVO; INCLUYENDO LA REJILLA UNA BARRA COLECTORA QUE SE INTERCONECTA ELECTRICAMENTE CON MULTIPLES UÑAS COLECTORAS DE CORRIENTE QUE SE INTERCONECTAN RESISTIVAMENTE CON LA BARRA COLECTORA . TIENE APLICACION EN PILAS FOTOVOLTAICAS DE GRAN AREA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/11/1986). Clasificación: C23C14/00.

MODIFICACIONES EN UN APARATO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA TRANSMISORA DE LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA EN UN SUSTRATO. CONSISTENTES EN LA COMBINACION DE: UN MEDIO PARA INTRODUCIR GAS DE OXIGENO EN LA ZONA DE VAPOR; Y UN CATODO ENERGIZADO CON RADIOFRECUENCIA COLOCADO ADYACENTE A LA FUENTE DE MATERIAL METALICO PARA DESARROLLAR UN PLASMA IONIZADO DE LOS ATOMOS DE GAS DE OXIGENO Y METALICOS EN LA ZONA DE VAPOR MEDIANTE LO CUAL EL APARATO ESTA ADAPTADO PARA DEPOSITAR UNA PELICULA DE OXIDO DE METAL SOBRE EL SUSTRATO. TIENE APLICACION PARA LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1986). Clasificación: H01L31/02.

VARIACIONES EN UN DISPOSITIVO FOTOSENSIBLE. CONSTA DE: UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE TIPO P-I-N FORMADO POR CELDAS INDIVIDUALES 12A, 12B Y 12C, FABRICADAS DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR AMORFO QUE CONTIENE SILICIO O GERMANIO, Y CADA UNA DE LAS CUALES INCLUYE: UNA CAPA 16 SEMICONDUCTORA DE CONDUCTIVIDAD TIPO P, UNA CAPA 18 SEMICONDUCTORA INTRINSECA LIGERAMENTE ADULTERADA Y UNA CAPA 20 SEMICONDUCTORA DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N; LAS CAPAS 16 Y 20 COOPERAN PARA ESTABLECER UN CAMPO ELECTRICO A TRAVES DE LA 18 INTRINSECA PARA LA RECOLECCION DE PORTADORES DE CARGA GENERADOS EN LA 18 POR LA LUZ; UN SUSTRATO QUE UNE LA CELDA 12A Y FUNCIONA COMO ELECTRODO DE LA CELDA 10, FABRICADO DE ACERO INOX, ALUMINIO O NIQUEL. SE UTILIZA EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/09/1986). Clasificación: H01L31/075.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE MULTIPLES PILAS QUE INCLUYE UNA ALEACION DE GERMANIO, ESTAÑO Y PLOMO. CONSTA DE DOS PILAS FOTOVOLTAICAS DEPOSITADAS EN SERIE, ESTANDO DICHA PILAS FORMADAS DE TAL MODO QUE LAS FOTOCORRIENTES GENERADAS POR CADA PILA, A MEDIDA QUE LA LUZ PASA POR ELLAS, COINCIDEN MATERIALMENTE ENTRE SI. LA MAS BAJA DE DICHAS PILAS ESTA FORMADA POR UNA ALEACION AMORFA CONSTITUIDA POR UN MATERIAL PRIMARIO, SELECCIONADO ENTRE GERMANIO, ESTAÑO, PLOMO O SUS COMBINACIONES, Y POR AL MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, PARA LIGARSE CON EL MATERIAL PRIMARIO, PARA IMPEDIR QUE TODOS LOS CONTAMINANTES OCUPEN SITIOS DE LIGADURA Y PARA COORDINARSE EN UNA FORMA SUSTANCIALMENTE TETRAEDRICA CON ORBITALES HIBRIDOS. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS EN TANDEM.

Sección de la CIP Electricidad

(16/07/1986). Clasificación: H01L31/052.

DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO SEMICONDUCTOR AMORFO Y MODIFICADO. SE COMPONE DE: UN PRIMER ELECTRODO ; UN SUSTRATO DE ACERO INOXIDABLE O ALUMINIO Y ADYACENTE A LA CELDA (12A); TRES CELDAS POR TIPO P-I-N INDIVIDUALES (12A, 12B, 12C) FORMADAS POR CUERPOS SEMICONDUCTORES AMORFOS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE SILICIO O GERMANIO Y CONSTITUIDAS POR CAPAS SEMICONDUCTORAS DE CONDUCTIVIDAD P(16A, 16B, 16C), CAPAS SEMICONDUCTORAS INTRINSECAS DE ESPACIO DE BANDA GRADUADA (18A, 18B, 18C) QUE TIENE UN GRADIENTE DE MATERIAL REDUCTOR (GE, SB O PB) DE ENERGIA DE ESPACIO DE BANDA Y UN MATERIAL (N, O O F) QUE INCREMENTA LA ENERGIA DE ESPACIO DE BANDA Y CAPAS SEMICONDUCTORAS DE CONDUCTIVIDAD TIPO (N) (20A, 20B, 20C); UN SEGUNDO ELECTRODO FORMADO POR UNA CAPA DE OXIDO TRANSPARENTE (TCO) DE OXIDO DE INDIO, ESTAÑO Y UN ELECTRODO METALICO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/06/1986). Clasificación: H01L31/02.

MODIFICACIONES EN CELULAS FOTORRESPONSIVAS. CONSISTENTES EN QUE: EL RETROFLECTOR INCLUYE UN MATERIAL REFLECTOR ALEADO, ALUMINIO Y PLATA, ALEADO CON SILICIO, EN PROPORCIONES 90%, 5% Y 5% RESPECTIVAMENTE, PARA PROMOVER LA ADHESION DEL REFLECTOR AL SUSTRATO Y AL CUERPO SEMICONDUCTOR, E INHIBIR LA DIFUSION ENTRE EL REFLECTOR Y EL CUERPO SEMICONDUCTOR; EL SUSTRATO COMPRENDE UN REVESTIMIENTO DE CAPA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA CON UNA PELICULA AISLANTE; EL REFLECTOR SE DISPONE EN EL REVESTIMIENTO. SE UTILIZAN EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1986). Clasificación: H01L27/14.

PILA FOTOVOLTAICA DE GRAN AREA. COMPRENDE: UNA PLURALIDAD DE SEGMENTOS DE PEQUEÑA AREA QUE PUEDEN CONECTARSE ENTRE SI, Y CADA UNO DE ELLOS INCLUYE: UN SUSTRATO ELECTRICAMENTE AISLANTE QUE SEPARA CADA SEGMENTO DE LOS CONTIGUOS, REALIZADO EN VIDRIO O POLIMEROS ORGANICOS; TRES SUBELEMENTOS (12A, 12B, 12C) DE TIPO P-I-N, BAJO LAS CUALES SE ENCUENTRA EL PRIMER ELECTRODO , REALIZADO EN UN METAL ALTAMENTE ELECTROCONDUCTIVO; UN SEGUNDO ELECTRODO SITUADO SOBRE EL SUBELEMENTO (12C), REALIZADO EN UN MATERIAL DE OXIDO CONDUCTIVO TRANSPARENTE, COMO OXIDO DE INDIO O ESTAÑO; Y UNA REJILLA COLECTORA DE CORRIENTE COLOCADA SOBRE EL SEGUNDO ELECTRODO. SIENDO: P, POSITIVO; I, INTRINSECO; N NEGATIVO.

Sección de la CIP Electricidad

(01/06/1986). Clasificación: H01L21/20.

DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA APLICACIONES ELECTRONICAS. COMPRENDE UN SUSTRATO CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD CON UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION QUE INCLUYE, CUANDO MENOS, UN DEFECTO CAPAZ DE DEPARAR UN TRAYECTO DE CORRIENTE DE BAJA RESISTENCIA, A TRAVES DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBSECUENTEMENTE DEPOSITADO, O UN CENTRO DE NUCLEACION QUE ACTIVE LA DEPOSICION DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR NO HOMOGENEO; Y UN CUERPO DE PELICULA DELGADA HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DEPOSITADO SOBRE DICHO SUSTRATO. ENTRE EL CUERPO Y LA SUPERFICIE DE DEPOSICION SE INTERPONE UNA CAPA NIVELADORA GALVANOPLASTIADA, CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD, LA CUAL SE HACE PRINCIPALMENTE CON UN MATERIAL SELECCIONADO ENTRE NIQUEL, PLATA, INDIO, ESTAÑO, CADMIO, ZINC, Y MEZCLAS DE LOS MISMOS.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/05/1986). Clasificación: C23C16/54.

DISPOSITIVO DE ESTANQUEIDAD ENTRE DOS CAMARAS QUE CONTIENEN REACTIVOS QUE SE HAN DE MEZCLAR. INCLUYE: UN PASAJE ALARGADO, A TRAVES DEL CUAL PASA EL ALMA DEL MATERIAL EN TRATAMIENTO, CON DOS COMPARTIMENTOS, UNO SUPERIOR ANGOSTO (44A) Y OTRO INFERIOR (44B) MAS ANCHO; DOS PLACAS (46 Y 48) ALARGADAS QUE FORMAN EL PASAJE ENTRE LAS DOS CAMARAS ADYACENTES (28 Y 30); UN RESALTO CON UNA PLURALIDAD DE ABERTURAS, QUE JUNTAMENTE PROPORCIONAN UNA MANIJA PARA SUJETAR Y LEVANTAR LA PLACA SUPERIOR ; UNAS CAVIDADES RECEPTORAS DE IMANES DE CERAMICA QUE ESTAN LO SUFICIENTEMENTE CERCA DE LA PARED (46B) PARA ATRAER EL ALMA MAGNETICA DEL MATERIAL.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/05/1986). Clasificación: C23C14/56.

ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA DE CAPAS MULTIPLES. COMPRENDE: UNA PLURALIDAD DE CAPAS SUPERPUESTAS DE DOS TIPOS: A) UN PRIMER MATERIAL SEMICONDUCTOR DESORDENADO QUE INCLUYE SILICIO Y NITROGENO Y/U OXIGENOO GERMANIO Y UN ELEMENTO DE AJUSTE SEPARADOR DE BANDAS; B) UN SEGUNDO MATERIAL QUE TIENE UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD, MAGNITUD Y/O POLARIDAD DE CAPACIDAD DE CARGA FIJA Y/O SEPARACION DE BANDAS DIFERENTES DE LA DEL CITADO DE LA PRIMERA CAPA; UN ELEMENTO DOPANTE DE P O N EN CADA REGION P O N, RESPECTIVAMENTE; UNA CAPA DE ALEACION AMORFA ENTRE CADA REGION DOPADA P ON. SE UTILIZA EN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES, FOTOVOLTAICOS Y TERMOELECTRICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/04/1986). Clasificación: H01L31/075.

MEJORAS EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE MULTIPLES ZONAS DE ALEACIONES DE SEMICONDUCTOR DEPOSITADAS SOBRE UN SUSTRATO. INCLUYE: UNA PAREJA DE REGIONES DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA BARNIZADA ; UN CUERPO DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA INTRINSECA, QUE SE ENCUENTRA ENTRE LAS REGIONES DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA BARNIZADAS, INCLUYENDO EL CUERPO INTRINSECO UNA PRIMERA REGION INTRINSECA (160A) Y UN ELEMENTO MEJORADOR DEL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO, UNA SEGUNDA REGION INTRINSECA (160B) QUE TIENE UN HUECO DE BANDA MAS ANCHO QUE EL HUECO DE BANDA DE LA PRIMERA REGION INTRINSECA, PARA MEJORAR EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DEL DISPOSITIVO. ESTANDO FORMADA LA ALEACION SEMICONDUCTORA PARA UNA ALEACION AMORFA DE SILICIO Y FLUOR Y/O HIDROGENO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(16/04/1986). Clasificación: C23C14/00.

MODIFICACIONES EN UN APARATO PARA DEPOSITAR CONTINUAMENTE SOBRE UN SUSTRATO UNA PELICULA TRANSMISORA DE LA LUZ Y ELECTRICAMENTE CONDUCTORA. CONSISTENTES EN: DISPOSITIVOS PARA HACER AVANZAR AL SUSTRATO O BOVEDA ALARGADA DE MADERA O BANDA ALARGADA DE MADERA A TRAVES DEL APARATO, FORMADOS POR RODILLOS Y ACCIONADORES ; UNOS DISPOSITIVOS PARA CALENTAR EL SUSTRATO; UNA PLURALIDAD DE FUENTES DE MATERIAL METALICO DESTINADO A SER EVAPORADO POR LOS DISPOSITIVOS DE CALENTAMIENTO; UNAS TOLVAS DE ALIMENTACION PARA REPONER CONTINUAMENTE EL MATERIAL METALICO A MEDIDA QUE ESTE SE EVAPORA; UNOS DISPOSITIVOS PARA REPONER CONTINUAMENTE EL OXIGENO A MEDIDA QUE REACCIONA CON EL MATERIAL METALICO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/01/1986). Clasificación: C25D5/02.

METODO PARA ELECTRORREVESTIR UN MATERIAL SOBRE UNA PRIMERA SUPERFICIE DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. CARACTERIZADO PORQUE SE CONECTA UNA FUENTE DE CORRIENTE ELECTRICA EXTERNA ENTRE LA SEGUNDA SUPERFICIE Y EL BAÑO, PROPORCIONANDO LA JUNTA FOTORRESPONSIVA ACTIVADA UN FLUJO DE CORRIENTE ELECTRICA DESDE LA SEGUNDA SUPERFICIE HASTA LA PRIMERA SUPERFICIE SIN DAÑO ALGUNO AL DISPOSITIVO; PORQUE SE ELECTRODEPOSITA EL MATERIAL SOBRE LA PRIMERA SUPERFICIE DEL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR; Y PORQUE SE OXIDA ANODICAMENTE LA PRIMERA SUPERFICIE DEL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, AL OBJETO DE FORMAR SOBRE EL MISMO UN DISEÑO OXIDADO.

Sección de la CIP Electricidad

(16/12/1985). Clasificación: H01L35/02.

Una tira continua de material fotovoltaico incluyendo la tira una pluralidad de celdas fotovoltaicas de área grande eléctricamente aisladas, separadas incluyendo el material fotovoltaica (a) un substrato eléctricamente conductor, (b) un cuerpo semiconductor en la parte superior del substrato eléctricamente conductor y (c) un revestimiento transparente eléctricamente conductor en la parte superior del cuerpo semiconductor estando la mejora caracterizada por, en combinación: un patrón de material eléctricamente aislante en la parte superior del cuerpo semiconductor dividiendo el patrón la tira continua en una pluralidad de celdas fotovoltaicas de área grande separadas, el grueso del material aislante es considerablemente mayor que el grueso del revestimiento transparente eléctricamente conductor.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/12/1985). Clasificación: C23C16/50.

METODO Y APARATO DE DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE, UTILIZABLE EN PARTICULAR EN LA PRODUCCION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS. EL METODO COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, SE INTRODUCEN LOS GASES DE PROCESAMIENTO CORRIENTE ARRIBA DE LA REGION DE DESCOMPOSICION; SEGUNDA SE SEPARAN LAS IMPUREZAS DE LOS GASES DE PROCESAMIENTO Y CONTAMINANTES DE LAS PAREDES DE LA CAMARA DE DEPOSICION; TERCERA, SE INICIA LA DISOCIACION Y RECOMBINACION DE LOS GASES DE PROCESAMIENTO EN UNA REGION DE DESCOMPOSICION DE PREDEPOSICION CORRIENTE ARRIBA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/12/1985). Clasificación: C23C16/50.

PROCEDIMIENTO DE DEPOSITAR UNA PELICULA DE ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA SOBRE UN SUSTRATO. CONSISTE EN ACOPLAR UNA ENERGIA DE MICROONDAS DENTRO DE UN RECIPIENTE DE REACCION MATERIALMENTE ENCERRADO, QUE CONTIENE UN SUSTRATO, Y EN INTRODUCIR EN EL RECIPIENTE UN GAS DE REACCION PARA ESTABLECER UN PLASMA DE DESCARGA DENTRO DEL MISMO, QUE CONTIENE UNA ESPECIE DE GAS DE REACCION DERIVADO, Y ESTANDO CARACTERIZADO EL PROCEDIMIENTO PORQUE EL RECIPIENTE DE REACCION SE MANTIENE A UNA PRESION NO MAYOR DE 13 PASCALES DURANTE LA DEPOSICION DE LA PELICULA DE ALEACION SEMICONDUCTORA.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/11/1985). Clasificación: C23C14/00.

PROCEDIMIENTO PARA DEPOSITAR CONTINUAMENTE UNA PELICULA ELECTRICAMENTE CONDUCTORA, DELGADA Y TRANSMISORA DE LA LUZ, SOBRE UN SUSTRATO MOVIL. COMPRENDE LAS SIGUIENTES FASES: PRIMERA, SE HACE EL VACIO EN UNA CAMARA Y SE HACE AVANZAR CONTINUAMENTE UNA BANDA CONTINUA DE MATERIAL DE SUSTRATO A TRAVES DE DICHA CAMARA; SEGUNDA, SE PROPORCIONA UNA FUENTE DE MATERIAL METALICO Y SE EVAPORA DICHO MATERIAL METALICO EN LA CAMARA EN LA QUE SE HA HECHO EL VACIO, DE MODO QUE SE PRODUZCA UN VAPOR METALICO EN UNA ZONA DEFINIDA ENTRE EL SUSTRATO Y LA FUENTE DE MATERIAL METALICO; TERCERA, SE REPONE EL MATERIAL METALICO A MEDIDA QUE ESTE SE EVAPORA; CUARTA, SE INTRODUCE OXIGENO EN LA ZONA EN ESTADO GASEOSO; Y POR ULTIMO, SE INTRODUCE ENERGIA ELECTROMAGNETICA EN LA ZONA PARA DESARROLLAR UN PLASMA IONIZADO A PARTIR DE LOS ATOMOS DE OXIGENO GASEOSO Y DE LOS ATOMOS METALICOS EVAPORADOS EN LA ZONA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/11/1985). Clasificación: H01L31/075.

METODO PARA HACER UNA ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA MEJORADA DE ESTRECHO INTERVALO DE BANDAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS. COMPRENDE: PROPORCIONAR UN MEDIO AMBIENTE QUE CONDUZCA A LA FORMACION DE LA COORDINACION TETRAEDRICA; EXCITAR UN MATERIAL PRIMARIO SELECCIONADO; EXCLUIR MATERIALMENTE DEL MEDIO AMBIENTE A LOS CONTAMINANTES QUE PUEDAN COMPETIR CON EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, EXTINGUIR LA ENERGIA DE EXCITACION Y SUPRIMIR LA DURACION DE LOS RADICALES LIBRES; FORMAR UNA REGION DE DEPOSICION DENTRO DEL MEDIO AMBIENTE CONDUCTOR, SUMINISTRAR UN SUSTRATO EN LA REGION DE DEPOSICION; INCLUIR EL MATERIAL PRIMARIO EXCITADO Y LOS RADICALES LIBRES DE DENSIDAD DE ESTADO EN LA REGION DE DEPOSICION, DE TAL FORMA QUE AL MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS Y EL MATERIAL PRIMARIO SE DEPOSITEN SOBRE EL SUSTRATO PARA FORMAR UNA ALEACION DE COORDINACION TETRAEDRICA CON ORBITALES HIDRICOS.

Sección de la CIP Física

(01/11/1985). Clasificación: G01R31/02.

SISTEMA PARA DETECTAR Y ELIMINAR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EN DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS. CONSISTE EN POLARIZAR EL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO, MEDIANTE LA APLICACION DIRECTA DE ELECTRODOS CONECTADOS ENTRE EL SUSTRATO Y EL MATERIAL TRANSMISOR DE LUZ O INDIRECTAMENTE A TRAVES DE UNA SOLUCION CONDUCTORA, PARA CONVERTIR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO LATENTES EN TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EXISTENTES. PARA ELLO LA RESISTIVIDAD DE LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO SE AUMENTA CONSIDERABLEMENTE EN LA INTERFAZ ENTRE EL MATERIAL TRANSMISOR DE LUZ Y LA REGION SEMICONDUCTORA, AISLANDO ELECTRICAMENTE MEDIANTE LA APLICACION DE UNA SOLUCION DILUIDA DE ELECTROLITO HACIA EL MATERIAL TRANSMISOR DE LUZ. APLICADO EN LA FABRICACION DE ELEMENTOS FOTOVOLTAICOS SEMICONDUCTORES AMORFOS DE AREA GRANDE.

Sección de la CIP Electricidad

(16/10/1985). Clasificación: H01L31/0224.

UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. INCLUYE UN PRIMER ELECTRODO UN CUERPO SEMICONDUCTOR ACTIVO EN LA PARTE SUPERIOR DEL PRIMER ELECTRODO UN SEGUNDO ELECTRODO EN LA PARTE SUPERIOR DEL CUERPO SEMICONDUCTOR Y POR LO MENOS UNA REGION DE DEFECTO QUE ES CAPAZ DE PROPORCIONAR UNA TRAYECTORIA DE DERIVACION DE BAJA RESISTENCIA PARA EL FLUJO DE CORRIENTE ELECTRICA ENTRE LOS ELECTRODOS DEL DISPOSITIVO. TIENE TAMBIEN UNA CAPA PROTECTORA TRANSPARENTE CONTINUA OPERANTEMENTE DISPUESTA ENTRE EL CUERPO SEMICONDUCTOR Y UNO DE LOS ELECTRODOS DEL DISPOSITIVO.

Sección de la CIP Física

(16/10/1985). Clasificación: G01R31/02.

PROCEDIMIENTO PARA ELIMINAR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EN LOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS. EL PRIMER PASO CONSISTE EN DETECTAR LA UBICACION DE LA TRAYECTORIA DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO PARA LO CUAL SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE EL MATERIAL TRANSPARENTE CONDUCTOR Y POR LO MENOS UNA REGION ACTIVA Y SE DETECTA CUANDO LA CORRIENTE A TRAVES DEL DISPOSITIVO ESTA ENCIMA DE UN LIMITE PREDETERMINADO. EL SEGUNDO PASO CONSISTE EN AUMENTAR CONSIDERABLEMENTE LA RESISTIVIDAD DE LA TRAYECTORIA DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO E INCLUYE EL PASO DE QUITAR EL MATERIAL TRANSPARENTE CONDUCTOR DE CONEXION ELECTRICA CON LA TRAYECTORIA DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO.

Sección de la CIP Química y metalurgia

(01/10/1985). Clasificación: C23C16/50.

UN APARATO PARA DEPOSITAR UN MATERIAL SOBRE UN SUSTRATO DE UN PLASMA EXCITADO CON ENERGIA DE MICROONDAS.INCLUYE UNA CAMARA DE DEPOSICION, UNA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS Y UNA ANTENA QUE SE EXTIENDE HACIA LA CAMARA Y QUE SE ACOPLA CON LA FUENTE DE ENERGIA DE MICROONDAS. LA ANTENA INCLUYE UN FORRO EXTERNO FORMADO DE UN MATERIAL CONDUCTOR, UN CONDUCTOR INTERNO QUE SE EXTIENDE DENTRO Y AISLADO ELECTRICAMENTE DEL FORRO EXTERNO, Y UNA RANURA DENTRO DEL FORRO EXTERNO. EL APARATO INCLUYE TAMBIEN UN CONDUCTO DE ALIMENTACION PASANTE NUEVO Y MEJORADO PARA LA ANTENA QUE PERMITE QUE LA ANTENA SE EXTIENDA HACIA LA CAMARA MIENTRAS QUE ESTABLECE UN SELLO DE VACIO ENTRE LA CAMARA Y LA ANTENA.

Sección de la CIP Electricidad

(01/10/1985). Clasificación: H01L31/048.

UN PANEL FOTOVOLTAICO PARA CONVERTIR LA LUZ EN ENERGIA ELECTRICA.INCLUYE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE PRESENTA UNA REGION ACTIVA HECHA CON UN MATERIAL SEMICONDUCTOR, QUE MUESTRA UNA ESTABILIDAD EN EL RENDIMIENTO DE LA CONVERSION DE LA ENERGIA DIRECTAMENTE RELACIONADA CON LA TEMPERATURA DE OPERACION DEL DISPOSITIVO. ASIMISMO, EL PANEL INCLUYE A UN DISPOSITIVO QUE SIRVE PARA MANTENER LA TEMPERATURA DE OPERACION DEL DISPOSITIVO AL EXPONERSE A LA LUZ A UNA TEMPERATURA ELEVADA, SUPERIOR A LA TEMPERATURA AMBIENTE EXTERIOR AL DISPOSITIVO.